由北京兆易創新科技股份有限公司和中芯國際聯合承擔的“超大規模集成電路先進閃存存儲器成套工藝與產品技術研發及產業化”項目，根據《北京市科學技術獎勵辦法》的規定，經市科學技術獎勵評審委員會評審，市政府批準，被授予北京市科學技術獎一等獎。

　　該項目屬于集成電路技術領域，在2008年國家科技進步獎二等獎“90納米-65納米極大規模集成電路大生產關鍵技術研究”的成果基礎上研發出90納米閃存產品和成套工藝，在國家02專項支持下的成果基礎上研發出65納米閃存產品和成套工藝。項目的主要研究內容包括產品開發和成套工藝開發，主要技術創新點體現在產品開發方面及成套工藝開發方面。超大規模集成電路90/65納米NOR Flash產品應用面非常廣泛，因而其需求量也非常大。它不僅能服務象SAMSUNG、華為、中興、TOSHIBA、海爾、TCL、康佳、長虹、創維、TP-LINK等這樣的電子整機客戶，還可廣泛地應用于手持移動終端、消費類電子產品、個人電腦及其周邊，網絡、電信設備、醫療設備、辦公設備及工業控制設備等領域。90/65納米工藝及產品的產業化也將帶動國內各生產廠技術的提升。兆易創新這種無晶圓廠的設計公司和國內產業鏈的虛擬集成方式，能夠很好地保持技術的先進性。

　　據中國半導體行業協會統計的2012年中國SPI NOR Flash市場品牌結構數據，兆易創新基于本項目成果在此細分市場取得了26.3%的市場份額，為國內市場上最大的供應商。此技術開發是國內首創，填補了國內在此領域無技術及產品的空白，實現了關鍵基礎電子元器件的國產化，大幅度提升國內電子整機產業的自主能力，并推廣應用于工業、通信、醫療等各個領域，逐步改變了“高性能、低功耗”存儲器芯片只能依靠進口的局面。

　　2014年起，兆易創新計劃和代工廠繼續合作開發45納米NOR Flash工藝及產品，進一步完善技術創新體系和制度，不斷優化人才的培養和激勵機制，合理配置科技資源，在公司內部建立信息通暢、矢志創新、結合緊密、流程高效的產、學、研科技創新平臺，以充分發揮公司在基礎設計研究、封裝測試、及市場開發等方面的優勢和資源，在45納米工藝下繼續開發256Mb/512Mb/1Gb 大容量NOR Flash 產品。在本項目的開發過程中，公司還會聯合中科院微電子所及清華大學等科研院所，對存儲器工藝及產品進行相關質量與可靠性評估，聯合國內測試機及探針臺與機械手廠家，共同開展新工藝下產品的國產測試設備的開發，同時與封測廠開展新型封裝技術的開發，為產業鏈全本地化打通所有路徑，推進半導體領域的技術創新。