各種光刻技術你都了解嗎？

最近，***話題異常火熱，似乎全世界都在關注中國本土相關產業的發展。

要想制造出一臺可商用的高端***（可制造7nm及更先進制程芯片），是一項復雜的工程，因為高端***所需要的精密零部件太多了，每一種的技術含量都非常高，而且，要想把這些零部件組合成一臺可用的機器，需要長期的技術和實踐積累。

光刻這個概念，有廣義和狹義之分。在狹義層面，就是用光去“復印”集成電路圖案，這也是我們常說的光學光刻技術，特別是紫外線光刻技術（DUV和EUV）。在廣義層面，光刻泛指各種集成電路“復印”和“印刷”技術，這些技術中，有的用光，有的不用光（如電子束和納米壓印光刻）。

按應用劃分，半導體光刻技術主要用在三個領域：前道工序的集成電路制造，后道工序的芯片封裝，以及顯示面板的制造。其中，技術含量最高、受關注度最高的就是前道工序光刻工藝，我們常說的DUV和EUV，就是這一部分應用。本文主要討論這一領域的光刻技術。

?01 光刻技術總覽

首先，我們先從廣義層面了解一下各種光刻技術。

在半導體行業，光刻技術的發展經歷了多個階段，接觸/接近式光刻、光學投影光刻、分步（重復）投影光刻出現時間較早。目前，集成電路制造主要采用光學光刻技術，包括掃描式光刻、浸沒式掃描光刻、極紫外光刻工藝。此外，還有X射線、電子束光刻、聚焦粒子束光刻、納米壓印、激光直寫技術。

光學光刻，是通過照射，用投影方法將掩模上的大規模集成電路結構圖形“畫”在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖，光學光刻需要掩模。集成電路的最小特征尺寸與光刻系統的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的有效途徑。因此，開發新型短波長光源***一直是業界的研究熱點。

電子束光刻，該技術不需要掩模，直接將會聚的電子束斑打在表面涂有光刻膠的襯底上。電子束光刻存在的一些問題阻礙了該技術的普及，例如：電子束高精度掃描成像曝光效率低；電子在抗蝕劑和基片中的散射和背散射現象造成的鄰近效應；在實現納米尺度的加工中，電子抗蝕劑和電子束曝光及顯影、刻蝕等工藝技術問題。

聚焦離子束（Focused Ion beam, FIB）光刻，是利用電透鏡將離子束聚焦成小尺寸的顯微切割儀器，它的工作原理與電子束光刻相近。目前，商用的離子束為液態金屬離子源，金屬材質為鎵。典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子控制面板，以及計算機等設備。外加電場于液相金屬離子源，可使液態鎵形成細小尖端，再加上負電場，牽引尖端的鎵，導出鎵離子束，通過電透鏡聚焦，經過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可調整離子束的大小，再經過二次聚焦至試片表面，利用物理碰撞來達到切割的目的。

納米壓印光刻，采用電子束等技術將電路圖案刻制在掩模版上，然后通過掩模使對象上的聚合物變形，再采用某種方式使聚合物固化，進而完成圖案的轉移。納米壓印分辨率高，成本低，但存在刻套誤差大、缺陷率高、掩模版易被污染的缺點。

?02 主流光學光刻工藝

如前文所述，狹義層面的光刻，也就是目前的主流光刻技術，其基本原理是：利用光通過具有圖形的光罩（掩模版）對涂有光刻膠的晶圓曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，使光罩上的電路圖復印到晶圓上，形成電子線路圖。

光刻系統非常復雜，整個設備由光源、投影物鏡、工件臺、掩模臺、對準與測量、掩模傳輸、晶圓傳輸等部分組成。此外，還需要環境與電氣系統、光刻計算（OPC）與掩模優化（SMO）軟件、顯影、涂膠設備提供支持。

隨著制程工藝的演進，***各個系統也在不斷優化升級，雙工件臺技術與浸液技術相繼被采用。?

目前，在前道工序集成電路制造方面，主要采用的都是紫外線光刻工藝，包括深紫外DUV和極紫外EUV。而在早些年，半導體制程工藝還沒演進到180nm節點，那時的光刻精度沒現在這么高，也不需要用到DUV和EUV，采用的是接觸/接近式***（Aligner），掃描投影/重復步進***（Stepper）。

當制程工藝發展到0.25微米后，步進掃描式***（Scanner）的掃描曝光視場尺寸與曝光均勻性更具優勢，逐步成為主流光刻設備（DUV和EUV）。其利用 26mm x 8mm 的狹縫，采用動態掃描的方式（掩模版與晶圓片同步運動），可以實現 26mm x 33mm 的曝光場。當前曝光場掃描完畢后，轉移至下一曝光場，直至整個晶圓曝光完畢。

為了滿足不斷提升的性能指標要求，***的各個組成系統不斷突破光學、精密機械、材料等領域的技術瓶頸，實現了多項高精尖技術的融合。最近這幾年，在EUV光刻系統中，光源的重要性似乎更加凸出，也受到了更多關注。

