隨著5G時代的逐漸逼近，物聯網的快速發展促進著存儲器需求的持續增長。數據表明，中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。中國存儲市場發展潛力巨大，各芯片制造商也在抓住存儲器市場商機，積極布局，促進國產芯片的不斷發展。

然而盡管成長空間巨大，我國存儲器市場卻一直面臨著一個尷尬的局面——進口依賴大。回歸到現實，中國發展存儲產業并不容易，由于技術門檻高、投資規模巨大、高端人才稀缺，作為尖端產業，中國存儲器企業與世界巨頭相比還有相當大的差距，舉步艱難。

上下求索 發展中的存儲器產業

2018年8月初，長江存儲在2018全球頂級閃存峰會（FMS）上公開發布Xtacking?技術。該技術將為三維閃存提供更高的讀寫性能和更高的存儲密度，同時縮短產品研發周期。此消息一出，不僅意味著長江存儲向存儲芯片第一陣營出擊的信號槍已經打響，更是實現了國產存儲芯片量產“零”的突破。

目前，長江存儲已成功將Xtacking ?技術應用于其第二代三維閃存（3D NAND）產品的開發，預計2019年實現量產。

據紫光集團計劃，長江存儲將在2018年底量產32層64G的3D NAND存儲器，64層128G的3D NAND存儲器將在2019年量產，并同步研發128層256G 3D NAND。

作為國內存儲器芯片生產巨頭之一，合肥長鑫的進展可謂是如火如荼，7月16日，合肥長鑫發布首個中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國產DRAM產業的一個里程碑，采用19納米工藝。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12吋晶圓廠，建成后月產能為12.5萬片晶圓。據悉，項目投產后預計將占據世界DRAM市場約8%的份額，填補國內DRAM市場的空白。

此外，合肥長鑫前任CEO王寧國于2018年4月在出席活動時曾表示，合肥長鑫DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底將啟動生產8Gb DDR4工程樣品；2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月；2020年開始規劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發。

而隨著兆易創新原董事長朱一明接棒王寧國，上任合肥長鑫存儲及睿力CEO后，這時間節點是否或發生變化，還未可知。

而在此前狀告美光侵權的福建晉華（JHICC），在存儲器芯片領域動作也不甘示弱。

晉華與***地區聯華電子開展技術合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領域。預估2018年9月正式投產，到2019年底一廠一期項目可實現月產6萬片12吋晶圓的產能，到2020年底一廠二期也將達產6萬片。并適時啟動二廠的建設，到二廠達產時，總產能將達24萬片。

晉華此前曾表示，希望在2018年底前，將晉華和聯華電子共同開發的第一代內存生產工藝投入使用。

受主要國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。

根據最新的一份SEMI“中國IC生態系統報告”（The China IC Ecosystem Report）指出，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16％；到2020年，這一份額將增加到20％。

道阻且長 存儲器進口依賴大

盡管我國存儲器產業在不斷發展，但自主開發的存儲芯片市場份額卻所占無幾。據最新數據顯示，2017年中國存儲芯片進口總額中，韓國產芯片的進口規模達463.48億美元，同比大增51.3%，在總進口中占52.3%。2018年第一季度，中國存儲芯片進口額達146.72億美元，同比猛增75.4%。

更嚴峻的是，國內存儲業者還面臨著前有狼后有虎的局面。

據悉，韓國SK海力士在韓國清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。隨著M15工廠的建成，SK海力士將加速大規模生產第五代96層3D NAND閃存。

此外，9月3日SK海力士中國銷售總部正式落戶無錫高新區。SK海力士布局中國市場動作頻頻。

無獨有偶，三星電子7月份也已開始批量生產96層3D NAND閃存，而東芝和美光計劃也將效仿。

不過，隨著國內政府對半導體產業發展的支持，以及行業競爭力的提升，我國在半導體領域的差距有可能也在逐漸縮小，未來國產芯是否能真正做到自給，值得期待。半導體資深觀察家莫大康即分析指出，較為樂觀的估計，中國能用5年左右時間，達到全球市場(2018年存儲器業產值預測可達1,500億美元)占比的3% - 5%，也即DRAM與NAND的累加產值能達到近50億美元，表明中國存儲器業的突圍取得了初步的成功。