PXI模組化電源測量單元（SMU）儀器問世。高亮度發光二極體（LED）、絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）、金屬氧化物半導體場效電晶體 （MOSFET）等需要SMU輸出瞬間高瓦數的電源進行測量，然高瓦數的SMU往往價格昂貴，有鑒于此，美商國家儀器（NI）發布新一代PXI模組化 SMU儀器，助力客戶大幅降低測試成本。

　　美商國家儀器自動化測試東亞區行銷技術經理張天生（左）表示，PXIe 4139顛覆傳統SMU的設計與性能，準備在高功率半導體元件測試市場大展身手。右為美商國家儀器自動化測試行銷經理潘建安

　　美商國家儀器自動化測試東亞區行銷技術經理張天生表示，隨著LED單價驟降，降低生產成本亦面臨極大的挑戰，遂讓更具成本競爭力的PXI模組化測試儀器優勢盡現，也因此，該公司持續推出采用PXI模組化架構開發的新款SMU儀器。

　　不僅是LED，IGBT、MOSFET等功率半導體元件亦需高瓦數的SMU進行測試，但隨著LED和功率半導體元件的價格直落，半導體廠商已愈來愈無力負擔售價高昂的高瓦數SMU，將讓PXI模組化SMU勢力有機會在測試儀器市場抬頭。

　　美商國家儀器自動化行銷經理潘建安指出，不同于市面上的SMU儀器僅有八個通道，該公司新推出的SMU機臺PXIe 4139可擴充多達十七個通道，不僅測試速度快三倍，更可藉此減少測試成本。

　　據了解，PXIe 4139可應用于LED封裝和終端，以及功率半導體元件的研發及產線端。張天生強調，由于PXIe 4139測試速度快又精準，且測試量大，因此在產線端更能彰顯其價值。

　　除大大降低測試成本之外，PXIe 4139也改善傳統SMU暫態響應（Transient Response）不夠快速精確的弊病。張天生說明，美商國家儀器挾獨有的SourceAdapt技術，消弭傳統SMU暫態響應過慢的缺陷，因此不會再發生因電壓或電流過衝（Overshooting）而造成待測物損毀的情形，有助進一步提高測試效率。