2019年全球半導體市況表現不佳，增速大幅下滑，成為當前業界最為關注的話題之一。而本輪下行周期的成因很大程度上又與存儲器市場有關。對此，美光科技高級副總裁兼移動產品事業部總經理拉杰·塔魯里接受了《中國電子報》的采訪，探討存儲器市場與技術發展趨勢。拉杰·塔魯里認為，雖然短期之內存儲器仍然處于弱市行情，但長期來看，人們對存儲需求將會持續增加，特別是2020年5G通信市場的爆發將帶動智能手機擺脫頹勢，進而拉升移動存儲需求。

5G和AI驅動存儲消費需求增長

存儲器價格下跌似乎成了今年半導體市場的主旋律。根據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）此前發布的數據，第二季度各類存儲器價格處于下跌走勢，除了移動式存儲器跌幅相對較緩，落在10%～20%的區間以外，標準型、服務器、消費性存儲器的跌幅都近三成。展望第三季度，由于終端需求仍然較弱，報價仍然持續看跌。持續的下行走勢使業界非常關注存儲器市場，其中又以移動存儲器為最，作為存儲器幾大系列中表現最好的應用之一，其后市如何發展？何時有望走出下行周期？

對此，拉杰·塔魯里在接受記者采訪時也承認，經過多年發展，全球智能手機市場總量增長趨于緩和。2017年至2018年的全球智能手機的出貨量出現小幅下跌，這拖累了全球移動存儲器的整體表現。但是，拉杰·塔魯里對于移動存儲器的長期走勢仍然樂觀。

“盡管智能手機的總量趨于飽和，但是每部手機加裝的DRAM和NAND容量卻是在不斷增加。根據我們的測算，未來幾年，無論DRAM還是NAND，在手機中的容量都將進一步增長。其中，DRAM平均增長率將達到15%~17%，NAND將達到25%~30%。”拉杰·塔魯里預測。

拉杰·塔魯里認為，5G和AI在智能手機各種各樣場景中的廣泛滲透和應用，是驅動消費者不斷尋求具有更大存儲容量智能手機的主要因素。“隨著5G和AI的發展，人們對智能手機的使用方式正在改變。比如，基于高速的5G傳輸AI技術，手機的攝像頭可以進行人臉識別，可以拍出更好的照片，這就需要高清晰的傳感器、攝像頭、高性能處理器、高帶寬的傳輸芯片，以及高容量的存儲器等。此外，我們預計2020年隨著5G商用的鋪開，AI應用的深入，智能手機銷量將會回升。這對改變移動存儲市場走勢具有巨大助力。” 拉杰·塔魯里說。

此外，拉杰·塔魯里還看好一些新興應用的發展前景。“除了智能手機之外，最大的應用就是自動駕駛。5G的發展將推動智慧城市等新興市場的發展，也會帶動存儲器的增長。至于VR/AR要想達到優良的用戶體驗，必須支持高清分辨，否則使用者會感覺頭暈，而要達到這樣的體驗，也需要更大的存儲器用量。”拉杰·塔魯里說。

美光科技將與中國伙伴緊密合作

中國是全球最大的集成電路市場，多年來一直超過全球份額的50%。因此，美光科技對于中國市場也非常重視。“我覺得中國的消費者對于汽車、手機等內存方面的需要是十分巨大的，因為他們有把線上的內容下載下來再觀看的觀影習慣，高清晰的手機攝像頭也需要大量的DRAM，以應對高分辨率的要求。” 拉杰·塔魯里表示。

在談到中國市場的特點時，拉杰·塔魯里表示：“在移動內存的需求上，中國消費者與世界其他地區的消費者并沒有太大區別。但是，中國消費者對5G、AI、VR/AR這些新技術、新應用的適應速度和接受速度更快。全球最先進的一些智能手機，會率先在中國上市，這使中國成為移動存儲發展最快的市場之一。”

基于此，美光科技十分重視與中國企業的合作。“我們在中國的市場策略就是跟整個中國的生態系統中的各種客戶都緊密合作，很多全球領先的智能手機企業，多為中國企業。在云服務方面，阿里巴巴、百度等企業都是我們的合作伙伴。在自動駕駛方面，我們也在和很多新興企業展開合作。” 拉杰·塔魯里說。

1γ節點之后可能嘗試采用EUV

存儲器是一個風高浪疾，競爭激烈的行業，不僅因為市場價格變動急劇，新一代技術的出現與應用也往往會對現有產業格局產生巨大影響。3D XPoint是美光科技重點布局的新一代存儲技術，旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲市場空白。

目前，美光科技的3D XPoint開發和商業化進程正在加速。根據拉杰·塔魯里的介紹，美光科技的3D Xpoint產品將于2019年年底推向市場。3D XPoint的讀寫速度比NAND更快，成本低于DRAM，且具有非易失性，有望在緩存應用中作為DRAM的有效替代品——使用3D XPoint技術實現緩存，可以以更低的成本達到接近DRAM緩存的性能。根據市場分析機構的預測，到2024年，3D XPoint有可能形成37億美元的市場規模。

存儲行業何時會采用EUV光刻工藝同樣是業界關注的重點。今年臺積電、三星等公司將在邏輯芯片生產中采用EUV量產7nm產品。但是，存儲芯片對于采用EUV并不如邏輯芯片那樣迫切。目前，DRAM主流的還在18nm工藝，其中18nm屬于1Xnm節點（16nm~19nm之間），后面的1Ynm則是14nm~16nm之間，1Z大概是12nm到14nm。再之后，還有1α及1β工藝。

拉杰·塔魯里認為，是否采用EUV考量的關鍵在于芯片生產的成本和效率。“我們現在使用的多重圖形曝光技術相比使用EUV在成本和效率上的優勢更加明顯。現在我們已經推進到1α節點，我們覺得做到1β、1γ節點，現有的多重圖形曝光技術在成本上都會更加有優勢。但是在1γ之后，我們有可能會嘗試采用EUV。我們會進行成本效率分析，如果證明成本效率更優就會考慮采用。當然，前期我們會投入了資金，進行相關工藝的探索和開發。”拉杰·塔魯里說。