本報(bào)訊據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)1月31日報(bào)道，近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)（LANES）實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來制造更
2011-02-02 11:16:05
3923 在所有其他參數(shù)相同的情況下，對于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如，與行業(yè)巨頭硅1.1eV的相對窄帶隙相比，氮化鎵(GaN)的帶隙為3.4eV。
2022-03-29 14:55:523340 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）半導(dǎo)體材料的突破一直是推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體逐步
2023-04-02 01:53:369067 
傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:3511305 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?最近意法半導(dǎo)體（ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)和新一代BiCMOS技術(shù)，這兩項(xiàng)技術(shù)的整合形成一個獨(dú)特的300毫米（12英寸）硅工藝平臺，產(chǎn)品定位光互連市場，ST表示這兩項(xiàng)技術(shù)
2025-03-22 00:02:002896 我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別 ，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至統(tǒng)一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們在二極管整流得時候理想是，整個周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
激光器和固體激光器的泵浦源，也可以直接輸出激光作為光源。半導(dǎo)體激光器發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，如今已經(jīng)在各行各業(yè)中得到了廣泛的推廣應(yīng)用。憑借結(jié)構(gòu)緊湊、光束質(zhì)量好、壽命長及性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，在通訊、材料加工制造
2019-05-13 05:50:35
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2017-07-28 10:17:42
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2018-02-11 09:49:21
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發(fā)協(xié)議。據(jù)此協(xié)議，意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴(kuò)大
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
提供專業(yè)、高效、技術(shù)支持與服務(wù)。此外還可為有需求的長三角及周邊客戶提供短時間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場維修技術(shù)服務(wù)。 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件的分類及性能： （1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管
2021-07-23 08:11:27
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
的市場占有率。未來隨著化合物半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步提升，在邏輯應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)硅材料，從而等效延續(xù)摩爾定律成為了化合物半導(dǎo)體更為長遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢。 作為化合物半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場，射頻器件市場經(jīng)歷了
2019-06-13 04:20:24
模塊化，按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
本帖最后由 濟(jì)世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
下，我這暴脾氣......。從最初應(yīng)用算起，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了三代，第一代是四五十年代開始以鍺、硅為代表的IV族半導(dǎo)體材料逐步發(fā)展起來，推動人類進(jìn)入電子時代晶體管收音機(jī)就是那個時代的產(chǎn)物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
的硅，內(nèi)含集成電路，它是計(jì)算機(jī)或者其他電子設(shè)備的一部分。二、什么是半導(dǎo)體半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
第二代半導(dǎo)體材料的代表，GaAs和傳統(tǒng)Si相比，有直接帶隙、光電特性優(yōu)越的特點(diǎn)，是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)CPU芯片的理想材料，上世紀(jì)末一些公司曾有深入的研究并取得
2017-02-22 14:59:09
）從febless發(fā)展成為集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體化的國家級高新科技企業(yè),“SLKOR”品牌在半導(dǎo)體行業(yè)聲譽(yù)日隆，產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點(diǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，薩科微乘電子元器件“國產(chǎn)替代”的東風(fēng)，，立志成為
2022-05-31 14:00:20
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路，是20世紀(jì)50年代后期到60年代
2021-09-15 06:45:56
高阻硅材料進(jìn)口半導(dǎo)體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細(xì)參數(shù)來電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:036150 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程和應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體材料經(jīng)歷幾代的發(fā)展:
