臺積電第六代CoWoS晶圓級芯片封裝量產，單封裝內集成多達12顆HBM內存
據媒體報道，作為全球一號代工廠，臺積電已經開始大規模量產第六代CoWoS晶圓級芯片封裝技術，集成度大大提高。
我們知道，如今的高端半導體芯片越來越復雜，傳統的封裝技術已經無法滿足，Intel、臺積電、三星等紛紛研發了各種2.5D、3D封裝技術，將不同IP模塊以不同方式，整合封裝在一顆芯片內，從而減低制造難度和成本。
CoWoS的全稱為Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一種將芯片、基底都封裝在一起的技術，并且是在晶圓層級上進行，目前只有臺積電掌握，技術細節屬于商業機密。
它屬于2.5D封裝技術，常用于HBM高帶寬內存的整合封裝，比如AMD Radeon VII游戲卡、NVIDIA V100計算卡都屬于此類。
CoWoS封裝結構簡圖
臺積電當然也不會披露第六代CoWoS的細節，只是說可以在單個封裝內，集成多達12顆HBM內存。
最新的HBM2E已經可以做到單顆容量16GB，12顆封裝在一起那就是海量的192GB！
責任編輯：gt
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54010瀏覽量
466096 -
臺積電
+關注
關注
44文章
5803瀏覽量
176332 -
晶圓
+關注
關注
53文章
5410瀏覽量
132296 -
封裝
+關注
關注
128文章
9249瀏覽量
148628
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
AI大算力的存儲技術， HBM 4E轉向定制化
在積極配合這一客戶需求。從HMB4的加速量產、HBM4E演進到邏輯裸芯片的定制化等HBM技術正在創新中發展。 ? HBM4 E的 基礎裸片
臺積電CoWoS技術的基本原理
隨著高性能計算（HPC）、人工智能（AI）和大數據分析的快速發展，諸如CoWoS（芯片-晶圓-基板）等先進封裝技術對于提升計算性能和效率的重
臺積電CoWoS平臺微通道芯片封裝液冷技術的演進路線
臺積電在先進封裝技術，特別是CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）平臺上的微通道
HBM技術在CowoS封裝中的應用
HBM通過使用3D堆疊技術，將多個DRAM（動態隨機存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進行連接，從而實現高帶寬和低功耗的特點。HBM的應用中，
什么是晶圓級扇入封裝技術
在微電子行業飛速發展的背景下，封裝技術已成為連接芯片創新與系統應用的核心紐帶。其核心價值不僅體現于物理防護與電氣/光學互聯等基礎功能，更在于應對多元化市場需求的適應性突破，本文著力介紹晶圓
臺積電最大先進封裝廠AP8進機
。改造完成后AP8 廠將是臺積電目前最大的先進封裝廠，面積約是此前 AP5 廠的四倍，無塵室面積達 10 萬平方米。 臺
全球芯片產業進入2納米競爭階段：臺積電率先實現量產!
隨著科技的不斷進步，全球芯片產業正在進入一個全新的競爭階段，2納米制程技術的研發和量產成為了各大芯片制造商的主要目標。近期，臺積
工商網監
評論