)受到虛擬挖礦(cryptocurrency)需求驟減與基期太高的影響，出現(xiàn)3%左右的跌幅，以及消費性市場應(yīng)用主流DDR3因需求轉(zhuǎn)弱而率先走跌外，其余主流應(yīng)用別的內(nèi)存（包含標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、行動式內(nèi)存）仍
2018-11-15 13:43:02
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旗艦智能手機今年搭載10GB RAM規(guī)格可望成主流，然因市場觀望5G手機，行動DRAM需求估至少要到2020下半才能重返榮耀。 記憶體產(chǎn)業(yè)2019年上半展望低迷，DRAM價格從2018年下半進(jìn)入下坡
2019-01-22 10:53:516941 移動裝置在這幾年成長速度幾近以猛爆式持續(xù)攀升，除了高階移動裝置需求暢旺外，ARM也預(yù)計20115年全球中低價位主流移動裝置出貨量將達(dá)5.8億臺，可望超越高階智能手機以及平板電腦市場總銷售量，ARM
2013-06-03 15:43:271150 全球市場研究機構(gòu)TrendForce表示，標(biāo)準(zhǔn)型存儲器經(jīng)過兩年價格崩跌，產(chǎn)值大減的負(fù)面循環(huán)之后，2013年首先出現(xiàn)價格反轉(zhuǎn)契機。今年以來主流產(chǎn)品4GB模組合約價上揚近六成，帶動服務(wù)器與移動存儲器平均銷售單價止跌反彈，即使在位元供給年成長有限的情況下，今年度產(chǎn)值年成長可望大幅增長30%。
2013-06-04 10:59:452763 南科和華亞科第2季全數(shù)獲利，預(yù)料下周登場的華邦電也可望順利轉(zhuǎn)盈，對照美光、三星及SK海力士等上季也都賺錢，DRAM上季正式進(jìn)入全面獲利時代。
2013-07-26 10:33:22819 與平板電腦的熱銷，一線 DRAM 大廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動式記憶體，導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出逐漸減少；再加上9月SK海力士（Hynix）無錫廠大火讓4GB，模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態(tài)。
2013-12-10 09:54:471436 可穿戴式技術(shù)在今年的全球行動通訊大會（MWC）上迅速成為一個最受廣泛討論的熱門話題。然而，考慮到現(xiàn)有產(chǎn)品的外形設(shè)計缺少流行元素、價格太高難以普及、缺少殺手級特色，以及電池使用壽命太短等挑戰(zhàn)，可穿戴式裝置要能躋身主流市場，還需要更多的技術(shù)突破。
2014-03-04 09:13:58637 作為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上最后發(fā)展的DRAM，DRAM廠到底會落戶哪個地方也受到關(guān)注。最近關(guān)于存儲器的發(fā)展有了新進(jìn)展，不僅將技術(shù)、研發(fā)、IP作為關(guān)鍵，DRAM廠的爭奪也有了一個結(jié)果，武漢成為最后的贏家。
2015-06-19 16:36:382149 市場傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋果新機出貨，同時通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價。法人預(yù)期，盤跌近七個月的DRAM價格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營運可望再起。
2015-08-03 07:55:21594 受惠于人工智慧及云端運算對高效能運算的強勁需求，2018年伺服器出貨量可望創(chuàng)下新高，也帶動伺服器DRAM強勁需求，但以目前三大DRAM廠產(chǎn)能布建情況來看，主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整
2017-12-25 08:56:388415 
據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，DRAM記憶體晶片主流產(chǎn)品正快速從1GB轉(zhuǎn)變?yōu)?GB。2009年半導(dǎo)體業(yè)界2GB產(chǎn)品平均生產(chǎn)比重僅1.7%，2011年已增加至60%，而2年前生產(chǎn)比重逼近82%的1GB產(chǎn)品，2011年已減少至
2011-10-13 09:32:441160 2013年第二季DRAM廠總營收再創(chuàng)新高。由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡頭市場格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲器部位影響下，主流模組4GB均價在第二季上揚16%，由23.5美元漲至27.25美元，以4Gb顆粒來計算已達(dá)近年新高價格。
2013-08-13 10:14:281593 
預(yù)期包含光學(xué)及超聲波的FOD指紋識別方案滲透率有望于2022年超過傳統(tǒng)的電容式方案，成為智能手機的主流指紋識別技術(shù)。
2019-04-11 16:36:182931 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，基于產(chǎn)品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點，主要應(yīng)用于智能手機、個人計算機、服務(wù)器等大規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)化電子設(shè)備。其市場
2025-06-07 00:01:004203 
想了解DRAM 的EFA測試，以及她的測試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個文件里：搜索了一下有下面幾個文件比較像，但我不知到時哪一個，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
最新教程下載：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=95243第1章 當(dāng)前主流的小型嵌入式網(wǎng)絡(luò)協(xié)議棧這幾年物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展迅猛，各種