第一代半導(dǎo)
2010-03-04 13:18:1515772 三菱電機(jī)推出新一代功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機(jī)株式會社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊：第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351527 茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET介紹
茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET應(yīng)用于直接式和邊緣式 LED背光驅(qū)動模塊,已被多家大型LED TV背光模塊企業(yè)采用，推出這些瞄準(zhǔn) LED 背光電視市場的新產(chǎn)
2010-04-09 09:18:411581 意法半導(dǎo)體（ST）和 Luxtera日前宣佈，將結(jié)合位于法國Crolles的意法半導(dǎo)體12吋晶圓廠的製程技術(shù)，及Luxtera的先進(jìn)硅光電IP和知識共同研發(fā)新一代硅光電元件。
2012-03-17 12:45:131217 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱 ST)和硅光電技術(shù)大廠 Luxtera 宣佈，將結(jié)合位于法國Crolles的意法半導(dǎo)體 12吋晶圓廠製程技術(shù)及 Luxtera 的先進(jìn)硅光電IP和知識，共同研發(fā)新一代硅光電元件
2012-03-23 08:55:391066 本文首先分別對第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618 第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導(dǎo)體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。還有一些固溶體半導(dǎo)體
2018-11-26 16:13:4220571 近日，新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目整體布局中的核心“科創(chuàng)中心”簽約落戶長沙市望城區(qū)，省會推進(jìn)新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)工作又邁進(jìn)一大步。
2018-12-12 15:54:334421 長沙新一代半導(dǎo)體研究院正式揭牌運(yùn)行
2019-07-09 15:50:1510041 ，技術(shù)也在更新?lián)Q代。隨著Si和化合物半導(dǎo)體材料GaAs在器件性能的提升到了瓶頸，不足以全面支撐下一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展時，尋找新一代半導(dǎo)體材料成為了發(fā)展的重要方向。至此，第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）闖入了人們的視線！
2019-08-02 14:02:1111065 理論上所有半導(dǎo)體都可以作為芯片材料，但是硅的性質(zhì)穩(wěn)定、容易提純、儲存量巨大等等性質(zhì)，是所有半導(dǎo)體材料中，最適合做芯片的。
2019-11-04 17:21:5720370 據(jù)美國克萊姆森大學(xué)官網(wǎng)近日報(bào)道，該校的一支研究團(tuán)隊(duì)證明，部分氧化形式的新型雙螺旋金屬有機(jī)框架（MOF）體系結(jié)構(gòu)可以導(dǎo)電，有望成為新一代半導(dǎo)體。
2020-03-30 13:54:554206 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
2020-04-12 17:06:0710859 
研究人員利用近年來熱門的金屬有機(jī)框架（MOF）結(jié)構(gòu)造出一種雙螺旋結(jié)構(gòu)材料，是下一代半導(dǎo)體可用的新材料，其導(dǎo)電性能更好。
2020-04-13 11:43:513109 幫助工程師理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，消除測試痛點(diǎn)
2020-04-28 15:59:171172 新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。
2020-07-04 10:39:592121 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來5G時代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147928 
第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一階段是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體材料;
2020-11-06 17:20:404691 
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1292797 ）在集成電路芯片制造上目前無法被替代，但經(jīng)過了這么多年的發(fā)展，每一個成熟的半導(dǎo)體材料自己都可以帶動一個行業(yè)的發(fā)展，那么目前行業(yè)里有哪些半導(dǎo)體材料呢？ 第一代半導(dǎo)體： 業(yè)界將半導(dǎo)體材料進(jìn)行過分類，前面提到的硅（Si）和鍺（
2021-06-04 11:07:008456 看到第三代半導(dǎo)體，你肯定會想第一代、第二代是什么。這里的 “代際”，是根據(jù)半導(dǎo)體制造材料來劃分的 第一代半導(dǎo)體材料主要有鍺Ge，硅Si等，應(yīng)用范圍主要是：低壓、低頻，中功率晶體管、光電探測器等取代了
2021-07-09 15:40:5121129 器件方向發(fā)展結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體改性清洗的需要，除了硅，在前一種情況下，用于下一代CMOS柵極結(jié)構(gòu)文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設(shè)備這些問題加速的步伐除硅以外的半導(dǎo)體正在被引進(jìn)主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶
2023-04-23 11:03:00776 極佳的導(dǎo)熱性能正如開頭所說，熱量已經(jīng)成了半導(dǎo)體進(jìn)一步提高性能并在各種場景中投入使用的瓶頸，所以大家紛紛開始研制具有高導(dǎo)熱系數(shù)的半導(dǎo)體材料，也正因如此，導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)500W/mK的碳化硅才開始逐漸進(jìn)入汽車、航天市場，因?yàn)槠鋵?dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅材料的三倍以上。
