中國存儲器發展已然爆發，下一階段將是進一步完善頂層設計，助力產業持續發展。2016年是“十三五”的開局之年，隨著第一階段目標的順利完成，《推進綱要》的實施工作也正式開啟了第二階段的序幕。4月19日召開的“網絡安全和信息化座談會”上，特別突出了信息技術對國民經濟發展的巨大促進作用，并從基礎技術、通用技術，非對稱技術、“殺手锏”技術，前沿技術、顛覆性技術等三個方面對核心信息技術發展進行了部署，對新時期集成電路產業發展提出更高的要求。

　　隨著《中國制造2025》、“互聯網+”行動指導意見等一系列國家戰略的持續深入實施，中國集成電路產業將繼續保持平穩快速的發展態勢。預計全年產業銷售額將超過4300億元，同比增速約20%。與此同時，從產業結構來看，芯片設計業比重將進一步提升至約40%，可以為下游芯片制造和封裝測試環節帶來大量訂單，有效推動產業鏈的協同發展。

　　同時，存儲器產品布局有望全面鋪開。今年以來，武漢，深圳、合肥、泉州等多地擬布局或開工建設存儲器芯片生產線。全球存儲器業自1999年始，歷經六次大的兼并與退出，廠家數量越來越少，至今為止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲芯片領域很久沒有“新進者”出現了。中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進綱要》第一階段實施工作已取得顯著成果，也預示著下一輪全球存儲器發展的中心將逐步向中國轉移。

　　另外，中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。自2015年以來，全球半導體產業兼并重組、資本并購頻發，全年并購總金額超過1200億美元，中國企業（或者資本）也積極參與到這一進程之中。美國外商投資委員會（CFIUS）一份報告指出，近三年中資并購案居美國國安審查首位，約占總數近1/5。中國如此大規模的并購行為也引發了各國高度警戒，紛紛采取防止關鍵技術外流的措施。CFIUS近一年來以威脅美國國家安全為由，封殺了多起中資參與的并購案，當前，中國集成電路產業正處于快速上升期，國際并購是支撐這一階段發展的有效途徑，但由于操作層面經驗不足，在一定程度上引起了國際產業界的抵觸情緒。