很久以前，在Andy Grove主導Intel的時代，Intel的DRAM業務因日本DRAM（如NEC，之后成為Elpida）的大舉進攻而虧損，最后被迫關閉該業務，全心轉型、聚焦發展CPU。

　　但 DRAM與PC息息相關，如果DRAM過慢，CPU快也沒用，整體PC效能還是慢，若DRAM漲價，PC廠也讓新出廠的PC少配置一點DRAM，DRAM 少的結果，為了讓PC整體效能批配，也會減少購買較高效能的CPU，Intel的收益也會減少。所以，Intel曾入股Micron，期望有些DRAM產供上的調控影響，以確保高階CPU的銷售。

　　雖然關閉自身DRAM業務，但Intel對RAM的規格標準走向仍具高影響性，為了讓RAM 快，Intel運用其PC晶片組高市占率，使PC從FPM RAM升級成EDO RAM，進一步升級成繪圖工作站用的SDRAM（成為主流大宗，隨后成為DDR/DDR2/DDR3/DDR4等），但之后引領進入RDRAM失敗，更之后引進FB-DIMM也失敗，Intel失去對RAM的影響力。

　　過去Intel能引領RAM走向，在于多數生產出的RAM都用于 PC，Intel對PC具有掌控權，但后期的RAM越來越多用于繪圖卡、行動裝置，衍生出GDDR SDRAM、Mobile DRAM，加上JEDEC組織逐漸健全壯大，單一業者已難影響RAM走向，需要JEDEC成員的共識。

　　Intel仍在PC、伺服器領域有高市占率，在FB-DIMM失敗后，近年來轉擁抱Micron提出的HMC（Hybrid Memory Cube），目前在高效能運算上似有初步成效，若可行將逐步推展至一般伺服器。

　　RAM的價格、效能會影響PC整體效能，但硬碟也會，Intel無法影響硬碟供應鏈，但也看出隨時帶演變，用NAND Flash取代硬碟的趨勢日增，因而投入SSD業務。

　　NAND Flash屬非揮發性記憶體，斷電后資料仍能記憶，過去Intel發明過EPROM，且曾是Intel的搖錢樹業務，但隨著EEPROM、Flash的出現EPROM已絕跡，而NAND Flash為產業主流趨勢確立后，于2008年把自家的NOR Flash業務轉手給Numonyx，事實上在更早的2006年，Intel就與Micron合作，合資成立IM Flash以進入NAND Flash市場，在當時已屬晚進入，NAND Flash的主導業者為Toshiba、Samsung、SanDisk等。

　　Intel也曾在2005年提出Rubson技術、2006年提出ONFI介面，試圖左右NAND Flash的發展，或至少左右在PC上運用NAND Flash的方式，但都不如預期，Intel自身也發展相變記憶體（Phase-Change Memory， PCM），期望PCM取代硬碟、NAND Flash，有助提升整體PC效能，但PCM一直無法商業化。

　　到了2015年7月，Intel與Micron共同發表3D XPoint記憶體，宣稱是自1989年NAND Flash提出以來，再一次的非揮發性記憶體的技術變革，目標依然在超越現有Toshiba、Samsung主導的NAND Flash。

　　對于3D XPoint，目前看法相當分歧，多數人認為它最終會跟PCM一樣無法商業化，也有人認為這真的是過往未曾有過的新架構，也有人說它只是舊瓶裝新酒，是另一種作法的ReRAM（可變電阻式記憶體）等。

　　Intel 仍試圖進入或左右RAM、ROM，但動機不再是同步拉升PC效能以確保高階CPU銷售，Intel位居半導體產業第一位，過去的第二位曾有 Motorola、NEC等，但盤據第二位最久的勁敵為Samsung，Samsung多年前即想進入處理器市場，2002年曾代工生產Alpha晶片，可惜Alpha電腦系統式微，Samsung是從iPhone處理器代工開始站穩腳步（更之前是以大優惠方式供應NAND Flash而打入Apple供應鏈），所以Intel對RAM、ROM技術與業務的看法，也帶有競爭回擊意味。

　　除了與Samsung競爭外，Intel另一個必須掌握RAM、ROM的理由，在于PC逐漸式微，Intel與過往被Intel擊敗的CPU廠商一樣（VIA/IDT /Cyrix、AMD等），試圖讓CPU在嵌入式市場有所發展，以維持銷售，甚至以新興的穿戴式、物聯網概念為名來轉向。

　　另外，Intel也想發展晶圓代工，與臺積電爭搶生意，也在進入嵌入式市場后發現FPGA應用越來越重要，想進入FPGA領域（另一則是FPGA在臺積電的產能占比中越來越高），因而為Altera代工生產FPGA，更之后購并Altera（2015年6月），然此已屬另一話題。