根據(jù)存儲(chǔ)元件的性能及使用方法不同,存儲(chǔ)器有各種不同的分類(lèi)方法。常見(jiàn)的分類(lèi)方法如下:
按存儲(chǔ)方式分類(lèi):
1 、隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM):任何存儲(chǔ)元件的內(nèi)容都能讀取。
2 、只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是一直都不會(huì)發(fā)生變化的。
3、順序存儲(chǔ)器:只能按某種順序來(lái)讀取內(nèi)容。
按用途劃分為:
1、內(nèi)儲(chǔ)存器:儲(chǔ)存容量小,但速度很快。
2、外儲(chǔ)存器:儲(chǔ)存容量大,但速度慢。
按信息保存性分類(lèi):
1、永久性記憶存儲(chǔ)器:斷電后還能保存信息的存儲(chǔ)器。
2、非永久性記憶存儲(chǔ)器:斷電后信息立馬消失。
本文綜合整理自黑極君、KimYan、行在月夜21f28、板湘君0K
責(zé)任編輯:lq6
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7739瀏覽量
171674 -
ROM
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
579瀏覽量
89075 -
RAM
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
1399瀏覽量
120564
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
FIFO存儲(chǔ)器的種類(lèi)、IP配置及應(yīng)用
FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
瑞薩RA系列FSP庫(kù)開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲(chǔ)器種類(lèi)見(jiàn)圖21_1。
請(qǐng)問(wèn)如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?
如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?
發(fā)表于 12-15 07:39
DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器
CW32L052 FLASH存儲(chǔ)器介紹
均為 0xFF。
如果對(duì)未解鎖的 FLASH 頁(yè)面進(jìn)行頁(yè)擦除操作,或者對(duì)*正在運(yùn)行的程序[^1]*進(jìn)行擦除操作,會(huì)操作失敗,產(chǎn)生錯(cuò)誤中斷標(biāo)志。
CW32L052 內(nèi)部 FLASH 存儲(chǔ)器被劃分
發(fā)表于 12-05 08:22
雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理
在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
芯源的片上存儲(chǔ)器介紹
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
發(fā)表于 11-12 07:34
Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述
在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器
HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類(lèi)。
存儲(chǔ)器IC的應(yīng)用技巧 【日 桑野雅彥】
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
發(fā)表于 04-16 16:04
功率放大器通常可以分為哪幾類(lèi)類(lèi)型
功率放大器是一種用于增加信號(hào)功率的電子設(shè)備,常見(jiàn)于無(wú)線通信、音頻設(shè)備、廣播電視等領(lǐng)域。根據(jù)工作原理、電路拓?fù)浜蛻?yīng)用領(lǐng)域的不同,功率放大器可以分為多種類(lèi)型。下面西安安泰來(lái)介紹常見(jiàn)的幾類(lèi)功率放大器。 A
存儲(chǔ)器IC的應(yīng)用技巧 [日 桑野雅彥]
本書(shū)主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
發(fā)表于 03-07 10:52
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類(lèi)的?分為哪幾類(lèi)
評(píng)論