我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至大有替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術。

　　現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口，但是通用的SATA/SAS接口是針對HDD設計，但面對閃存速度上百倍的提升，接口的帶寬就成為了I/O的最大瓶頸；隨后PCIe接口的SSD也得到廣泛應用來應對高性能要求；美光也開始探索串行NOR閃存接口。

　　到目前為止，大部分存儲廠商都推出了對應的PCIe閃存卡（如 EMC XtremSF PCIe SSD卡 ）和磁盤。

　　PCIe-SSD架構解析

　　PCIe作為CPU的局部總線，最大的特點在于數據傳輸吞吐量大和延遲低。對于NandFlash固態存儲而言，傳統磁盤存儲領域存在的隨機讀寫問題將不復存在，因此，整個存儲系統的瓶頸從存儲介質轉移到了傳輸接口上來了。為存儲而生的SATA/SAS接口在SSD上的表現不是那么理想了，非常影響IO的傳輸延遲。為此，顯而易見，存儲接口應該從傳統的SATA/SAS往離CPU更近的系統總線PCIe或者DIMM方向發展。

　　大家其實很早就認識到了這一點，當年Fusion-io推出基于PCIe的閃存卡時，讓整個業界為此眼前一亮，原來閃存也可以這么玩？為此，Fusion-io在前幾年都一直非常的紅火。NandFlash本身不是一個新東西，基于NandFlash的存儲在電子設計領域，以及移動存儲領域早就開始應用了。但是，將NandFlash作為數據中心的存儲介質、在消費電子領域替代磁盤，也就發展了沒有多少年。作為磁盤存儲的第二選擇，很多芯片廠商提供了基于SATA、SAS接口的NandFlash控制器，例如Marvell、LSI都有類似的芯片。

　　但是，為了能夠充分利用NandFlash存儲介質的特性，SATA、SAS接口本身就是一個性能瓶頸點。這兩年基于PCIe接口的SSD存儲一直在蓬勃發展，由于整個行業處于軍閥混戰的年代，nvme標準還沒有充分的得到落實，所以，這方面的接口控制器也就五花八門，個具特色。

　　在市場早期，很多廠商為了能夠快速進入市場，利用現有技術很快構建出了PCIe接口的閃存卡。典型的產品如上圖所示，這是一款Oracle（SUN）的PCIe Flash卡，采用4個Marvell閃存控制器的SATA閃存模塊，通過LSISAS1068E控制器連接到PCIe總線上。這種結構將已經成熟的HBA控制器和基于SATA/SAS接口的NandFlash控制器技術結合了起來，具體如下所示：

　　從技術的角度來看，采用這種方案顯然引入了延遲，中間多了一層SATA/SAS接口的轉換。所以，這種卡的性能往往會比Fusion-IO的性能要差。原因在于Fusion-IO沒有采用這種簡單的技術堆疊，而是采用FPGA自己做了一個基于PCIe的NandFlash控制器。采用這種技術方案的結構如下圖所示：

　　上述方案最大的好處是降低了IO延遲，去除了無謂的SAS/SATA接口層，使NandFlash直接連到了PCI總線上。這種直接基于PCI總線的技術方案也被稱之為Native PCIe方案，并且已經成為各個廠商公認的未來閃存存儲的技術路線之一。所以，從芯片廠商的角度出發，急需需要研制基于PCI接口的閃存控制器，替代現有的接口轉換方式。

　　如今以Intel為首的Nvme標準如火如荼的推進，并且慢慢的被各大廠商接受。一旦Nvme標準大范圍的應用，基于該標準的控制器將會大量涌現，到那時，基于PCI總線的閃存存儲將會和現在的SATA/SAS存儲一樣，成為應用主流。有時候在想，Fusion-IO為什么當年沒有和Intel進行合作？或者為什么Fusion-IO沒有自己來推動閃存控制器的變革，讓更多的廠商一起加入到這個游戲圈中來？從短期來看，Fusion-IO的產品有很大的價值，但是，從長期來看，更大的價值在于控制器、基于Nandflash存儲軟件的標準化。Flash存儲的市場空間巨大，標準化會是大勢所趨。雖然Fusion-IO發展很早，但是，沒有趕上標準化的快車，因此，標準化的集團軍會對Fusion-IO進行圍剿，從而導致Fusion-IO發展困難。