在半導體芯片、封裝和系統層級中，更高的密度、性能、速度和微型化都造成電子產品的高熱發散量和高耗電量，所以要達成系統級冷卻所需要的功耗實際是有限制條件的，認為系統級冷卻可以解決所有問題其實是一種誤解。

　　不同于系統級冷卻方式，新的電子產品熱量管理方法可以解決何時及何處需要適當冷卻的問題，這種方式可在芯片和模塊層級達成均勻性，因此系統端可以更有效率。

　　散熱銅柱凸塊（copper pillar bump，CPB）方式是將薄膜熱電材料整合到倒裝封裝的焊錫凸塊中，芯片表面可以產生主動式熱量和功耗管理，制造方式可以無縫進行并確保為業界所接受。

　　散熱凸塊可整合成標準倒裝封裝工藝的一部分（圖1），并可與電性凸塊結合，這種技術提供電子產品新的散熱功能，可以和晶體管、電阻和電容一起整合到電路設計之中。

圖1：散熱和電性凸塊

　　這種技術延伸了傳統焊錫凸塊連接的應用，并提供倒裝芯片組件與整合的主動式冷卻功能，其功耗生成能力使得銅柱凸塊能夠運用在能源回收上，在此之前，焊錫凸塊只能提供機械性、電性和被動式的散熱功能。

　　主動式的散熱銅柱凸塊當電流流經60微米高的凸塊時可以達成60℃的溫差，此外，最大功耗汲取能力超過每平方厘米150瓦，而當接觸熱時可以產生10毫瓦的功耗。

　　散熱銅柱凸塊結構

　　圖二顯示TE支柱的電子顯微鏡截面圖，TE元素在結構上相當于銅柱凸塊堆棧加上額外的一層TE層，增加的TE層把標準的銅柱凸塊轉變成主動式熱電銅柱凸塊。當電性和散熱性正確的配置時，TE層可提供主動式熱電性，將熱從凸塊的一端傳導至另一端。

圖2：散熱í?柱凸塊的橫截面