IBM 最近展示了如何將相變存儲裝置（PCM）整合到固態存儲階層架構（hierarchy），并展示了第一款采用 PCIe 介面的相變存儲裝置儲存系統主機板原型；在下一代主流存儲技術爭霸戰中，相變存儲裝置似乎已經占據優勢。

　　在一場于2014年非揮發性存儲研討會（2014 Non-Volatile Memory Workshop）的簡報中，IBM介紹了相變存儲裝置儲存系統架構，并以快閃存儲固態硬碟（SSD）做為比較；在各方面的比較上，相變存儲裝置都略勝快閃存儲一籌。此外該公司提出了一款伺服器系統設計，以結合快閃存儲陣列與相變存儲裝置陣列的存儲階層架構來取代硬盤（HDD）。

　　「我們是以快閃存儲固態硬碟與相變存儲裝置PCIe儲存卡，在兩種裝置的系統層級進行比較；」IBM儲存系統研究小組成員Ioannis Koltsidas表示，該公司所合作的希臘帕特雷大學（University of Patras），以古希臘神話中的英雄特修斯（Theseus）來為相變存儲裝置儲存卡命名。

　　而研究人員是拿相變存儲裝置PCIe儲存卡與兩款快閃存儲固態硬碟──包括一款企業級產品與一款消費性產品──進行比較，發現兩款固態硬碟的存取時間，分別是相變存儲裝置儲存卡的12倍與275倍。

　　IBM儲存系統研究小組成員Ioannis Koltsidas展示相變化儲存系統電路板原型

　　雖然相變存儲裝置晶片在 2012年左右就已經問世，但實際布署的案例非常少，也聽到業界出現少數對其可靠性的抱怨；無論如何，IBM顯然十分看好相變存儲裝置前景，但人們可能也會認為，相變存儲裝置需要先解決一些技術上的問題。

　　相變存儲裝置的最大優勢在于存取速度高于快閃存儲，但仍稍遜于DRAM；此外相變存儲裝置也擁有非揮發性。而相變存儲裝置的正常輸入/輸出（I/O）吞吐量，在硬盤的每秒I/O運作效率降低時可維持上升，有機會取代目前快閃存儲所扮演的角色。

　　快閃存儲正面臨擴充性（scalability）的問題，重復寫入次數最多約為1萬次；相變存儲裝置的可擴充性則不斷提升，重復讀寫次數可高達1，000萬次──而若是透過前向糾錯（forward error correction）技術，甚至可將重復讀寫次數提升到10兆（trillion）次。

　　IBM表示，相變存儲裝置（藍色部分）能整合至大多數伺服器與儲存系統的存儲階層中

　　相變存儲裝置是采用在兩個電極之間夾著硫化物合金（chalcogenidic alloy）的三明治結構，高電流會將硫化物合金轉為非晶（amorphous）型態（代表0），而中電流則會將之轉換為結晶型態（代表1），低電流則允許其狀態被讀取。其0與1的程式化時間分別為70奈秒（nanosecond）與120奈秒；IBM所測試的儲存系統之相變存儲裝置采用90奈米制程，時脈頻率66MHz。