受到智能手機發展停滯、服務器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要NAND Flash閃存制造商將會出現供過于求的情況。據中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，截止到2018年5月份NAND Flash綜合價格指數已累計下滑28%。

此前，三星和海力士等企業曾表示將進行擴產，但今年下半年閃存市場價格下滑以及隨時可能出現的產能過剩問題，三星目前已經削減了存儲芯片擴產計劃以阻止價格進一步下滑。

10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區舉行。

紫光集團董事長 趙偉國

官方稱，紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。

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無懼價格崩跌 紫光全力沖產能

目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經確立。根據中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發布的數據，截止至2018年8月27日，NAND Flash價格指數已累計下滑超過40%，NAND Flash每GB價格下探至0.13美元，基本回到了2016年漲價時期的價格水平。

根據統計機構DRAMeXchange統計數據顯示，由于3D NAND生產能力的增加，企業SSD市場明年競爭更加激烈，2019年NAND閃存芯片價格下降幅度將在25-30％左右。

眾所周知，大陸占全球總存儲的消耗量 50 ％且芯片自制率幾乎是零，全數仰賴美國、日本、韓國進口。這就意味著，中國存儲芯片迫切需要自力更生。盡管價格崩跌已成趨勢，但不能阻擋中國存儲芯片發展的決心。

在南京舉行的“中國芯片發展高峰論壇 China IC Summit ”上，紫光集團董事長趙偉國指出，中國已有第一支采用自己自主研發芯片所生產的U盤。

紫光位于武漢的 12 寸晶圓廠今年已投入32 層3D NAND 芯片生產，目前以月產能2000 片小量生產，該生產基地規劃三座大型 12 寸晶圓廠，合計單月產能上看 30 萬片。

不僅如此，2017年2月12日總投資300億元美元的紫光南京半導體產業基地正式宣布開工，該項目計劃將投入3D NAND 芯片生產。

日前，在成都存儲器制造基地開工儀式上，趙偉國表示紫光不僅要打破國際巨頭在芯片產業上的壟斷，更要提升中國芯片產業的整體水平，進而改變全球芯片的產業格局！

自此，紫光分別武漢、南京、成都擁有生產基地，三箭齊發全力擴充儲存芯片產能。

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產能過剩只是短暫現象

由于全球存儲芯片價格崩跌之勢已現，對于紫光在此時大動作進行擴產，也讓外界不禁擔心，紫光若啟動三大生產基地生產 3D NAND 芯片，會不會演變成長期產業供過于求的危機？

對于眼前 3D NAND 產能過剩，甫從華為離職加入紫光集團擔任執行副總裁的楚慶認為，這是短暫現象。因為現有的幾家半導體大廠包括三星、東芝都是同步發展 96 層技術，伴隨技術突破，一定會有不少產能增加，形成供過于求，但這些新產能很快就會被新增的需求吃掉。

雖然 3D NAND 技術不斷往上迭，從 32 層、 64 層迭到 96 層技術，是一年密度增長一倍的速度。但到了 128 層甚至 144 層，技術挑戰難度會越來越大，產品不會一直順利產出，就跟摩爾定律失效是一樣的原理。

楚慶表示，無論是從供給面或是技術面來看，未來 NANDFlash 產業前景都非常樂觀，今年旗艦級智能手機的存儲容量是 256GB ，明年會成長到 512GB ，消耗的存儲芯片越來越可觀。但3D NAND技術的發展也會遇到不小瓶頸，紫光要奮力追趕。

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存儲芯片一定要自主研發

紫光集團執行副總裁高啟全認為，中國發展存儲芯片不能再走授權代工的路，一定要技術自主開發，用到別人的專利就付錢，同時也累積自己手上的專利實力，如果最后真的無法成功，那也必須接受事實。

自主 DRAM 和 3D NAND 技術這條道路，中國才處于萌芽階段，但已可以感受到前方是荊棘密布。也正因為如此，有人開始質疑，為什么不走捷徑，干脆與國際大廠技術授權合作，既可以合法合規的生產芯片，又可免除接連不斷的司法威脅？

但醍醐灌頂與飲鴆止渴之間的差別有多大，其實就在于一念之間。根據多位具有豐富存儲器產業經驗的高層人士表示，大陸萬萬不可再像***一樣，走上拿技術授權、幫大廠代工的老路。

回顧*** DRAM 過去 20 年的產業發展歷程，講白了就是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工，到最后仍是無法擁有自己的技術，只換來“生產成本最低的 DRAM 廠”的稱號。但更讓人痛心的，是二十年心血一朝付諸東流的現實。

前車之鑒不遠，在存儲半導體這條路上，再怎么苦，也要堅持技術自主！

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“板凳要坐十年冷”的心理準備

紫光存儲事業未來面臨最大的挑戰是“市場關”。存儲器是一個高投入、高風險、高壁壘的戰場，當年三星為了發展內存芯片事業連續忍受13年的虧損，才最終實現盈利。這意味著，紫光發展存儲事業的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。

從當前市場競爭態勢來看，東芝與西部數據在2017年經歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之后，已于2017年12月13日達成和解，協議包括雙方延展合資關系至2029年，并確保西部數據在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部數據可以繼續參與96層以后3D NAND Flash的競爭。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7的興建計劃。

集邦咨詢半導體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND閃存領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發廠商。由于長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優勢。

“目前在主流存儲芯片產品領域，中國完全是空白，在長江存儲項目之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩腳跟，再有五年，應該有相當的成就，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰略耐力。”趙偉國說。

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三星制霸3D NAND市場

中國閃存市場總經理邰煒表示，目前3D NAND已經是各個原廠主要量產的產品，各主要廠商3D產能的占比方面，三星的3D NAND占總產能的85%、東芝及西部數據占75%、美光也達到了90%、SK Hynix則為60%。

根據 DRAMeXchange 數據，DRAM 市場主要三星、海力士、美光三家廠商占據，三星市占率約為 48%，三星+海力士+美光的市占率高達 90%以上。

今年7月份，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發布了首款LPDDR5內存芯片。可以說，三星在存儲領域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。

小結：

紫光是中國發展半導體業領頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方荊棘依然密布。對于紫光集團來說，現在正是全面發力存儲芯片的關鍵時期，當務之急是紫光能否走上自主研發之路和頂住市場壓力？