我們的調(diào)查反饋仍然有差異，當(dāng)前的EUV吞吐量大約每小時7-15片晶圓左右，遠(yuǎn)低于每小時60片的目標(biāo)，Muse說。不過，這仍然讓Cymer領(lǐng)先其主要競爭對手Gigaphoton約六個月。

　　另一個問題是，當(dāng)ASML和Nikon在2012年出貨其EUV工具時，EUV光源必須達(dá)到要求的目標(biāo)。

　　“根據(jù)技術(shù)藍(lán)圖，HVM Gen 1 Cymer光源的目標(biāo)是達(dá)到105W的輸出功率;HVM Gen 2約達(dá)250W(根據(jù)目前揭露的設(shè)計細(xì)節(jié))，而HVM Gen 3則約350W;”Muse說。“也就是說，Cymer的腳步有點落后于功耗調(diào)整。他們目前的光源是運作在11W左右;該公司主管認(rèn)為今年中他們將達(dá)到約22W，實驗室的性能表現(xiàn)約為80W，而2011年中可望實現(xiàn)100W功率并推出產(chǎn)品，希望2011年第四季能交付給客戶。”

　　放電激發(fā)電漿型(discharge-produced plasma,DPP)和激光激發(fā)電漿型(LPP)光源技術(shù)將以平均10~20W的曝光功率水平持續(xù)對ASML的NXE:3100設(shè)備作出貢獻，咨詢公司EUV Litho Inc.總裁Vivek Bakshi表示。

　　“我估計在2011年該數(shù)字將增加一倍達(dá)到40W，在2012年之前都無法實現(xiàn)100W的目標(biāo)，”他說。“所以我們可以預(yù)期100W的光源與NXE:3300工具同時問世，這是一件好事，因為100W可支援每小時80片晶圓的吞吐量，一些專家認(rèn)為必須為量產(chǎn)做準(zhǔn)備，”他表示。

　　這是個好消息。現(xiàn)在，輪到壞消息了。“我相信，目前的光源技術(shù)版本可以達(dá)到100~150W。然而，就算達(dá)到100W，我們還是需要更多的創(chuàng)新，以獲得150W和發(fā)展250W光源，我們還需要思考更多。”

　　不過，最大的問題是，EUV技術(shù)是否仍是芯片生產(chǎn)的首要考量。而在這其中，EUV技術(shù)仍然落后遂成為關(guān)鍵。SanDisk-東芝已經(jīng)推出24nm的NAND元件，并宣布今年稍晚將推出1-x納米產(chǎn)品。

　　對于，SanDisk與東芝的合資工廠使用193nm浸入式光刻技術(shù)，再加上雙重曝光技術(shù)生產(chǎn)24nm的NAND元件，稱之為隔層(spacer)技術(shù)，SanDisk的Pham說。據(jù)報導(dǎo)，Hynix、美光(Micron)和三星都在2-x納米NAND生產(chǎn)中使用了類似技術(shù)。

　　在發(fā)展1-x納米節(jié)點早期階段，有跡象顯示NAND閃存廠商SanDisk-東芝可能需要延長193nm浸入式技術(shù)，直到EUV準(zhǔn)備好，Pham表示。

　　另一家廠商──三星，則一直努力推動將EUV技術(shù)導(dǎo)入DRAM和閃存的生產(chǎn)。三星認(rèn)為DRAM將是率先使用EUV的應(yīng)用，理論上這適用于下一代元件中難以致密的接觸孔成像和間隔。

　　在邏輯方面，英特爾公司計劃將目前的193nm浸入式光刻技術(shù)拓展到14nm邏輯節(jié)點，預(yù)計在2013年下半年實現(xiàn)。然后，這家芯片巨擘希望在10nm節(jié)點使用EUV技術(shù)，該目標(biāo)預(yù)計在2015年下半年達(dá)到。

　　英特爾的10nm節(jié)點發(fā)展已歷時四年多，該公司目前正在制訂相關(guān)設(shè)計規(guī)則，但延遲的EUV依然未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節(jié)點設(shè)計規(guī)則的定義，”英特爾光刻技術(shù)總監(jiān)Sam Sivakumar說。(參考閱讀：英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯過良機)

　　另外兩家代工競爭對手──Globalfoundries和臺積電(TSMC)則有不同的光刻技術(shù)策略。

　　一些人認(rèn)為EUV技術(shù)在6.7nm波長的基礎(chǔ)上將是更可行的解決方案，這很有可能推動次1nm元件的實現(xiàn)。但像13.5nm EUV、6.7nm等技術(shù)卻面臨著許多相同障礙：光源能、測量等。

　　基于6.7nm波長的EUV技術(shù)是一種有趣的概念，但業(yè)界至今甚至仍未征服13.5nm技術(shù)，TSMC納米成像部門副總裁Burn Lin觀察。

　　那么，EUV技術(shù)是不是有可能永遠(yuǎn)無法成為商業(yè)上可行的量產(chǎn)方案，即使投注了大量的時間和金錢?“當(dāng)然，”Peterson Advanced Lithography公司總裁暨主席Jim Peterson說。Peterson Advanced Lithography是一家提供光刻產(chǎn)品和服務(wù)的公司。

　　“如果一項技術(shù)具有競爭力，那么，在進入商用化之前，它就必須取得巨大的進展，”日本凸版印刷(Toppan Printing)美國子公司Toppan Photomasks技術(shù)長Franklin Kalk說。

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　　圖：造價高昂的EUV光刻系統(tǒng)

　　Kalk堅持，EUV光罩在這點上并沒有遭遇瓶頸;EUV光罩的成像非常簡單，但直到EUV進入量產(chǎn),業(yè)界是不會知道哪一個步驟是必須在EUV光罩上進行缺陷管理的，他表示。

　　Kalk和一些專家指出，EUV技術(shù)的商業(yè)化生產(chǎn)并不是一個問題。可能有很多公司口袋很深，也或許只有少數(shù)幾家，但這些公司將繼續(xù)建立先進的晶圓廠并持續(xù)EUV的研發(fā)，Kalk說。“這必然會發(fā)生。”

　　不過，Kalk也與其他人一樣，關(guān)注EUV的潛在吞吐量。目前的共識是EUV生產(chǎn)工具必須達(dá)到至少每小時65~80片晶圓的吞吐量，才能讓EUV具經(jīng)濟效益。雖然根據(jù)Kalk的建議，這將是初期令人滿意的吞吐量，但長遠(yuǎn)來看，吞吐量也將有所改善，他說。

　　對許多人來說，EUV是唯一的下一代光刻技術(shù)。“光學(xué)光刻已經(jīng)接近尾聲了，”VLSI Research的CEO Dan Hutcheson和該公司的Puhakka表示。他們指出，短期內(nèi)EUV是昂貴的，但也只有它才能確保競爭力。