2015年7月22日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日推出了兩個全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——低功耗SRAM領域的領先產品，能夠為工廠自動化（FA）、工業設備、智能電網等應用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110納米制造工藝，融合了創新的存儲單元技術，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間。

　　近來，業內對用戶系統安全性和可靠性的要求日漸提高，而SRAM作為存儲系統程序和財務交易數據等重要信息的載體，必須具備高水平的可靠性。因此，如何減少因阿爾法輻射和宇宙中子輻射造成的軟失效（注釋1）成為了一項重點課題。通常情況下，解決這一問題的處理方式是在SRAM或用戶系統中加入內部糾錯（ECC）電路。但ECC電路的糾錯能力具有一定的局限性，例如：可能無法同時糾正多個位元的錯誤。

　　瑞薩的超LP SRAM的存儲器單元采用其獨有技術，抗軟失效能力（注釋2）是傳統全CMOS型存儲單元（注釋3）的500多倍，使其成為了對可靠性具有高要求的應用領域的理想之選，包括工廠自動化、測量設備、智能電網相關設備、工業設備以及消費電子設備、辦公設備和通訊設備等諸多其他應用領域。

　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：

　　· （1） 采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術，大幅提升了抗軟失效能力，實現了更良好的可靠性

　　在瑞薩超LP SRAM的結構方面，存儲單元中的每個存儲節點（注釋5）都結合了堆疊電容（注釋4）技術，從根本上預防了軟失效的出現（注釋6）。此外，每個SRAM單元的負載晶體管（P溝道）為多晶硅薄膜晶體管（TFT）（注釋7），堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管，這樣可確保存儲區內不形成寄生晶閘管，并從理論上杜絕閂鎖效應（注釋8）。因此，對于需要嚴格保證高水平可靠性的應用環境（如：工廠自動化、測量設備、智能電網相關設備、交通系統、工業設備等）而言，超LP SRAM可謂理想之選。

　　· （2） 待機電流比上一代產品降低了50%以上，有助于延長備用電池使用壽命

　　全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb產品的待機電流僅為0.5 μA（典型值），32 Mb產品（注釋9）的待機電流僅為1 μA（典型值）。新產品的電流消耗水平比瑞薩先前推出的同類SRAM產品（注釋10）降低了50%以上，有效延長了備用電池的使用壽命。保存數據時的最低電源電壓為1.5 V，低于先前瑞薩同類產品的2.0 V。

　　· （3） 封裝選項

　　16 Mb RMLV1616A系列提供三個封裝選項：48球FBGA、48管腳TSOP（I）及52管腳μTSOP （II），客戶可根據自身的應用需求來選擇最適合的封裝方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引腳的FBGA封裝。

　　有關全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要規格，請參見單獨的說明頁（PDF： 85 KB）。

　　定價和供貨

　　RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的樣品將于9月發布，定價根據存儲容量而有所不同。例如，16 Mb RMLV1616A系列的單價為16.5美元，32 Mb RMWV3216A系列的單價為31美元。上述兩個系列的量產預計將于2015年10月啟動。采用110納米工藝的4 Mb和8 Mb超LP SRAM產品已經開始量產。