紫光旗下同方國芯提出私募 800 億元人民幣的增資案，用于 Flash 產業(yè)。本篇報告分析中國和國際在 NAND 的現(xiàn)況和計劃，討論中國在 NAND 的發(fā)展機會。

拓墣產業(yè)研究所（TRI）在 2015 年報告中提到，2015 年 11 月 6 日中國同方國芯電子股份有限公司資產重整后，將成為紫光集團下的子公司。此外，同方國芯也提出私募 800 億元人民幣增資案，主要用于建造 Flash 工廠（75%）、收購力成 25%（4.7%），以及收購產業(yè)鏈上下游廠商（20.3%）。

若此 800 億元人民幣增資案通過政府審核同意執(zhí)行，將是中國上交所成立至今最大的資金募集案。另一方面，若以 2014 年中國推動的集成電路產業(yè)基金規(guī)模來看，大基金至 2015 年止，籌資達 1,389 億元人民幣，同方本次增資規(guī)模已接近大基金規(guī)模 6 成，可看出推動 Flash 產業(yè)是高度資本集中，而本篇報告將檢視中國 Flash 產業(yè)現(xiàn)況（特別著重在 Flash 芯片制造業(yè)）的發(fā)展和機會。

武漢新芯

產能狀況

武漢新芯為專業(yè) Foundry 廠商，主要生產 NOR Flash 和 BSI CIS 等技術，12 寸晶圓月產能 2.2 萬片；2014 年 NOR Flash 和 BSI 產能規(guī)劃各為每月 1 萬片和 1.2 萬片，目前月產能配置仍維持在 2.2 萬片，在產品上更多 Low Power Logic 和 NAND Flash。

人力與研發(fā)支持

武漢新芯在研發(fā)團隊的創(chuàng)新力和執(zhí)行力，得益于長期與中科院微電子研究所展開緊密的合作，在 3D NAND 項目，雙方采用創(chuàng)新合作模式，即將雙方專家在研發(fā)專案和人力資源的管理上，透過企業(yè)平臺合為一體，此模式將中科院微電子所深厚的理論背景，與武漢新芯豐富的制造和研發(fā)經驗有機會相結合。

國際合作與進展

在 2014 年中，武漢新芯成功將 NAND 技術由 55nm 推向 32nm（與Spansion 合作），至 2014 年底，武漢新芯與內存領域的世界級研發(fā)團隊 Spansion（已并入 Cypress）組建聯(lián)合研發(fā)團隊，開始 3D NAND 專案的研發(fā)工作。2015 年 5 月 11 日武漢新芯宣布其項目研發(fā)取得突破性進展，第一個儲存測試芯片通過內存功能的電學驗證，雖然目前并未有相關細節(jié)流出，但此合作案目標將是在 2017 年量產出規(guī)格為 32 層的堆疊 4x nm 的 3D NAND。

中芯國際

中芯國際為全球第五大,也是中國第一大的晶圓制造廠商,主要是以邏輯 IC 的代工業(yè)務為主，雖在 2013 年退出武漢新芯的經營，但在 Flash 業(yè)務上仍未缺席。

2014 年以前，中芯國際已開發(fā)出一系列從 130nm 到 65nm 特殊 NORFlash 的內存生產平臺，2014 年 9 月 10 日更是宣布 38nm NAND Flash 內存制程已準備就緒。

雖然由中芯國際公開的營收資訊中可看出 38nm NAND Flash 自推出至今，未在營收上嶄露頭角；然而中芯表示，此技術突破，說明中芯在技術多元化方面取得重要進展，也為后續(xù)開發(fā)更先進 2x / 1x nm 和 3DNAND Flash 內存的研發(fā)和量產奠定穩(wěn)固基礎，雖然不像武漢新芯在 NAND Flash 的成果和專注，但近期中國極力想突破內存自制缺口，此技術讓中芯在未來可能進一步強化在 NAND Flash 內存的制造能力。

紫光集團：同方國芯定增

如前所述，同方國芯的大規(guī)模定增將投入到 Flash 的研發(fā)和制造（表二）。

紫光集團在此規(guī)劃項目上，不如武漢新芯或中芯國際有較完整的技術累積，所以主要是透過資本和供應鏈協(xié)同方式進行操作（表三）。

目前紫光集團在 Flash 相關競爭中（表三），以中國內部和資金的角度而言，有機會取得領先（此次投入計劃約在 180 億美元，相對中芯國際 2015 年 Capex 約在 15 億美元和 2016 年預計 21 億美元而言，相當龐大），是紫光主要優(yōu)勢，但風險在沒有技術支持下，如何讓技術、量產能力能與資金同時到位，順利轉量產。

相對國際一線大廠 Samsung（2015 年 Capex 約在 135 億美元和 2016 年預計 115 億美元），此 2 年 180 億美元計劃，仍落后于 Samsung 2 年投入，如何確保紫光相關投入能達到與一線大廠投入相同的效果，將是投資要成功的最大困難點，在無既有營運支持下，當生產能力無法順利到位，如何有資金維系工廠月產能 12 萬片的營運與研發(fā)會是問題，紫光如何突破生產技術的取得和授權，將是整個投資最關鍵的環(huán)節(jié)。

1. Samsung 西安 Flash 工廠產能拉高至每月產出 10 萬片

目前以 Samsung 在中國的投資最為領先，Samsung 至 2015 年底投入西安廠的投資總金額已超過 50 億美元，產能建置來到每月 8 萬片，Samsung 于西安布建最先進的 3D NAND Flash 制程，預計 2016 年底將產能進一步拉升至每月 10 萬片。

2. Intel 大連廠轉為 3D NAND Flash 廠

Intel 則宣布投資 55 億美元將原先 65nm 生產線的大連廠，改建為月產能 3 萬片的 3D NAND Flash 廠，預計 2016 年先投入 15 億美元，到 2016 年第四季開始投片生產，月產能估計達 1 萬片。Samsung 和 Intel 在中國 NAND Flash 的產能建置，預估至 2016 年第四季將達到每月 11 萬片，約占全球 NAND Flash 晶圓出貨量 7.6%，若將 3D NAND 有單片較高的 bit 產出納入考慮，加上中國廠商的進展，則 Made in China 的 NAND 位數(shù)在 2017 年全球占比有機會達到 10%。

（首圖來源：Flickr/Intel Free Press CC BY 2.0）