近年來，國家對半導體行業越來越重視，已經將集成電路作為重點發展的戰略產業之一。作為全球最重要的電子制造基地，中國的電子應用市場巨大，有著廣闊的前景。盡管如此，我們仍不能過于驕傲，畢竟還有很多的技術等待著去突破，除了芯片相關技術，晶圓的制造也是相對薄弱的環節。

電子產業有一個特點，越往上游企業相對越少，技術難度越大，晶圓是造芯片的原材料，屬于芯片的上游。芯片、晶圓制造都屬于 “航天級”的尖端技術，難度系數均是最高的一級，晶圓制造是比造芯片還要難的一門技術。如果把芯片比作宇宙飛船，那么晶圓就是航空母艦了，沒幾家能造得出來。

全球能制造高純度電子級硅的企業不足100家，其中主要的15家硅晶圓廠壟斷95%以上的市場。在晶圓制造上，沒有所謂的“百花齊放”，有的是巨頭們的“孤芳自賞”，正是如此，全球的晶圓也是持續漲價，市場呈現一種繁榮景氣的形勢。

晶圓制造到底難在哪？

晶圓的制造工藝倒不是很復雜，其難度在于半導體產品對晶圓的純度要求很高，純度需要達到99.999999999%或以上。

以硅晶片為例，硅從石英砂里提煉出來，在高溫下，碳和里面的二氧化硅發生化學反應只能得到純度約為98%的純硅，這對于微電子器件來說不夠純，因為半導體材料的電學特性對雜質的濃度非常敏感，因此需要進一步提純。

而在進行硅的進一步提純工藝中，光刻技術的難度很高，在晶圓制造工藝中，光刻是必須經歷的一個步驟。

光刻工藝是晶圓制造最大的“一道坎”

晶圓制造中的光刻是指在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

1、光刻去薄膜是晶圓制造的必經流程

由于晶圓生產工藝中，其表面會形成薄膜，這需要光刻技術將它去掉。在晶圓制造過程中，晶體、電容、電阻等在晶圓表面或表層內構成，這些部件是每次在一個掩膜層上生成的，并且結合生成薄膜及去除特定部分，通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留特征圖形的部分。

2、光刻確定尺寸，馬虎不得

光刻確定了器件的關鍵尺寸，光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，最終可轉化為對器件的電特性產生影響。

3、高端光刻機產能嚴重不足

光刻機也叫掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，常用的光刻機是掩膜對準光刻。光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。目前光刻機市場，以荷蘭、日本的企業為主力軍，全球能制造出光刻機的企業不足百家，能造出頂尖的光刻機的不足五家，在高端光刻機市場，中國企業幾乎全軍覆沒。