2021-12-23 06:18:41
簡單聊聊??上一篇，介紹到了什么是嵌入式，以及嵌入式與單片機、PC機的區(qū)別，簡單聊了聊有關(guān)嵌入式軟件學(xué)習(xí)的一些內(nèi)容。這一片打算接著上一篇的內(nèi)容，詳細(xì)的說一下現(xiàn)在主流的嵌入式CPU架構(gòu)-ARM架構(gòu)
2021-12-13 06:05:41
滿足實時控制要求的嵌入式操作系統(tǒng)（RTOS）操作系統(tǒng)，以下介紹14種主流的RTOS，分別為μClinux、μC/OS-II、eCos、FreeRTOS、mbed OS、RTX、Vxworks、QNX
2021-12-27 07:27:30
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個地址刷新時間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
網(wǎng)上只有軟解碼mp3格式，有沒有對pcm數(shù)據(jù)流編碼成mp3格式的庫
2023-09-21 07:31:14
轉(zhuǎn)最新版本這幾年Cortex-M系列單片機發(fā)展迅猛，功能也越來越強勁，隨之而來的就是小型嵌入式GUI也得到很好的發(fā)展。本章節(jié)就為大家介紹下當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI。1.1 當(dāng)前主流的嵌入式
2016-12-21 22:54:43
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲數(shù)據(jù)的過程中需要對于存儲的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
教程不斷更新中：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=98429第1章 當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI這幾年Cortex-M系列
2021-07-20 06:41:34
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
第1章 當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI這幾年Cortex-M系列單片機發(fā)展迅猛，功能也越來越強勁，隨之而來的就是小型嵌入式GUI也得到很好的發(fā)展。本章節(jié)就為大家介紹下當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI。目錄第1
2021-12-15 06:26:59
第1章 當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI這幾年Cortex-M系列單片機發(fā)展迅猛，功能也越來越強勁，隨之而來的就是小型嵌入式GUI也得到很好的發(fā)展。本章節(jié)就為大家介紹下當(dāng)前主流的小型嵌入式GUI。目錄第1
2021-08-03 06:41:17
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAMRCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38:04
嗨，我正在瀏覽Vritex 6原始手冊。我很想知道LUT是否可以同時配置為SRL / CFGLUT5和DRAM（分布式RAM）（不同的配置將用于不同的周期）？如果沒有，為什么？如果是這樣，怎么樣？非常感謝你，
2020-06-18 08:29:16
如何讓嵌入式設(shè)備枚舉成WinUSB設(shè)備？如何編寫PC應(yīng)用程序與嵌入式設(shè)備進(jìn)行USB通信？
2021-03-11 07:52:59
嵌入式總共分為哪幾個主流方向？
2021-09-24 07:13:09
摘要：介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)
2011-02-24 09:33:15
11%達(dá)27~27.5美元，晶片合約價調(diào)漲12%左右達(dá)3.1美元。5月合約價雖持平，但6月價格可望再調(diào)漲5%，等于第二季合約價將再漲1~2成。在PC DRAM合約價持續(xù)漲情況下，智能型手機用
2017-06-13 15:03:01
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
關(guān)于存儲額知識回顧歷史，存儲介質(zhì)按物理材料可以分成三大類：光學(xué)存儲介質(zhì)、半導(dǎo)體存儲介質(zhì)和磁性存儲介質(zhì)。詳細(xì)的如下圖； 然而目前來說，半導(dǎo)體存儲介質(zhì)已經(jīng)成為存儲行業(yè)的主流；主要的三大類性的產(chǎn)品分別
2019-09-18 09:05:09
iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨
2009-11-25 09:21:44651 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451514 Pixcir可望成windows 7全新上市最大受益者
眾所期盼的windows7 將正式上市，windows7作為第一個服務(wù)多電（腦）觸控功能的作業(yè)
2010-01-08 17:26:431445 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士
2010-01-20 09:25:34856 海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩
2月9日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)
2010-02-09 11:03:13884 電子快門眼鏡或成主流 3D電視標(biāo)準(zhǔn)年底出臺難
3月18日消息，騰訊科技今日從消息人士處獨家獲悉，今年內(nèi)中國3D標(biāo)準(zhǔn)制定基本無
