MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨立存儲器中處于領先地位。

Mark Webb在最近的虛擬閃存峰會上做了一系列演講。他得出的結論是，盡管目前正在開發中的新興存儲器技術種類繁多，但英特爾的相變存儲器（稱為3D XPoint存儲器或Optane）將在2025年和2030年主導獨立的新興非易失性存儲器市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內存業務的原因。

Webb將新興內存定義為PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在這些分析中，Webb并不討論開始受到關注的嵌入式/ SoC新興存儲器MRAM。

韋伯認為，由英特爾提供的PCM將在2025年占據獨立新興存儲器市場90％的份額，而MRAM僅次于第二，在2030年仍將如此。

韋伯表示，盡管英特爾虧本出售了相變內存。但韋伯在FMS演講中說，3D Xpoint的營業利潤率非常低，并估計出售Xpoint會使英特爾每季度損失3億多美元。韋伯說，盡管隨著內存生產規模的擴大，這種損失可能會減少，但這種損失將持續下去。

他補充說，沒關系。永久內存非常適合數據中心，可以將英特爾架構與AMD和其他競爭對手區分開來。韋伯說，內存余量并不是英特爾的目標。

韋伯在一篇博客文章中說：“我們預測Optane的收入將大幅增長，這僅僅是因為英特爾正在向它投資數十億美元，并正在為其發展新的總線連接。如果沒有英特爾，則將數字除以5到10。”

盡管韋伯的分析對于諸如ReRAM和FeRAM之類的替代存儲器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特爾和美光共同推出PCM五年后，除對英特爾的銷售外，美光的年銷售額還不到1000萬美元。韋伯表示，在同意一項技術可行之后，要想達到高產量，需要很長時間。

韋伯觀察到：“如果ReRAM或FeRAM起飛，它將在四到五年內，并且不會取代其他市場。”
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