通過配置不同類型的光源（i線、KrF、ArF，EUV），步進掃描***可以支持所有集成電路制程節點，但為滿足最先進制程的要求，每一代步進掃描***都歷經了重大技術升級，例如：步進掃描式*** 26mm x 8mm 的靜態曝光場相對較小，降低了物鏡系統制造的難度；但其工件臺與掩模臺反向運動的動態掃描方式，提升了對運動系統的性能要求。

?03 從DUV到EUV

自1990年SVGL公司推出Micrascan I步進掃描***以來，***產業就進入了DUV時代，一直到7nm芯片量產，DUV都是市場的統治者。在這一過程中，DUV技術也在不斷演進，以滿足制程工藝的發展要求。例如，越先進的制程，其線寬越小，這就需要***具有更高的曝光分辨率，為了提升分辨率，要不斷提高***物鏡的數值孔徑（NA），并采用波長更短的光源，另外，浸沒式光刻系統也是一大發明，它通過在物鏡鏡頭和晶圓之間增加去離子水來增大折射率，達到了提升分辨率的效果。

當制程工藝發展到22nm時，必須引入新的方法才能進一步提升光刻的分辨率，多重曝光技術誕生。多重曝光技術有多種類型，包括：雙重曝光（DE），曝光-固化-曝光-刻蝕（LFLE），雙重曝光（LELE），三重曝光（LELELE），自對準多重曝光（SAMP）。

多重曝光是把原來一層光刻圖形拆分到兩個或多個掩模版上，以實現圖像密度的疊加，這樣就實現了比***極限分辨率更小的圖形。例如，用DUV加上四重曝光技術（SAQP）進行多次曝光處理，可使制程工藝水平由雙重曝光（SADP）的40nm提升到20nm。

當制程節點演進到5nm時，DUV和多重曝光技術的組合也難以滿足量產需求了，EUV***就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個生產線的良率也非常低，無法形成大規模的商業化生產。

隨著制程節點不斷演進，3nm、2nm芯片已經或即將問世，行業對EUV***的要求越來越高，對其發展前景和發展路徑也提出了更多期待。

雖然EUV光刻系統每一個主要組成部分都需要高精尖技術，但光源的重要性更加凸出，特別是近些年，中國在發展EUV***方面不斷積蓄力量，光源是重中之重。

光源波長越短，***分辨率越高，制程工藝越先進。與DUV使用的準分子激光光源不同，EUV***采用13.5nm波長的離子體光源，這種光源是通過二氧化碳激光器轟擊霧化的錫（Sn）金屬液滴，將它們蒸發成等離子體（激光等離子體，LPP），通過高價錫離子能級間的躍遷獲得的。

?04 EUV的未來發展路徑

目前，3nm制程芯片已經實現量產，未來3年內，2nm量產幾無懸念，而在可預見的未來幾年內，1nm，甚至更先進制程芯片也將陸續量產。在這樣的行業背景下，EUV***的重要性愈加凸出。

目前來看，EUV***必須不斷演進，才能跟上制程工藝發展的步伐，而要提升光刻精度，除了提升物鏡的數值孔徑NA，人們將主要精力放在了提升光源分辨率上，增加光源功率是一條重要發展路徑。

目前，最先進的EUV***都是由ASML生產的，已商用的EUV的NA最高達到了0.33，而NA值為0.55的EUV產品也將在2024年問世，并有望在2025年實現商用。

光源方面，要提升功率，有幾條發展路徑可供選擇。

一、傳統的LPP光源系統，可以在已有基礎上，不斷增加功率。

LPP光源的好處是轉換率高，大廠都希望功率能達到200W以上的工業應用標準，這就需要龐大的二氧化碳激光裝置。在實際應用中，高水平的EUV LPP光源的激光器需要達到20kW的功率，而這樣的發射功率經過重重反射，達到焦點處的功率只有350W左右。

更小的功率并不是說不能正常運行，只是對于一臺售價上億美元的***來說，這樣的功率還不足以最大化利用率，尤其是到了3nm和2nm制程節點后，為了最大化掃描速度，3nm節點需要1500W的焦點功率，2nm節點需要2800W的焦點功率。而這樣的功率是現有LPP EUV達不到的。目前，在這方面較為領先，也在加緊研究的是ASML公司。

二、可以采用分時高功率光纖激光器射擊液態錫靶技術，用這種方法制造的光源，其光源功率有望超過傳統LPP數倍。

三、使用能量回收型直線加速器（ERL）的FEL（自由電子激光）方案，這種光源的極限功率也很高，最高可達10kW。根據日本高能加速器研究機構給出的數據，FEL可以做到近LPP方案七分之一的耗電成本。不過，這種光源存在不少需要突破的技術難點，而且造價高昂。

基于SSMB原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外波段。下圖所示為SSMB原理驗證實驗示意圖。