與2018年的并購、建廠、擴產、投產相比，到目前為止，今年的存儲器領域并未出現大規模的并購建廠，而是更加注重技術的升級、以及新產品的研發。

國內企業方面長江存儲和合肥長鑫兩個重大項目的投產，無疑為其他存儲器企業增添了信心。

下面一起回顧一下2019年前9個月存儲產業領域發生的那些大事件。

（一）國內企業篇

紫光集團

正式進軍DRAM產業

6月30日，紫光集團正式宣布組建紫光集團事業群，為此紫光集團組建了DRAM事業群，由刁石京任事業群董事長，高啟全為事業群CEO。

眾所周知，紫光集團此前一直以NAND Flash為存儲器重點發展方向，如今，DRAM事業群的組建意味著紫光集團正式進軍DRAM領域。

隨后，紫光迅速布局，并于8月27日與重慶市政府簽署了合作協議，將在重慶建設DRAM總部研發中心、紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠等。其中紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。

長江存儲量產64層3D NAND閃存

紫光集團旗下長江存儲的64層3D NAND閃存芯片在第二屆中國國際智能產業博覽會上首次公開展出。

隨后，長江存儲在其官方微信正式宣布，已經量產64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

據了解，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品。而Xtacking架構是長江存儲于今年8月推出的全新3D NAND架構，通過此架構引入批量生產，可以顯著提升產品性能、縮短開發周期和生產制造周期。

長江存儲上海研發中心落戶張江

在2019世界人工智能大會期間，長江存儲上海研發中心落子上海集成電路設計產業園。

據張江高科報道，紫光長存（上海）集成電路有限公司（以下簡稱“紫光長存”）與張江高科簽約的長江存儲上海研發中心為自主研發存儲芯片項目，屬芯片領域卡脖子關鍵產品，預計研發投入每年不低于1億元。

國家企業信息公示系統顯示，紫光長存成立于2019年4月，注冊資本5000萬元，由長江存儲科技有限責任公司100%持股。主要從事集成電路及相關產品的設計、研發、銷售，并提供相關領域內的技術服務及技術咨詢，從事貨物及技術進出口業務。

合肥長鑫

長鑫存儲DRAM芯片宣布投產

9月20日，在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。

據了解，長鑫存儲內存芯片自主制造項目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目，一期設計產能每月12萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

據長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示，投產的8Gb DDR4已經通過多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付。

合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約

9月21日，在2019世界制造業大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約。

合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經濟示范區，占地面積約15.2平方公里，由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產業園和合肥空港國際小鎮三個片區組成。

其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元；空港集成電路配套產業園總投資超過200億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮總投資約500億元，規劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

制造基地全部建成后，預計可形成產值規模超2000億元，集聚上下游龍頭企業超200家，吸引各類人才超20萬人。

（二）國外企業篇

東 芝

一、與西數聯合投資北上K1工廠

今年5月，東芝存儲器和西數達成正式協議，共同投資東芝存儲器目前正在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠。

據了解，K1工廠將生產3D NAND Flash，以支持數據中心，智能手機和自動駕駛汽車等應用中不斷增長的存儲需求。

東芝存儲器表示，K1工廠的建設預計將在2019年秋季完成，而東芝存儲器和西部數據對K1工廠設備的聯合投資將從2020年開始實現96層3D NAND Flash的初始生產，預計產量更高的時間則在2020年晚些時候開始。

二、四日市工廠停電

6月15日，日本四日市市停電13分鐘，而東芝存儲器因為在該市擁有多個工廠也隨之備受關注。

東芝存儲器在四日市市運營5個晶圓廠（分別為NY2，Y3，Y4，Y5和Y6），盡管東芝存儲器正試圖將其生產基地擴展到巖手縣的北上市，但就目前而言，其NAND生產仍舊以四日市市為中心。

如今，幾個月過去，東芝存儲器早已恢復生產。

據悉，該事件也影響了西數和東芝存儲器共同運營的生產設備，西數表示，事件對晶圓和制造設備的損害將使西數的損失達到3.39億美元，同時也使其第三季度的NAND晶圓供應量減少約6 EB (exabytes)。

三、全球更名為Kioxia

7月18日，東芝存儲器宣布，將于2019年10月1日正式更名為Kioxia公司。全球所有東芝存儲器公司都會采用新的品牌名稱Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國）有限公司計劃將于2020年春天完成更名。