2010-03-21 10:01:221148 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機存貯器)是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進(jìn)行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態(tài)隨機存儲器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:212726 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003713 盡管全球景氣不明，全球印刷電路板(PCB)市場2012年仍可望維持成長態(tài)勢，將能帶動高附加價值的PCB需求。
2012-02-06 09:56:08702 第三代通用序列匯流排（USB 3.0）可望大開行動裝置應(yīng)用大門。USB應(yīng)用者論壇（USB-IF）日前公布新充電規(guī)范，一舉將USB 3.0供電量拉高至100瓦，將有助USB 3.0加快進(jìn)入行動裝置市場。
2012-05-02 15:25:541472 主攻個人計算機市場的標(biāo)準(zhǔn)型動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道，本月價格可望強彈；應(yīng)用行動裝置的儲存型快閃存儲器（NAND Flash）因補貨需求落空，價格看跌。
2012-05-07 10:47:51820 
根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM廠積極研發(fā)，并提高行動式內(nèi)存產(chǎn)能，不僅可望拉抬整體獲利表現(xiàn)，亦可降低因標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)造成的虧損。
2012-05-17 08:39:48650 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02993 據(jù)IHS Markit最新預(yù)估數(shù)據(jù)顯示，歷經(jīng)連兩年衰退后，2017年全球平面顯示面板市場可望反彈，出貨金額料將比2016年成長9.3%，達(dá)到1，100億美元。但若從出貨量的角度來看，2017年的出貨量可能只比2016年成長0.3%。
2016-11-24 15:16:411051 
亞馬遜(Amazon)日前發(fā)布一段簡單的視頻，宣告將其觸角延伸至大型雜貨連鎖商店，并啟動了一連串可望推動RFID成為主流的力量，同時也有助于Amazon更進(jìn)一步領(lǐng)先Google。 亞馬遜移動支付將
2016-12-12 11:54:12632 在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash內(nèi)存平均銷售價格（ASP）正穩(wěn)健走揚，研究機構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年內(nèi)存市場銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長10%；2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
2017-01-06 10:35:122157 
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:145616 
綜合目前業(yè)界的看法，DRAM 熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢依舊，但NAND 部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND 良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017 年第四季引爆，至少2018 年上半年恐怕都不會太理想，最快2018 年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。
2018-01-22 14:33:334905 
內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探，但DRAM價格在服務(wù)器及移動設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，2017年第四季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再創(chuàng)歷史新高。從價格方面來看，受到行動式內(nèi)存接棒漲價所帶動，以及智能手機旗艦機種的旺季效應(yīng)，以
2018-07-09 09:46:001051 
人工智能（AI）等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代（data economy era）。數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運算，存儲器市場可望一路好到2021年。
2018-06-28 07:34:001118 本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術(shù) ，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022 
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，第二季行動式內(nèi)存合約價持續(xù)受到第一季非市場因素的影響，報價普遍趨于保守，漲價幅度低于其他應(yīng)用別產(chǎn)品，以分離式行動內(nèi)存
2018-06-25 10:00:001082 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛昨（17）日表示，第二季DRAM市場仍明顯供不應(yīng)求，且預(yù)期第三季旺季需求將持續(xù)成長、維持供不應(yīng)求的市況，而第四季有可能受韓廠開出新產(chǎn)能影響，預(yù)期屆時價格可望維持穩(wěn)定，整體而言，今年DRAM市況相當(dāng)健康穩(wěn)健。
2018-08-23 16:18:28706 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007925 
近日，針對公司存儲器業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃，紫光國微在互動平臺上指出，公司的存儲器業(yè)務(wù)為DRAM存儲器芯片的設(shè)計，該業(yè)務(wù)具備世界主流設(shè)計水平，但由于需要委托代工廠生產(chǎn)制造，而國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)配套缺乏，產(chǎn)能無法保障，產(chǎn)品銷量不大，產(chǎn)品主要用于國產(chǎn)服務(wù)器及計算機等消費電子領(lǐng)域。
