兆易創新是國內的存儲器行業巨頭，一直以生產Nor Flash（代碼型閃存芯片）存儲器和MCU微控制單元為主。兆易創新與北京矽成的重組宣告終止后，決定牽手合肥產投，參與國產DRAM顆粒的研發工作。

　10月28日，北京兆易創新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創新”）與合肥市產業投資控股（集團）有限公司（以下簡稱“合肥產投”）簽署合作協議，雙方將在合肥市經濟技術開發區空港經濟示范區內開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）的研發，項目預算達180億元，兆易創新與合肥產投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創新負責籌集約36億元。

　　10月31日晚，兆易創新發布公告稱，擬籌劃重大事項。業界普遍認為，此舉或與上述180億元存儲器項目相關。而兆易創新向 記者表示，具體事宜暫不便透露，以后續公告為準。

　　Nor Flash市場突變

　　自今年初以來，全球Nor Flash市場供需結構變化巨大，一方面，一批老牌廠商相繼退出市場；另一方面， AMOLED屏幕、車載芯片與物聯網芯片的需求又在進一步擴大，作為為數不多的Nor Flash存儲器廠商，兆易創新在這一輪市場變化中獲利頗豐。

　　2017年1～9月，兆易創新實現營收15.17億元，同比增長44.69%；歸母凈利潤3.92億元，同比增長153.48%；其中第三季度實現營收5.78億元，同比增長47.01%，環比增長18.9%；歸母凈利潤1.6億元，同比增長192.51%，環比增長45.4%。

　　早在今年年初，兆易創新在Nor Flash存儲器的市場份額還只有16%，整體市場主要由美光科技（NASDAQ:MU）、賽普拉斯（NASDAQ:CY）和旺宏電子、華邦電子為主。由于Nor Flash芯片為AMOLED屏幕的關鍵組件之一，伴隨著AMOLED屏幕的大批量應用及國產OLED屏幕的正式量產，今年Nor Flash芯片的供給已經吃緊。然而今年2月，美光科技決定集中資源增產3D NAND Flash芯片，開始淡出Nor Flash市場；5月，另一家美系廠商賽普拉斯也決定將生產策略轉向車用及工業用規格市場，對中低容量的Nor Flash芯片開始逐步減產。兩家美系大廠全球份額超過四成，淡出生產后對市場的后續供貨影響深遠，大批訂單開始向臺系的旺宏電子、華邦電子及國產廠商兆易創新轉移。

　　市場格局突變，但廠商的增產計劃在明年上半年才可以見效。其中華邦電子宣布到今年底月產能由4.4萬片，增至4.8萬片，未來再增加到5.2萬～5.3萬片；而旺宏電子主要以調整制程結構為主，產能增加有限。另有消息稱兆易創新在6月便開始謀求擴產，然而受制于上游硅晶圓缺貨，中芯國際難以為兆易創新提供支持。這一情形在9月出現轉機。9月5日，兆易創新發布公告，擬與中芯國際簽署戰略合作協議，至 2018 年底之前向中芯國際購買至少12億元的原材料晶圓。

　　有消息稱，中芯國際承諾每月提供2.5萬片產能給兆易創新，為其代工生產Nor Flash存儲器，以目前全球Nor Flash存儲器每月產量約8.8萬片計算，增產的數量近三成之多，不僅可以大幅緩解當前市場的缺貨現象，也有助于兆易創新進一步擴大自身的市場占有率。記者曾向兆易創新核實此增產信息的真實性，但其工作人員表示，企業產能數據為商業機密，暫不便向外透露。

　　項目存不確定性

　　自去年年中開始，全球DRAM存儲顆粒一直處于供不應求的狀態，導致內存價格一路高漲。面對日益擴大的市場需求，兆易創新也力圖在DRAM內存顆粒業務上有所突破。

　　此前，業界就已傳出兆易創新將與合肥長鑫（合肥產投全資子公司）合作發展DRAM內存芯片業務的消息。10月28日，該消息得以確認，項目預算達180億元。

　　事實上，兆易創新謀求進軍DRAM產業的野心早已有之。記者注意到，早在今年4月，兆易創新曾準備增發約3128萬股以購買北京矽成半導體有限公司100%股權，以謀求在DRAM內存顆粒業務方面有所作為，當時雙方確定的交易價格為65億元。然而8月9日，兆易創新公告稱北京矽成主要供貨商認為雙方在重組后會成為其潛在的有力競爭對手，因此要求北京矽成補簽協議，約定重組完成后有權向北京矽成終止供應合同。隨后，兆易創新與北京矽成的重組宣告終止。

　　重組失敗兩個多月后，兆易創新決定牽手合肥產投，開始參與國產DRAM顆粒的研發工作，根據協議，雙方的目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率不低于10%。

　　目前國內主流存儲器芯片的參與者主要有三家，分別是國家集成電路產業投資基金和紫光集團共同投資的長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。長江存儲初期定位于3D NAND Flash芯片的生產，后期將進行DRAM產品的開發；而福建晉華與合肥長鑫則主攻DRAM內存顆粒，其中福建晉華與臺企聯華電子合作。根據三家企業的規劃，研發與投產均將2018年定為關鍵節點。如果屆時合肥長鑫試生產成功，考慮到當前全球內存行業處于高位狀態，作為合作方的兆易創新自然可以在經濟、技術方面取得可觀的收益。

　　但由于此前國內企業并無DRAM顆粒的研發、生產經驗，加之合肥長鑫直接將研發目標定在了當前最先進的19nm制程工藝，因此各方對DRAM項目能否成功依舊持觀望態勢。尤其在今年10月，有***媒體報道稱合肥長鑫及福建晉華試產DRAM顆粒失敗，良品率全部為0。盡管此消息并未得到上述廠家的證實，但也從側面反映出DRAM項目技術門檻高、研發難度大這一事實。

　　兆易創新在公告中提到，受人才引進、知識產權和設備進口等因素影響，合肥DRAM項目研發能否成功存在不確定性，即使研發成功后，產品良率能否提升、能否實現量產也存在較大不確定性。而且從研發成功至量產并形成銷售，也需要長達數年時間，對公司2018年及以后的財務狀況和經營業績的影響具有不確定性。