存儲器芯片作為各類智能終端產品不可缺少的元器件，一直掌握在三星、SK海力士、美光等巨頭手里，是我國集成電路產業鏈的主要短板之一。近年來，在我國大力發展半導體產業的背景下，實現存儲器芯片國產化已是大勢所趨。

　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　大力發展存儲器不僅是市場需求，同時也是信息安全和產業安全的戰略需要。存儲器國產化是芯片產業國產化邁出的重要一步，是中國政府在信息安全自主可控政策領域的實踐之一，作為信息技術的基礎產業，半導體集成電路持續受到國家政策的扶持，近期從國家層面到地方層面的政策及資本投資都是持續不斷的。

　　實現“零”突破

　　2016年年底，總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢光谷開工。該項目位于武漢東湖高新區未來科技城，將建設3座3D NAND Flash FAB廠房。項目一期計劃2018年建成投產；2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

　　據悉，國家存儲器基地項目將以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體。項目建成后，以此為龍頭將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，將為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。

　　紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受采訪時表示，國家存儲器基地動工建設，標志著中國存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，這是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”新模式的成功探索。未來，這里將建起“航母級芯片工廠”。

　　機遇與挑戰

　　三大挑戰

　　存儲器進入壁壘高：傳統的DRAM，NAND Flash，NOR Flash已經是一個高度壟斷的市場，而且資金、技術門檻極高，三、四家龍頭公司霸占了全球90%以上的市場，這樣的市場進入壁壘極高。

　　存儲器技術進步快，追趕壓力大：存儲器技術按照摩爾定律發展，每1~2年技術進步一代，三星、美光等領頭羊的量產技術不斷進步，大陸在技術、人才非常落后的情況下追趕的難度可想而知。

　　海外技術封鎖：半導體技術是信息技術的核心，是美日等國對中國大陸技術封鎖的主要領域，大陸企業在需求海外收購和技術合作方面存在困難。紫光集團通過收購美光等海外企業或與海外企業合作開發存儲技術的努力迄今未取得很大的進展（不排除后續取得較大突破的可能性）。

　　三大機遇

　　發展存儲器產業的堅定決心：無論是從信息安全，還是芯片國產化的角度，大力發展存儲器產業已經成為共識。

　　存儲器產業迎來變革，提供彎道超車機會：傳統2D結構的DRAM和Flash技術在成本、性能等方面存在不足。3D NAND已經量產，3D DRAM、PCM，3D XPoint，RRAM，MRAM等各類新存儲器技術日益成熟，有望取代傳統DRAM和Flash 成為主流的半導體存儲器。

　　新型存儲器領域的差距小，有望打破行業壟斷局面：最近10多年來，大陸的高校、研究所、企業等機構在PCRAM、RRAM、3D NAND等新型存儲器領域不斷取得進步，與全球頂尖機構的差距較小，有望成為彎道超車的突破口。

　　國產存儲器要實現量產還需時日，但是當前的產業政策支持和各地產學研的不斷努力，在DRAM和NAND Flash領域周期調整之際是我們加入的好時機，加之現在互聯網技術的發展和云端技術的不斷成熟，假以時日，我國的存儲器也會在國際上有一席之地。