回顧存儲器的創新和發展歷程

自電子革命以來，半導體存儲器發揮了不可或缺的作用。從廣義上講，存儲器分為斷電后仍能保存信息的非易失性存儲器，和斷電后信息將丟失的易失性存儲器。在羅徹斯特電子半導體存儲器系列主題的第一篇文章中，我們將回顧非易失性存儲器的起源。

首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。

最初，有兩種EPROM：一次性可編程版本和使用紫外線(UV)擦除內存內容的版本。UV可擦除版本特別適合在原型和開發設計階段進行設計修改。

第一款實用且量產的容量只有256字節，以今天的標準來看簡直小得驚人。很快，其它知名供應商也開始銷售此類產品，如AMD、英特爾、富士通、日立、Macronix、Atmel和德州儀器。

這些競爭供應商在內存容量、低電壓操作和封裝選項方面取得了進步。

由于需要專用設備，EPROM的主要挑戰之一是使用紫外線重新編程帶來的不便。隨著EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）的問世，解決了這個問題，該產品使得重新編程變得更快、更可靠并且可以直接在板上完成。這項技術最初由Solid State Devices于1972 年制造，后來由Hughes Aircraft、Fairchild和 Siemens等在內的一系列公司進一步開發。存儲器的持續完善帶來了更高容量、更低的操作和編程電壓，以及更塊的速度選項。另一個值得注意的變化是從8位并行接口轉向串行接口，例如I2C和SPI。這伴隨著半導體幾何尺寸的縮小，允許遷移到更小尺寸的封裝中。

三十年后，EPROM和EEPROM仍在眾多設計中使用。盡管半導體產業格局不斷演進，但Microchip（Atmel）、onsemi（Catalyst）、Renesas、Rohm和 ST Micro等制造商的相關生產仍在繼續。羅徹斯特電子可持續提供相關EPROM產品，覆蓋停產元器件和未停產器件，還可提供AM27C256、AM27C512和AM27C010等新產品。

在非易失性存儲器領域，隨著閃存的推出，競爭也隨之而來。閃存于1980年由東芝發明，可以電擦除和重新編程存儲器，開創了在線重新編程的概念。如今，在線重編程早已成為制造過程的一部分，這樣就能夠在量產時對存儲器內容進行更改。在此之前，許多產品都是提前數周從供應商和分銷商處訂購預編程的，這會在需要更改時產生問題。

這項改進提高了生產線的自動化水平，提高了生產靈活性并降低了成本，有利于大規模代工服務。

再后來，閃存演變為兩種不同的技術。原始的NOR flash技術可以輕松訪問所有內存位置且可靠性高；而NAND flash技術則兼顧了更高容量和更低成本，但代價是不允許內存訪問單個位置并需要管理內存單元。

每種技術都具有獨特的優勢，并且針對每種技術都開發了相應的市場應用程序。NOR Flash是存儲代碼和關鍵數據的理想選擇；而NAND Flash在大容量數據存儲方面表現出色，使其現在在某些應用中取代了硬盤驅動器。目前活躍在閃存市場的一些供應商如兆易創新、英飛凌、ISSI和Macronix。

羅徹斯特電子能夠為閃存提供持續供貨支持。基于與Infineon的合作，羅徹斯特電子能夠為Cypress和Spansion的Nor flash系列產品提供長期支持。所銷售的產品100%獲東芝的授權，可追溯，有保證。

編輯：黃飛

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