3月26日，晶圓代工廠商華虹半導(dǎo)體發(fā)布其2019年業(yè)績(jī)報(bào)告。華虹半導(dǎo)體表示，2019年華虹無錫12英寸生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，公司產(chǎn)能擴(kuò)增；公司銷售收入創(chuàng)歷史新高，截至2019年底連續(xù)36個(gè)季度實(shí)現(xiàn)盈利。

2019年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.33億美元

報(bào)告顯示，2019年華虹半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)銷售收入9.33億美元，再創(chuàng)公司歷史營(yíng)收新高，同比增長(zhǎng)0.2%；母公司擁有人應(yīng)占年內(nèi)溢利為1.62億美元，2018年度為1.83億美元，同比下降11.4%。華虹半導(dǎo)體強(qiáng)調(diào)，截至2019年底，公司已連續(xù)36個(gè)季度實(shí)現(xiàn)盈利。

2019年華虹半導(dǎo)毛利率為30.3%，較2018年度下降3.1個(gè)百分點(diǎn)，主要由于產(chǎn)能利用率的下降、人工費(fèi)用、原材料單位成本及折舊成本的上升，部分被平均銷售價(jià)格上升所抵銷。華虹半導(dǎo)體表示，2019年度是本公司毛利率連續(xù)第五年保持在30%以上。

按區(qū)域劃分營(yíng)業(yè)收入，2019年中國(guó)區(qū)是華虹半導(dǎo)體營(yíng)收最大的市場(chǎng)，營(yíng)收占比58.5%，營(yíng)收同比增長(zhǎng)3.8%；相比中國(guó)區(qū)，其他區(qū)域營(yíng)收均有所下滑，其中北美區(qū)營(yíng)收下滑6.8%、亞洲其他區(qū)域營(yíng)收下滑2.3%、日本區(qū)營(yíng)收下滑8.0%。

按技術(shù)類型劃分營(yíng)業(yè)收入，2019年嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)、分立器件是華虹半導(dǎo)體的兩大營(yíng)收來源，營(yíng)收占比分別為37.5%、38.0%。華虹半導(dǎo)體表示，受惠于工業(yè)電子、消費(fèi)電子以及新能源汽車市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，公司的功率器件產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)14.2%。

具體到產(chǎn)品，智能卡方面90nm eFlash 2019年出貨量同比增長(zhǎng)78%；以95nm SONOS EEPROM技術(shù)為基礎(chǔ)的銀行卡產(chǎn)品在國(guó)產(chǎn)代替的市場(chǎng)上取得極大的成功，年出貨量近2億顆；嵌入式閃存MCU銷售額持續(xù)兩位數(shù)增長(zhǎng)；車用功率器件銷售額增長(zhǎng)率同比超過100%.。..。.

按終端市場(chǎng)劃分營(yíng)業(yè)收入，2019年華虹半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)收入中最大的是消費(fèi)電子市場(chǎng)，同比下降2.8%；來自工業(yè)和汽車電子市場(chǎng)的營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)13.0%，主要來自分立器件和國(guó)內(nèi)MCU等的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)；通信市場(chǎng)營(yíng)收基本持平；計(jì)算機(jī)市場(chǎng)營(yíng)收下滑10.9%。

產(chǎn)能方面，得益于華虹無錫12英寸晶圓廠新增產(chǎn)能及三座8英寸晶圓廠產(chǎn)能穩(wěn)步擴(kuò)增，2019年華虹半導(dǎo)體月產(chǎn)能由17.4萬片增至20.1萬片8英寸等值晶圓；付運(yùn)晶圓為197.4萬片8英寸等值晶圓，同比下降2.1%；由于華虹無錫新產(chǎn)能于第四季度加入，2019年度產(chǎn)能利用率為91.2%。

華虹無錫達(dá)成2019年度1萬片產(chǎn)能目標(biāo)

對(duì)于華虹半導(dǎo)體而言，2019年最關(guān)鍵的是華虹無錫12英寸晶圓廠正式生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，標(biāo)志著其“8+12”戰(zhàn)略進(jìn)入了實(shí)質(zhì)的發(fā)展與實(shí)施階段，2020年將繼續(xù)推動(dòng)該戰(zhàn)略快速有序發(fā)展

2019年9月，華虹無錫12英寸晶圓廠宣布建成投片。該項(xiàng)目總投資100億美元，一期投資25億美元，是聚焦特色工藝、覆蓋90~65納米工藝節(jié)點(diǎn)、規(guī)劃月產(chǎn)能約4萬片的12英寸集成電路生產(chǎn)線。

公告指出，隨著第二季度末廠房建成及設(shè)備搬入，華虹無錫65nm邏輯工藝在極短的時(shí)間內(nèi)成功完成前后段全線貫通并投產(chǎn)，并在第四季度貢獻(xiàn)營(yíng)收。同時(shí)，也完成了90nm嵌入式閃存的技術(shù)轉(zhuǎn)移，并于2019年底出貨。65納米eFlash平臺(tái)工藝與器件開發(fā)順利推進(jìn)，產(chǎn)品所需相關(guān)配套IP正在驗(yàn)證階段。

華虹半導(dǎo)體表示，2019年華虹無錫12英寸晶圓廠不負(fù)眾望達(dá)成了本年度1萬片產(chǎn)能的目標(biāo)。

展望2020年：12英寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)提速

展望2020年，華虹半導(dǎo)體表示，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將會(huì)迎來7%的年度增長(zhǎng)，全球Foundry產(chǎn)業(yè)也將走出寒冬、逐步回暖。由于近期新冠疫情的不確定影響，市場(chǎng)預(yù)測(cè)仍存在著諸多未知性。

但非?？隙ǖ氖?，隨著中國(guó)本土IC設(shè)計(jì)公司的逐步成熟，國(guó)家政策的持續(xù)支持，創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)型企業(yè)快速增加，國(guó)內(nèi)晶圓代工業(yè)必將長(zhǎng)期處于有利的成長(zhǎng)環(huán)境，并保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

差異化特色工藝將依然是華虹半導(dǎo)體2020年的關(guān)鍵詞。在8英寸平臺(tái)上，華虹半導(dǎo)體將通過縮小存儲(chǔ)面積、減少光罩層數(shù)等方式來進(jìn)一步強(qiáng)化嵌入式閃存技術(shù)工藝，來滿足高端MCU和下一代智能卡市場(chǎng)的需求。

12英寸平臺(tái)方面，12英寸IC + Power定位將成為業(yè)績(jī)成長(zhǎng)雙引擎。12英寸廠所具備的更窄線寬能力將為面向5G市場(chǎng)的新產(chǎn)品研發(fā)提供支持，例如65nm閃存、65nm RF-SOI、CMOS圖像傳感器和先進(jìn)NOR型閃存等。

華虹半導(dǎo)體表示，隨著市場(chǎng)向好，華虹半導(dǎo)體也加快了12英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度，預(yù)期能更快更好的掌握相關(guān)技術(shù)的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
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