根據(jù)IDC預(yù)測(cè)，到2024年底，全球內(nèi)置GenAI功能的智能手機(jī)出貨量將達(dá)2.342億部，同比增長(zhǎng)363.6%，占整體出貨量的19%；到2028年，這一數(shù)字預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至9.12億部，2024年至2028年的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到78.4%。這種快速增長(zhǎng)反映了市場(chǎng)對(duì)智能化服務(wù)和用戶體驗(yàn)升級(jí)的強(qiáng)烈需求。GenAI功能不僅提供更個(gè)性化和智能的服務(wù)，還對(duì)智能手機(jī)硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存儲(chǔ)器，以確保手機(jī)流暢運(yùn)行。

近日，佰維存儲(chǔ)推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X，產(chǎn)品采用了1bnm制程工藝，與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量為8GB、12GB、16GB（ES階段），為旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備提供卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢(shì)。
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速率提升33%，加速高性能移動(dòng)設(shè)備AI應(yīng)用

佰維LPDDR5X的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8533Mbps，較上代產(chǎn)品提升33%。這一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先進(jìn)的時(shí)鐘技術(shù)和電路設(shè)計(jì)，支持更高的時(shí)鐘頻率，從而實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。同時(shí)，為了在更高的頻率下保持信號(hào)的穩(wěn)定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先進(jìn)的信號(hào)完整性和抗干擾技術(shù)。
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此外，LPDDR5X通過(guò)降低電壓擺幅和采用更高效的驅(qū)動(dòng)器和接收器設(shè)計(jì)，提高了信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力和接收靈敏度，從而支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。LPDDR5X還優(yōu)化了內(nèi)部時(shí)序參數(shù)，降低了CAS Latency，減少了數(shù)據(jù)訪問(wèn)等待時(shí)間，并通過(guò)改進(jìn)行激活時(shí)間和行預(yù)充電時(shí)間，提高了整體效率，確保在高頻率下仍能保持穩(wěn)定和高效的數(shù)據(jù)傳輸，助力高性能移動(dòng)設(shè)備AI應(yīng)用。
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功耗降低25%，更高能效提升設(shè)備續(xù)航能力

佰維LPDDR5X采用了先進(jìn)的1bnm制程工藝和創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)。產(chǎn)品通過(guò)降低輔助電源電壓（VDD2），減少了整體功耗。產(chǎn)品還進(jìn)一步優(yōu)化了動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)（DVFS），可根據(jù)實(shí)際負(fù)載情況動(dòng)態(tài)調(diào)整工作電壓和頻率，在低負(fù)載時(shí)降低電壓和頻率，從而顯著減少功耗；在空閑時(shí)進(jìn)入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），大幅降低功耗，延長(zhǎng)電池壽命。
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此外，LPDDR5X引入了自適應(yīng)刷新技術(shù)，可根據(jù)實(shí)際工作條件動(dòng)態(tài)調(diào)整刷新周期。這使得內(nèi)存可以在保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的同時(shí)，減少不必要的刷新操作，從而降低功耗。這些技術(shù)改進(jìn)共同確保了LPDDR5X在高性能移動(dòng)設(shè)備和計(jì)算平臺(tái)中的高效能和長(zhǎng)續(xù)航能力。
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先進(jìn)測(cè)試能力加持，打造高品質(zhì)與一致性

DRAM芯片產(chǎn)品的核心技術(shù)之一在于測(cè)試。佰維存儲(chǔ)基于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的全維度深入理解，采用了行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái)Advantest T5503HS2，并結(jié)合自研的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備，以及自研測(cè)試軟件平臺(tái)、核心測(cè)試算法，覆蓋了從設(shè)計(jì)驗(yàn)證到量產(chǎn)測(cè)試的全過(guò)程。通過(guò)先進(jìn)的測(cè)試技術(shù)和嚴(yán)格的品質(zhì)控制流程，佰維存儲(chǔ)能夠有效識(shí)別和排除潛在的質(zhì)量問(wèn)題，確保每一顆LPDDR5X芯片在性能、可靠性和穩(wěn)定性方面均符合嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，打造產(chǎn)品的高品質(zhì)和一致性。
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/ 結(jié)語(yǔ) /

佰維存儲(chǔ)LPDDR5X內(nèi)存憑借其顯著提升的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，可為高端智能手機(jī)、筆記本電腦、5G設(shè)備等高性能設(shè)備提供卓越的操作體驗(yàn)，并助力其實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的電池續(xù)航和更高的整體性能。展望未來(lái)，隨著端側(cè)AI應(yīng)用的不斷普及和發(fā)展，本地實(shí)現(xiàn)流暢運(yùn)行大模型對(duì)終端設(shè)備的存儲(chǔ)能力帶來(lái)更高要求，驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)提速、擴(kuò)容。佰維存儲(chǔ)將繼續(xù)發(fā)揮其研發(fā)封測(cè)一體化布局優(yōu)勢(shì)，通過(guò)在存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、解決方案研發(fā)、封測(cè)制造等領(lǐng)域的持續(xù)研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，不斷滿足智能終端市場(chǎng)對(duì)更高性能、更低功耗、更高可靠性的存儲(chǔ)解決方案的需求，助力客戶提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
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