業(yè)界普遍認為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個方向，蘭開斯特大學（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點。

看到了當前的數(shù)字技術(shù)能源危機，蘭開斯特大學的研究人員開發(fā)出了一種可以解決這一問題的新型計算機并申請了專利。這種新型的存儲器有望取代動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和閃存（Flash）驅(qū)動器。強大且超低能耗計算時代即將來臨，你準備好了嗎？

研究人員對這一進展有充分的理由感到興奮。物聯(lián)網(wǎng)在家庭和辦公室的出現(xiàn)在很大程度上方便了我們的智能生活，但以數(shù)據(jù)為中心也將消耗大量的能源。無論是互聯(lián)智能設備、音箱還是其它的家用設備將需要能量來處理所有“數(shù)據(jù)”以提供最佳功能。

事實上，能源消耗是一個非常令人關(guān)切的問題，而高效率的照明和電器節(jié)省的能源實際上可以通過更多地使用計算機和小工具。根據(jù)一個研究預測，到2025年，數(shù)據(jù)洪流預計將消耗全球電力的五分之一。新開發(fā)的電子存儲設備能夠以超低的能耗為服務所有人日常生活。這種低功耗意味著，存儲設備不需要啟動，甚至在按鍵切換時也可以立即進入節(jié)能模式。

正如蘭開斯特大學物理學教授Manus Hayne 所說，“通用存儲器穩(wěn)定的存儲數(shù)據(jù)，輕易改存儲的數(shù)據(jù)被廣泛認為是不可行，甚至是不可能的，新的設備證明了其矛盾性。”“理想的是結(jié)合兩者的優(yōu)點而沒有缺點，這就是我們已經(jīng)證明的。我們的設備有一個固有的數(shù)據(jù)存儲時間，預計超過宇宙的年齡，但它可以用比DRAM少100倍的能量存儲或刪除數(shù)據(jù)。” Manus Hayne表示。

為了解決和創(chuàng)造這種新的存儲設備，研究人員使用量子力學來解決穩(wěn)定的長期數(shù)據(jù)存儲和低能量寫入和擦除之間選擇的困境。剛剛獲得專利的新設備和研究已經(jīng)有幾家公司表示對此感興趣，新的存儲設備預計將取代1000億美元的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）市場。

雖然不同形式的傳統(tǒng)（基于電荷）存儲器非常適合應用于計算機和其他電子設備，靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM），動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和閃存（Flash）具有互補的特性，它們分別非常適合在高速緩存、動態(tài)存儲器和數(shù)據(jù)存儲中的發(fā)揮作用。然而，他們又都有自身的缺點。這就意味著市場需要新的存儲器，特別是，同時實現(xiàn)穩(wěn)定性和快速、低壓（低能量）的矛盾要求已證明是具有挑戰(zhàn)性的。

研究團隊報告了一種基于III-V半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的無氧化浮柵存儲器單元，其具有無結(jié)通道和存儲數(shù)據(jù)的非破壞性讀取。非易失性數(shù)據(jù)保留至少100000s，通過使用InAs/AlSb的2.1eV導帶偏移和三勢壘共振隧穿結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)與≤2.6V的開關(guān)相結(jié)合。低電壓操作和小電容的組合意味著每單位面積的固有開關(guān)能量分別比動態(tài)隨機存取存儲器和閃存小100和1000倍。因此，該設備可以被認為是具有相當大潛力的新興存儲器。

具體結(jié)構(gòu)方面，這是一種新型低壓，化合物半導體，基于電荷的非易失性存儲器件的概念進行設計、建模、制造適合室溫運行。利用AlSb / InAs驚人的導帶陣列進行電荷保持，以及形成諧振隧道勢壘，使研究團隊能夠證明低壓（低能耗）操作與非易變儲存。該器件是由InAs / AlSb / GaSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的FG存儲器結(jié)構(gòu)，其中InAs用作FG和無結(jié)通道。研究團隊通過仿真驗證了器件的工作原理，并給出了器件的關(guān)鍵存儲特性，如編程/擦除狀態(tài)的保留特性，并給出了在單個元件上的實驗結(jié)果。