2018-09-11 16:15:532205 紫光國微表示，公司的DRAM芯片與三星等國際知名企業(yè)還是有很大差距，我們還處于學(xué)習(xí)和追趕的過程中。一段時間內(nèi)，DDR4仍將是市場上的主流產(chǎn)品，短時間不會有太大影響。
2018-09-19 09:43:426394 2018年中國國際社會公共安全產(chǎn)品博覽會于2018年10月23-26日在北京舉辦。小編發(fā)現(xiàn)，生物識別的應(yīng)用已經(jīng)成門禁/出入口控制設(shè)備的主流設(shè)計。
2018-11-01 14:24:394163 ）受到虛擬挖礦（cryptocurrency）需求驟減與基期太高的影響，出現(xiàn)3%左右的跌幅，以及消費性市場應(yīng)用主流DDR3因需求轉(zhuǎn)弱而率先走跌外，其余主流應(yīng)用別的內(nèi)存（包含標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、行動式內(nèi)存）仍維持0-2%的季漲幅。
2018-12-09 09:24:38872 2月27日，南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，去年大幅成長的服務(wù)器存儲器市場經(jīng)過兩季的調(diào)整，3月起市況開始好轉(zhuǎn)，第二季DRAM 市況可望較第一季略為回溫。
2019-02-28 17:36:58903 存儲器模組廠威剛看好動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）與儲存型快閃存儲器（NAND Flash）合約價，可望于 7 月落底，并樂觀預(yù)期第 3 季營收與獲利可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。
2019-07-24 14:20:302638 LED車燈模塊廠麗清第3季業(yè)績逐漸回穩(wěn)，法人預(yù)估第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，今年LED頭燈出貨占比可望提升到1成。
2019-09-04 11:30:291272 12 月 18 日訊，DRAM 價格于明年第一季可望止跌，NAND Flash 價格并已提前觸底反彈，有利記憶體模組廠營運。記憶體模組廠宇瞻、廣穎電通、品安第三季獲利均明顯上升，今日隨著產(chǎn)業(yè)前景看法樂觀，帶動股價大漲。
2019-12-19 11:13:52728 COVID-19（新冠肺炎）疫情給了公私部門一個機會，從投資及變革等角度重新思考機器人在制造業(yè)的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2020-06-13 12:15:302477 整個大數(shù)據(jù)處理的體系，按我的理解可以分為兩個部分，一個是分布式存儲系統(tǒng)、另一個是分布式計算框架。分布式存儲系統(tǒng)主流是HadoopDFS，其他還有Ceph和Swift。分布式計算框架主流是MapReduce，Storm和Spark。
2020-08-06 09:07:083022 美國記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）股價大漲4.53%再攀新高，自第一季開始，DRAM合約價預(yù)期將開始止跌回升，南亞科(2408)可望受惠，今股價續(xù)攻上90元。 美光
2021-01-06 17:43:452693 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計出來的嗎？如果你對DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:194799 
SEMI指出，DRAM支出預(yù)期在今年呈現(xiàn)強勁復(fù)甦，可望將有接近20%成長。
2021-03-04 17:10:013271 記憶體今年迎來全面復(fù)蘇的一年，記憶體廠華邦電(2344)經(jīng)理陳沛銘表示，DRAM與Flash的需求狀況均遠(yuǎn)大于供給，看好記憶體產(chǎn)業(yè)向上趨勢，市況可望看到下半年。 ? 先前南亞科(2408)率先
2021-02-22 12:04:492294 多家芯片廠商漲價，DRAM現(xiàn)貨價格大漲三成 晶圓代工廠產(chǎn)能吃緊，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起漲價風(fēng)。在供給緊張之下，除了功率、觸控等芯片價格喊漲外，內(nèi)存方面，TrendForce預(yù)測，固態(tài)硬盤（SSD）控制芯片
2021-01-06 10:36:493260 TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查，自2020年第三季至今，server DRAM產(chǎn)能比重已降至三成左右，其比重調(diào)降除為平衡產(chǎn)品線的供需失衡，亦為調(diào)整各產(chǎn)品線DRAM平均零售價（ASP）。
2021-02-25 14:49:251687 DRAM需求強勁，價格已從2020年Q4起連續(xù)漲兩個季度，2021年Q1 DRAM現(xiàn)貨價格已同比大增50%。業(yè)內(nèi)人士指出，Q2 DRAM價格漲幅可望擴大。
2021-03-05 09:22:212222 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810599 
槽（Deep Tench）式存儲單元和堆疊（Slack）式電容存儲單元。 70nm 技術(shù)節(jié)點后，堆疊式電容存儲單元逐漸成為業(yè)界主流。為了使系統(tǒng)向更高速、高密度、低功耗不斷優(yōu)化，DRAM存儲單元也在不斷微縮（如14nm 工藝節(jié)點）。
2023-02-08 10:14:5712478 在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:376531 
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:254415 
第二季度DRAM合約價格的環(huán)比漲幅將受到嚴(yán)格限制，預(yù)計漲幅在3%至8%之間。
2024-03-26 16:06:331119 已全部加載完成
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