下面我們來深入了解一下：

　　中國存儲的重要玩家——長江存儲

　　長江存儲可以說是清華紫光求購兩個美國公司不成的選擇。

　　在2015年，清華紫光向美光科技發(fā)起了一個230億美元的收購邀約，之后又向西部數(shù)據(jù)一個38億美元的投資協(xié)議，但這兩個發(fā)起統(tǒng)統(tǒng)都被美國政府方面否定。于是紫光集團將目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收購后者之后，成立了長江存儲。

　　這次的并購釋放出了一個明顯的信號，那就是無論多困難，中國也不會放棄其發(fā)展存儲的野心。

　　XMC本來是由楊士寧（后辭去武漢新芯CEO職位）運營的，之前一直為Spansion（現(xiàn)已被Cypress收購）生產(chǎn)nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion攜手開發(fā)3D NAND Flash。另外，XMC同樣也為兆易創(chuàng)新生產(chǎn)Nor Flash。

　　新的長江存儲計劃投入240億美元，分三個階段建設(shè)一個300mm Fab，現(xiàn)在第一階段的建設(shè)已經(jīng)開工，預計總體建設(shè)工程會在2019年完成。相關(guān)人士指出，長江存儲將會在2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達到30萬片每月。而技術(shù)則可能來自于Spansion。

　　但對于這種說法，我是有些疑問的。

　　在和很多日本從業(yè)者交流過之后，他們給我的反饋就是，他們對于XMC所說的3D NAND Flash相關(guān)技術(shù)存有疑問的。他們認為，雖然官方給出了計劃表，但實際上NAND FLASH什么時候能夠真正量產(chǎn)，都是一個未知之數(shù)。

　　他們更傾向于相信XMC正在加緊開發(fā)3D NAND FLASH技術(shù)。因為Spansion的3D NAND FLASH從來沒有量產(chǎn)過，很多業(yè)者認為，他們的技術(shù)還不夠成熟。

　　就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術(shù)，并按時量產(chǎn)。但屆時三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash，或者將存儲方向轉(zhuǎn)向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距，但是對中國來說，也是一個大突破。

　　而根據(jù)行業(yè)專家觀點，長江存儲未來在存儲上的投入至少達千億規(guī)模。

　　怎么獲取技術(shù)？

　　如果真如我們所說，XMC的3D NAND Flash技術(shù)不夠可靠，那么對于長江存儲來說，可能的選擇是什么？

　　假設(shè)中國又不能從美國人手上買到一個存儲芯片公司（如美光），中國將怎么獲取到存儲的核心技術(shù)？JV是一個好選擇么？

　　換種方式，假設(shè)中國真不能買到美光，又能否獲得美光的相關(guān)Flash技術(shù)授權(quán)？市場是也有傳言中國將會和美光簽訂相關(guān)的合作協(xié)議。

　　IC Insight的分析師認為，由于美國、日本和韓國等的層層阻撓，中國是不可能輕易能收購到這些國家的企業(yè)，甚至相關(guān)合作也會是困難重重，所以中國獲得先進的NVM技術(shù)和先進DRAM技術(shù)的過程，一定是困難重重的。

　　他還指出，根據(jù)存儲的發(fā)展規(guī)律，現(xiàn)在似乎也進入了存儲產(chǎn)業(yè)的周期性轉(zhuǎn)移階段，中國能否效仿當年的韓國從日本手上搶來存儲產(chǎn)業(yè)，將同樣的故事在韓國的身上重演，我們保留觀察。但我們眼見的就是中國***在過去二十年的存儲嘗試是失敗的。

　　從現(xiàn)狀看來，授權(quán)應該是中國獲得相關(guān)技術(shù)的最可行方式了。專利授權(quán)是最好的一個途徑。而根據(jù)中國過往的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗，這也是有成功經(jīng)驗可參考的。

　　例如美光曾經(jīng)將一些專利賣給了技術(shù)研究機構(gòu)和專利授權(quán)公司Round Rock Research LLC，他們擁有豐富的產(chǎn)品線，而產(chǎn)品布局也貫穿整個亞洲、美洲和歐洲。這是中國可以獲取專利的一個方向。

　　另外，美光還和很多企業(yè)有交叉授權(quán)，中間有些公司就能提供相關(guān)的授權(quán)服務(wù)。這些公司當中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

　　我們認為XMC遲早會獲得相關(guān)技術(shù)授權(quán)，區(qū)別只是時間遲早、價格高低以及合作條件的問題。

　　至于具體會獲得哪些技術(shù)，分析人士指出，美光的3D NAND FLASH是應該沒問題的，但是在Intel和美光共同開發(fā)的3D Xpoint上。相關(guān)人士指出，現(xiàn)階段Intel是不會輕易點頭的。

　　但從某個角度看，這也并非是不可能。因為中國和這些跨國巨頭的合作非常緊密。

　　大家應該還記得在2014年，Intel和紫光集團的一個深度的合作。所以一切都是有可能的。

　　中國DRAM的前景又如何？

　　據(jù)作者了解到，按照早期規(guī)劃，長江存儲原本是想既做Flash，又做DRAM的。但經(jīng)過了幾個月的運營，形勢逐漸明朗，長江存儲還是只專注于做NAND Flash。

　　但是DRAM對中國來說，同樣重要，所以中國也不會忽視。另外跟FLASH相比，DRAM的供應商更少，且專利什么的更集中，競爭對手少，但是強大。

　　聯(lián)電和福建政府打造的晉華項目，就是瞄準DRAM而去的。雙方的合作在今年五月份宣布的，這個合作是中國半導體建設(shè)的一個重要組成部分。

　　根據(jù)合作協(xié)議，聯(lián)電會在***成立一個百人規(guī)模的研發(fā)團隊，而福建晉華則提供研發(fā)所需的資金。根據(jù)分析人士透露，聯(lián)電本身對于進入DRAM是沒有什么興趣，但他們看好和中國合作伙伴共同推進先進技術(shù)后帶來的收益。

　　晉華項目將投資56.5億美元在晉江建立一個300mm晶圓廠，投入先進存儲技術(shù)的研發(fā)。計2018年9月試產(chǎn)，并達到月產(chǎn)6萬片的規(guī)模。據(jù)透露，初期將會導入32nm制程。

　　韓國等著，中國來啦

　　業(yè)界傳言，三星、SK海力士和美光之間有一個私下協(xié)議，就是聯(lián)手阻礙中國存儲的崛起。

　　但是另外也有人指出，除三星外的其他供應商對于三星長達十數(shù)年的存儲領(lǐng)先感到厭煩，他們希望聯(lián)合中國把三星拉下馬。

　　很多硅谷芯片專家也指出，如果在不久的將來，某個或幾個廠商和中國合作，目的就是為了打破三星的壟斷，這也不會讓人驚訝。

　　韓國人，中國來了，做好準備吧！

　　但對于中國存儲來說，就算拿到了技術(shù)，未來還有很多路要走，因為他們的目標是爬上第一陣型和領(lǐng)先廠商并駕齊驅(qū)，甚至尋機超越。

　　而這則是一個漫長、艱苦且耗資巨大的過程。