STMicroelectronics M95P16超低功耗16Mb SPI頁面EEPROM基于非易失性存儲器（NVMe）技術。該EEPROM具有字節靈活性、頁面可更改、高頁面循環性能和超低功耗，相當于EEPROM技術。M95P16 EEPROM組織為4096可編程頁，每頁512字節，通過SPI總線訪問，具有高性能雙通道和四通道SPI輸出。該EEPROM具有超低功耗、ECC（實現高內存可靠性（DEC、TED））、電子標識以及施密特觸發器輸入（用于噪聲濾波）。M95P16 EEPROM支持高達80MHz時鐘頻率，電源電壓范圍為1.6V至3.6V，符合ECOPACK2（RoHS指令），不含鹵素。

數據手冊：*附件：STMicroelectronics M95P16超低功耗16MB SPI頁面EEPROM數據手冊.pdf

M95P16 EEPROM提供兩個額外（標識）512字節頁面。第一個包含標識數據，應要求可提供UID。第二種可以存儲敏感的應用參數，這些參數以后可以永久鎖在只讀模式下。該EEPROM接受頁面/塊/扇區/芯片擦除命令，將內存設置為擦除狀態。

特性

• ECC，實現高內存可靠性（DEC、TED）
• 用于噪聲過濾的施密特觸發器輸入
• 輸出緩沖器可編程強度
• ISO26262工作狀態標志
• 軟件重置
• 按塊寫入保護，頂部/底部選項
• 應要求提供唯一ID
• 電子標識
• 支持串行閃存可發現參數 (SFDP) 模式
• JEDEC標準制造商標識
• 封裝：
  • ECOPACK2（符合RoHS指令）和無鹵素封裝：
    • DFN8 2毫米x3毫米
    • SO8N
    • WLCSP8

框圖

M95P16：超低功耗16MB SPI頁面EEPROM，為高可靠性嵌入式系統而生

產品概述

M95P16是一款16Mbit（2MB） 的SPI接口EEPROM，具備頁面寫入能力，支持 單線、雙線和四線輸出模式 。其工作電壓范圍廣泛（ 1.6V至3.6V ），適用于從電池供電設備到工業控制系統的多種應用場景。

該器件提供兩種溫度范圍版本：

• M95P16-I ：工業級，-40°C 至 +85°C
• M95P16-E ：擴展級，-40°C 至 +105°C

核心特性

1. 超低功耗設計

• 深度掉電模式下僅消耗0.6 μA（典型值）
• 待機電流低至16 μA
• 讀取電流在10 MHz下僅為800 μA
• 寫入電流峰值控制在3 mA以內

2. 高性能寫入與擦除

• 頁面寫入（512字節） 僅需2.0 ms（包括自動擦除與編程）
• 頁面編程僅1.2 ms
• 支持頁、扇區、塊和整片擦除操作
• 提供 緩沖區加載模式 ，可隱藏SPI通信延遲

3. 高可靠性

• 寫入壽命 ：全溫度范圍內可達50萬次
• 數據保存期限 ：100年（10年@50萬次寫入后）
• 內置 ECC（錯誤校正碼） ，支持雙位糾錯、三位檢錯
• 提供多種軟硬件寫保護機制

4. 靈活的存儲結構

• 組織為：
  • 4096頁 ，每頁512字節
  • 512個扇區 ，每扇區4 KB
  • 32個塊 ，每塊64 KB
• 提供 兩個獨立的識別頁 ，可用于存儲設備ID或關鍵參數

5. 多種封裝選項

• SO8N （4.9 x 6.0 mm）
• UFDFPN8 （2 x 3 mm）
• WLCSP8 （1.363 x 1.809 mm）

典型應用場景

• 物聯網設備 ：如傳感器節點、穿戴設備
• 工業控制系統 ：PLC、電機驅動、數據日志
• 汽車電子 ：符合ISO26262功能安全要求
• 消費電子 ：智能家居、打印機、攝像頭模組

指令集與通信接口

M95P16支持完整的SPI指令集，包括：

• 讀取（READ、FREAD、FOREAD、FQREAD）
• 寫入與編程（PGWR、PGPR）
• 擦除（PGER、SCER、BKER、CHER）
• 狀態與配置寄存器訪問（RDSR、WRSR、RDCR、WRVR）
• 識別頁讀寫（RDID、WRID）
• 深度掉電與控制（DPD、RDPD、RESET）

其SPI接口支持**Mode 0（CPOL=0, CPHA=0）** 和 **Mode 3（CPOL=1, CPHA=1）** ，最高時鐘頻率可達 **80 MHz** （四線模式）。