東芝存儲器稱，融合了“記憶”與“價值”的雙重含義，Kioxia代表了公司以“存儲”助力世界發展的使命，同時也是公司愿景的基石。

從1987年發明了NAND閃存，到近期又推出最新3D NAND BiCS FLASHTM，東芝存儲器推動了閃存NAND的技術發展。

東芝表示，Kioxia將開創新的存儲器時代，以應對日益增大的容量、高性能存儲和數據處理的需求。

8月30日，光寶宣布，將旗下固態儲存 (SSD) 事業部門分割讓予100%持股的子公司建興，然后再以股權出售方式，將固態儲存事業部轉讓予東芝存儲器。

其中出售的內容包括存貨、機器設備、員工團隊、技術與知識產權、客戶供應商關系等營業與資產，交易對價金額暫定為現金1.65億美元，而整起股權出售案預計2020年4月1日完成。

對于該收購案，集邦咨詢半導體研究中心 (DRAMeXchange) 認為，光寶旗下的固態存儲事業具效率與靈活度的優勢，東芝存儲器將有機會借著此次購并產生質的飛躍。

美 光

一、恢復向華為出貨部分芯片

今年5月，美國商務部將華為列入一項黑名單后，美國存儲芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之后，有外媒報道，美光執行長Sanjay Mehrotra表示，在評估美國對華為的禁售令之后，已經恢復部分芯片出貨。

美光確定，可以合法恢復一部分現有產品出貨，因為這些產品不受出口管理條例 (EAR) 和實體清單的限制。Mehrotra同時指出，因為華為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預測對華為出貨的產品數量或持續時間。

不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。

二、延遲日本廣島DRAM新廠投資計劃

據了解，美光位于日本廣島的DRAM工廠 (Fab 15) 采用的是最先進制程技術。其中，該廠最新的生產廠房B棟已于6月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴大了10%。

該廠原本預計在2020年的7月份完成興建，如今已經延遲到2021年的2月份，足足向后延遲了7個月的時間。

至于為何延遲投資？TrendForce集邦咨詢表示，全球貿易摩擦升溫恐致今年下半年需求急凍、不確定性氛圍提高，使得資料中心的資本支出放緩，預計在今年年底前，承壓能力差的DRAM供應商恐怕將認列賬面上現有庫存損失，財務報表正式轉為虧損狀況。所以，在這樣的市場氛圍下，美光對于先前規劃的投資計劃，不得不做出修正與調整。

三、新加坡閃存廠完成擴建

盡管美光在日本廣島的DRAM新廠投資計劃被延遲，但在NAND Flash工廠的擴建方面，美光有了最新進展。2019年8月14日，美光宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A的擴建！

擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進制程節點的技術轉型。另外，擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求調整資本支出，在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能將保持不變。

Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，并應用先進3D NAND制程技術，進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

SK海力士

一、停產部分NAND Flash產品

2019年第一季度，SK海力士財報表現不盡如人意，營收為6.77兆韓元，環比下滑32%，同比下滑22%；營業利潤為1.37兆韓元，環比下滑69%，同比下滑69%；凈利潤1.1兆韓元，環比下滑68%，同比下滑65%。

因此，SK海力士表示，為專注于改善收益，在NAND Flash部分，將停止生產成本較高的36層與48層3D NAND，同時提高72層產品的生產比重。

在DRAM領域，將逐漸擴大第一代10納米 (1X) 產量，并從下半年起，將主力產品更換為第二代10納米 (1Y) 產品。與此同時，為支援新款服務器芯片的高用量DRAM需求，將開始供給64GB模塊產品。

二、量產業界首款128層4D NAND芯片

6月26日，SK海力士宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。

在相同的4D平臺和工藝優化下，SK海力士在現有96層NAND的基礎上又增加了32層，使制造工藝總數減少了5%。與以往技術遷移相比，96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。

這款128層的1Tb NAND閃存芯片實現了業界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個NAND單元，每個單元在一個芯片上存儲3位。相較于此前的96層4D NAND，SK海力士新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產能提高40%。

三 星

推出1Z納米制程DRAM

在動態隨機存取存儲器 (DRAM) 制程陸續進入1X及1Y制程領域之后，三星電子于2019年3月21日宣布，開發第3代10納米等級 (1Z納米制程) 8GB高性能DRAM。

而這也是三星發展1Y納米制程DRAM之后，經歷16個月，再開發出更先進制程的DRAM產品。

隨著1Z納米制程產品問世，并成為業界最小的存儲器生產節點，三星的生產效率比以前1Y納米等版DDR4 DRAMUL4高20%以上。

三星指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預做準備。

量產全球首款12Gb LPDDR5 DRAM

今年年初，三星宣布開始量產大容量行動式DRAM——業界首款12GB LPDDR4X，而4個月之后，三星DRAM產品線再次增加新的成員。

7月18日，三星電子官方宣布量產全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機，優化其5G和AI功能。

采用第2代10納米等級制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達到5500Mbps，是現有LPDDR4X速率 (4266Mbps) 的1.3倍。三星表示，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生產之后，2020年將量產16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。

本文來自全球半導體觀察公眾號，作者：劉靜，本文作為轉載分享。