2022-07-29 09:26:214139 如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:292427 
第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086802 與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031737 。 半導(dǎo)體行業(yè)中有“一代材料、一代技術(shù)、?一代產(chǎn)業(yè)”的說法。 與一些人對“工業(yè)王冠上的鉆石”生產(chǎn)制造上的斷言相似，在芯片制造中，材料若缺席，技術(shù)充其量就是一紙PPT，無法落地為產(chǎn)品。 隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代
2023-02-07 14:06:166767 第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:165803 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以
突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 15:23:54
2 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以
突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 14:37:561 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:381253 
第一代半導(dǎo)體材料以錯和硅為主。
2023-07-17 11:22:383596 半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:473396 在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了解更多 - 泛林小課堂 | 半導(dǎo)體材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:112518 按照代際來進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)歷了第一代、第二代和第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）；
2023-10-11 17:08:336523 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:101364 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:172868 
硅作為一種半導(dǎo)體的使用材料徹底改變了電子工業(yè)，開啟了數(shù)字時代。然而，許多人仍對這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅，它是什么，怎樣生產(chǎn)，用途是什么，以及硅行業(yè)的未來可能會有什么發(fā)展。
2023-12-09 11:30:005221 
隨著技術(shù)的快速發(fā)展，硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料，成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中，我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
2024-01-08 09:38:362750 。 硅是一種最為廣泛使用的半導(dǎo)體材料。硅的原子序數(shù)為14，具有4個價(jià)電子。硅通過共價(jià)鍵形成的晶格結(jié)構(gòu)，使得它具有較好的導(dǎo)電性能。在純凈的硅晶體中，缺乏雜質(zhì)的硅被稱為本征半導(dǎo)體。本征硅材料具有較高的電阻率，并且通
2024-01-17 15:25:126565 半導(dǎo)體材料是一種電子能級介于導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間的材料，在固體物質(zhì)中具有特殊的電導(dǎo)特性。在半導(dǎo)體材料中，電子的能帶結(jié)構(gòu)決定了電子的運(yùn)動方式，從而決定了電子導(dǎo)電性質(zhì)的特點(diǎn)。 常見的半導(dǎo)體材料包括硅
2024-02-04 09:46:078267 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2024-04-18 10:18:094734 
晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選，主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先，硅是地球上第二豐富的元素，廣泛存在于巖石、沙子和土壤中，這使得硅材料的獲取相對容易
2024-09-21 11:46:024833 近年來，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多
2024-10-09 11:12:351254 
第一代半導(dǎo)體：硅（Si） 第一代半導(dǎo)體主要是指硅基半導(dǎo)體材料。硅是一種廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，因其成熟的制備工藝、穩(wěn)定的物理性質(zhì)和較低的成本而被廣泛用于集成電路（IC）、晶體管等電子元件的制造。然而，硅基半導(dǎo)體在耐高溫、抗輻
2024-10-17 15:26:304072 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著AI計(jì)算需求的指數(shù)級增長，計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體
2025-02-20 17:17:511420 ）等二維材料因結(jié)構(gòu)薄、電學(xué)性能優(yōu)異成為新一代半導(dǎo)體的理想材料，但目前還缺乏高質(zhì)量合成和工業(yè)應(yīng)用的量產(chǎn)技術(shù)。 化學(xué)氣相沉積法（CVD）存在諸如電性能下降以及需要將生長的TMD轉(zhuǎn)移到不同襯底等問題，增加了工藝的復(fù)雜性。此外，在
2025-03-08 10:53:061189 的兩大主流產(chǎn)品，各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢與應(yīng)用場景。那么，碳化硅功率模塊與硅基IGBT功率模塊相比，究竟誰更勝一籌？碳化硅是否會取代硅基IGBT成為未來的主流？本文將從多
2025-04-02 10:59:415542 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中，“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的硅基芯片，以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料，始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色，支撐著全球95%以上的電子設(shè)備
2025-05-14 17:38:40885 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論