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　　昨日三星表示受爆炸影響的三星半導體工廠將在“幾天內”全面恢復生產。半導體行業大咖對下半年行業趨勢做出了自己的判斷。最近iPhone6系列手機因設計侵犯了中國一家公司持有的專利被北京知識產權局下令禁止蘋果在北京銷售這兩款手機。

　　早報時間

　　半導體

　　1、 西安變電站爆炸致多家半導體廠商生產受影響

　　6月18 日凌晨，位于西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火，火光沖天照亮夜空，幸沒有人受傷。但逾8 萬用戶一度停電，附近商店窗戶玻璃被震碎，汽車也有損壞。官方初步勘察后沒有發現人為破壞跡像，目前正調查事故原因。而由于該變電站供應附近多處半導體廠 的供電，使得設置于該區的三星、美光、力成等半導體廠也都受到不同程度的影響。

　　爆炸起火的中國國家電網陜西公司西安南郊變電站，位于長安區韋曲西部大道和長興路交界。18 日凌晨12 點25 分，一個變壓器因故障突然爆炸起火，火場面積約100 平方公尺，火勢一度猛烈，當地消防單位出動21 輛車超過90 人到場撲救，于凌晨1 點30 分左右將火勢撲滅，隨后工人進行電力搶修工作。

　　三星西安廠位于西安市南郊，離爆炸事故點很近， 三星電子19日表示，在西安的半導體廠電力一度中斷，但僅對不到1萬片晶圓生產造成影響，而該廠房將在“幾天內”全面恢復生產。

　　2、半導體產業形勢下半年將優于上半年

　　據臺媒報道，半導體廠股東會旺季即將步入尾聲，對于下半年產業景氣展望，各家廠商普遍持樂觀看法，預期下半年將優于上半年。

　　晶圓代工龍頭廠臺積電董事長張忠謀雖然認為，今年世界經濟環境與半導體業都將與去年相似，仍將相當低迷，不過，他還是看好，臺積電將會有很不錯的成長，將可達成營收成長5%至10%的目標。

　　臺積電今年前5月合并營收新臺幣3439億元，較去年同期減少6.42%，若要達成營運成長目標，臺積電下半年業績表現勢將優于上半年。

　　動態隨機存取存儲器（DRAM）廠華亞科董事長暨南亞科總經理李培瑛指出，下半年包括手機、電視及機頂盒等消費市場需求可望比上半年好，網通市場下半年也看到不錯需求。

　　服務器市場及標準型市場需求也有機會比上半年好，此外，還有歐美感恩節、圣誕節傳統季節性需求，及奧運、歐洲杯等國際運動賽事，將可刺激需求，李培瑛看好，下半年整體市場需求將可比上半年好。

　　供需方面，李培瑛表示，各家供應商制程轉換順利，不過，儲存型快閃存儲器（NAND Flash）后市看俏，DRAM新產能擴充應可理性控制，下半年市場供需將可較健康。

　　存儲器制造廠華邦電董事長焦佑鈞雖說，英國脫歐公投、美國升息及總統選舉是下半年經濟的三大變數；不過，總經理詹東義卻表示，就目前接單情況看，下半年市場需求有升溫跡象，希望能在穩定溫和中成長。

　　觸控芯片廠義隆董事長葉儀皓也預期，最壞情況應已過去，今年業績可望逐季攀高；指紋識別將是義隆業績成長的最主要動力，其次為主動觸控筆與360度全景照相機。

　　IP廠力旺總經理沈士杰表示，下半年在蘋果及非蘋陣營紛紛推出新機帶動下，營運表現應不悲觀，維持審慎樂觀看法。

　　沈士杰指出，力旺在手機IC滲透率提高，加上先進制程效益顯現，除面板驅動IC與電源管理芯片持續成長，并順利擴展數位電視、機頂盒、影像傳感器及指紋識別等領域，都將是力旺今年營運成長動能。

　　3、東芝將發展64層3D NAND Flash與晶圓代工

　　東芝（Toshiba）2015日本會計年度（2015年4月至2016年3月，以下簡稱年度）半導體事業營收不僅較2014年度衰退6.9%，為 1.11兆日圓（約100億美元），且營業利益由盈轉虧，營損率為6.4%。DIGITIMES Research觀察，東芝為求2016年度轉虧為盈，在2016年3月開始量產48層堆疊3D NAND Flash，更計劃供應價格低于15納米平面型的64層堆疊產品，同時成立系統LSI新公司Japan Semiconductor Corp.（JSC），尋求承接以類比IC為主的晶圓代工機會，但短期仍以制造東芝系統LSI產品為主。

　　2015年度東芝以NAND Flash為主的記憶體營收較2014年度衰退1.8%，為8，456億日圓，已連續2年呈現下滑，對照2013~2015年全球NAND Flash龍頭廠三星電子（Samsung Electronics）營收持續成長，東芝在三星進駐大陸西安設廠、且三星于3D NAND Flash發展腳步較快的情況下，面臨相當大的競爭壓力。

　　展望2016年度，東芝預測其來自記憶體營收將年減11%，僅7，466億日 圓，記憶體營益率亦將自13%下滑至3.3%。為改善營運，東芝將加速發展垂直堆疊架構BiCS（Bit Cost Scalable） NAND Flash，不僅已量產的48層堆疊3D NAND Flash成本將接近15納米平面型產品，更計劃以低于15納米平面型的價格，量產64層堆疊3D NAND Flash。

　　東芝2009~2016年度半導體事業營收變化及預測

　　注：東芝以西元年第2季至隔年第1季為其會計年度。

　　資料來源：東芝，DIGITIMES整理，2016/6DIGITIMES