文章來源：學習那些事

原文作者：小陳婆婆

本文主要講述什么是晶圓切割與框架內貼片。

在半導體制造的精密工藝鏈條中，芯片切割作為晶圓級封裝的關鍵環節，其技術演進與設備精度直接關系到芯片良率與性能表現；框架內貼片作為連接芯片與封裝體的核心環節，其技術實施直接影響器件的電性能、熱管理及可靠性表現。

晶圓切割

在半導體制造的精密工藝鏈條中，芯片切割作為晶圓級封裝的關鍵環節，其技術演進與設備精度直接關系到芯片良率與性能表現。

當前主流切割設備以金剛石鋸切與激光切割兩大技術路徑為核心，前者憑借含人造金剛石顆粒的超薄圓形刀片實現物理切割，切割道寬度約100微米，即劃線區域，其切割精度可達頭發絲直徑的1/10——以人類頭發約50-70微米直徑計，此精度相當于將單根發絲垂直分割為10等份，確保芯片分離時邊緣整齊無崩邊。

圖 背面研磨

為達成此精度，晶圓需預先進行背面研磨工藝：直徑300毫米的原始晶圓厚度從0.775毫米減薄至0.3毫米甚至更薄，此舉不僅降低封裝高度、減少硅襯底電阻，更便于后續切割分離。研磨過程中，晶圓表面覆蓋保護膠帶并通過真空吸附固定于吸盤臺，背面采用人造金剛石磨輪進行精密研磨，確保厚度均勻性。

進入切割階段，研磨后的晶圓需貼附于特殊紫外線（UV）膠帶上——此類膠帶經紫外線照射后黏合強度顯著降低，便于后續芯片分離。

圖 切割工藝

晶圓整體固定于框架后，切割機沿垂直與水平排列的芯片間劃線進行精準切割。除傳統金剛石鋸切外，激光切割機作為替代方案，通過高能量激光束實現非接觸式切割，有效避免刀片磨損帶來的精度波動，同時適用于超薄晶圓及易碎材料切割，成為近年來技術突破的重要方向。例如，皮秒激光切割技術通過超短脈沖實現冷加工，減少熱影響區，提升切割邊緣質量，已逐步應用于先進制程芯片的制造。

切割完成后，需通過特殊夾具拉伸紫外線膠帶，利用膠帶彈性形變使切割后的芯片間形成間隙，實現物理分離。此時照射紫外線觸發膠帶光化學反應，降低黏合強度，便于芯片從膠帶上剝離，此過程既保護芯片免受機械損傷，又提升取片效率。最終階段需借助顯微鏡進行外觀檢測，篩選出存在缺邊、劃痕等缺陷的芯片，同時剔除晶圓檢驗階段已標記的不合格芯片，確保進入下一道工序的芯片均滿足質量標準。

當前行業技術發展正聚焦于切割精度提升與自動化集成。例如，采用人工智能視覺系統的切割設備可實時監測切割路徑，動態調整切割參數，將劃線偏差控制在亞微米級；而5G與物聯網技術的融合，推動切割設備向智能化、遠程運維方向發展，實現生產數據的實時采集與分析，進一步提升良率控制能力。

此外，新型復合膠帶材料的研發，如具備自修復功能的UV膠帶，正逐步解決傳統膠帶在剝離過程中可能產生的芯片粘連問題，為超精密切割提供更可靠的工藝保障。這些技術進步共同推動著芯片切割工藝向更高精度、更高效率、更低缺陷率的方向持續演進。

貼裝工藝

當前主流貼裝工藝以樹脂貼裝、共晶貼裝及金片貼裝三大技術路徑為核心，均需在嚴格環境控制下實現芯片與引線框架的精準固定。

以模具封裝為例，貼片機通過真空吸盤從紫外線膠帶上逐個拾取合格芯片，將其精確放置于引線框架中心已灌封的銀漿之上——該銀漿需經250℃高溫固化，通過導電銀漿的粘接實現芯片與框架的電氣與機械連接，此即樹脂貼裝工藝。此類工藝廣泛應用于消費級芯片封裝，其優勢在于工藝成熟、成本可控，且可通過自動化設備實現高精度貼裝。

圖 樹脂貼裝法

對于高可靠性需求場景，如陶瓷封裝芯片，共晶貼裝工藝則成為首選。

圖 共晶貼裝和金片貼裝

該工藝需將引線框架中心升溫至約400℃，在氮氣保護環境下將芯片直接壓合于鍍金框架表面，利用金-硅共晶反應形成低電阻、低熱阻的界面連接，有效降低芯片與封裝體間的熱應力，提升器件在高溫、高濕等惡劣環境下的穩定性。而金片貼裝工藝則通過插入金片并施加摩擦，促使芯片背面與框架形成金-硅共晶鍵合，同樣需在氮氣環境中完成以避免金屬氧化，該工藝尤其適用于對熱阻要求嚴苛的高功率芯片封裝。

當前行業技術發展正聚焦于貼裝精度提升與工藝智能化。全自動貼片機已普遍集成攝像頭視覺系統與機器人搬運模塊，通過計算機實時控制實現芯片拾取、定位、貼裝的全程自動化，減少人為干預帶來的誤差。

此外，新型導電膠材料的研發，如具有自修復功能的銀漿或低溫固化導電膠，正逐步解決傳統銀漿在固化過程中可能產生的應力裂紋問題，提升貼裝可靠性；而激光加熱技術的應用，則通過局部快速升溫實現銀漿的精準固化，減少熱影響區，提升芯片與框架的連接質量。這些技術進步共同推動著框架內貼片工藝向更高精度、更高效率、更低缺陷率的方向持續演進，為半導體器件的性能提升與成本優化提供堅實支撐。