潛在市場巨大

　　作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管可應用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態隨機存儲器。其次，半浮柵晶體管還可以應用于 DRAM，即動態隨機存儲器領域。半浮柵晶體管不但應用于存儲器，它還可以應用于主動式圖像傳感器芯片（APS）。由單個半浮柵晶體管構成的新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。

　　目前，SRAM、DRAM和圖像傳感器技術的核心專利基本上由美光、三星、Intel、索尼等國外公司控制。

　　“在這些領域，中國大陸具有自主知識產權且可應用的產品幾乎沒有。”張衛說。

　　據了解，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領域的潛在應用市場規模可達到300億美元以上。而且，半浮柵晶體管兼容現有主流硅集成電路制造工藝，并不需要對現有集成電路制造工藝進行很大的改動，具有很好的產業化基礎。

　　據張衛透露，目前針對半浮柵晶體管的優化和電路設計工作已經開始。對于產業化進程，他表示，希望能夠有設計和制造伙伴與科研團隊進行對接，向產業化推進。

　　不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應用市場廣闊，但前提是必須進行核心專利的優化布局。

　　張衛表示，希望能布局得更快一點，避免被國外的大公司趕超。實際上，國外大公司擁有資金和人才優勢，可以大規模申請專利，與之對比，張衛課題組明顯“勢單力薄”。他表示，目前的半浮柵晶體管是在較大工藝技術節點上實現的，主要是為了驗證器件性能。未來研究工作主要集中于器件性能的優化和進一步提升，相關應用的電路設計和關鍵IP技術，以及技術節點縮小帶來的一系列工藝問題等。