所選的并行nvSRAM擁有業界最佳速度、可靠性和低工作電壓，

　　有助于實現更高性能的存儲

　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM）。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評。

　　LSI近期發布的LSI? SAS 9300 HBA系列產品是業界首款用于高性能服務器、工作站和外部存儲系統的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產品可加快存儲速度，專為諸如交易數據庫、Web 2.0、數據挖掘、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應用而設計。

　　賽普拉斯并行nvSRAM的存取時間可快至25ns， 是市場上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢復和20年的數據保存能力，對于需要連續高速數據寫入和絕對非易失性數據安全且無需備用電池的應用，這一產品是非常理想的選擇。

　　LSI高級市場總監Robin Wagner說：“隨著數據中心對存儲量管理要求的不斷提升，對12Gb/s SAS的需求隨之增長。我們曾成功地運用過廣受媒體贊譽的nvSRAM，完全能滿足我們LSI 9300系列產品的嚴苛要求。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓，從而簡化了產品設計流程，加速我們產品的上市進程。”

　　賽普拉斯非易失性產品事業部高級總監Rainer Hoehler說：“我們很高興存儲界的領先者LSI采用我們的并行nvSRAM產品。這一產品應用于業界首款12Gb/s解決方案，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性。”

　　并行nvSRAM系列產品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇，并可工作在工業溫度范圍內，擁有業界標準的封裝方式，如32-SOIC， 44-TSOPII， 48-SSOP， 48-FBGA 及 54-TSOPII等。

　　賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器制造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用，例如RAID系統、PLC、工業數據日志、計算和網絡系統、汽車發動機、服務器和交換機、航空電子、軍用系統，以及游戲系統等。

　　賽普拉斯是SONOS制造工藝的領先者，其旗艦產品PSoC?混合信號陣列、可編程時鐘及其他產品均采用這一工藝制造。SONOS與標準的CMOS技術兼容，還具有多種優勢，例如長壽命、低功耗和抗輻射。SONOS技術在賽普拉斯自己的工廠和多個合作伙伴的工廠中同時采用。與其他基于磁技術的非易失性存儲技術相比，這一工藝在規模和可制造性方面擁有顯著的優勢。賽普拉斯已發運了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產品。

　　關于賽普拉斯nvSRAM

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產品，提供快速非易失性數據存儲能力。當發生斷電的時候，數據可自動從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網絡、工業、計算和RAID應用中，nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數據的完整性。