2023年1月13日 ，知名物理IP提供商銳成芯微（Actt）宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。 近年來(lái)，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來(lái)越高，22nm
2023-01-13 09:50:43
2361 5月18日，杭州地芯科技有限公司新品發(fā)布會(huì)在上海順利舉行，全球范圍內(nèi)率先發(fā)布基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——地芯云騰GC0643。地芯云騰是地芯科技完全自主創(chuàng)新的CMOS工藝
2023-05-19 09:39:53875 
SPDT_CBMG719助力于開關(guān)電路應(yīng)用CBMG719是單刀雙擲CMOS開關(guān),用于在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)的切換和控制。CBMG719可在1.8V至5.5V的單電源范圍內(nèi)工作，非常適合用于電池供電的儀器
2024-09-24 14:45:451919 
Bi-CMOS工藝將雙極型器件（Bipolar）與CMOS工藝結(jié)合，旨在融合兩者的優(yōu)勢(shì)。CMOS具有低功耗、高噪聲容限、高集成度的優(yōu)勢(shì)，而雙極型器件擁有大驅(qū)動(dòng)電流、高速等特性。Bi-CMOS則能通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)速度與功耗的平衡，兼具CMOS的低功耗和雙極器件的高性能。
2025-03-21 14:21:092570 
在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)采集與通訊系統(tǒng)等場(chǎng)景中，差分信號(hào)因具備抗共模干擾、低傳輸損耗的優(yōu)勢(shì)，成為高精度信號(hào)傳輸?shù)氖走x形式。芯佰微電子（Corebai）推出的CBMG709低壓CMOS差分4:1多路復(fù)用
2025-08-27 14:42:012768 
作為硬件設(shè)計(jì)工程師，在信號(hào)切換電路開發(fā)中，常面臨“機(jī)械繼電器體積大、功耗高”“普通模擬開關(guān)失真嚴(yán)重”的痛點(diǎn)。今天要解析的CBMG601，是一款專為解決這些問(wèn)題打造的CMOS單刀單擲（SPST）常開
2025-10-17 15:24:372735 
2025年11月25日，芯佰微電子（北京）有限公司“以芯為核?智聯(lián)世界——CBMRF9002/9009國(guó)產(chǎn)射頻芯片線上發(fā)布會(huì)”圓滿收官。這場(chǎng)聚焦通信基建核心器件國(guó)產(chǎn)化的直播，吸引了超200家5G基站
2025-11-27 13:29:396087 
2023年3月2日，成都銳成芯微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺(tái)的LogicFlash Pro? eFlash IP產(chǎn)品，其特點(diǎn)是在BCD工藝節(jié)點(diǎn)上
2023-03-02 18:16:071542 
近日，瑞芯微第七屆開發(fā)者大會(huì)在福州隆重舉行，佰維作為生態(tài)合作伙伴受邀亮相。 本屆大會(huì)包括主峰會(huì)論壇與6場(chǎng)技術(shù)分論壇、2場(chǎng)Workshop，設(shè)置了37個(gè)生態(tài)合作伙伴展區(qū)、13個(gè)芯片應(yīng)用展區(qū)，全方位展示
2023-03-06 11:28:35854 在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
CMOS是一個(gè)簡(jiǎn)單的前道工藝，大家能說(shuō)說(shuō)具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
：AWR1x和IWR1x。全新毫米波傳感器產(chǎn)品組合中的5款器件都具有小于4厘米的距離分辨率，距離精度低至小于50微米，范圍達(dá)到300米。同時(shí)，功耗和電路板面積相應(yīng)減少了50%。且看單芯片毫米波傳感器如何拋棄鍺硅工藝，步入CMOS時(shí)代？
2019-07-30 07:03:34
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 芯茂微_芯茂微電子_芯茂微AC-DC電源管理芯片，是芯茂微代理商深圳市芯茂微電子坐落于深圳羅湖，是一家從事高性能模擬及數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)的企業(yè)。公司主要聚焦在
2020-06-07 22:35:19
內(nèi)窺鏡按其結(jié)構(gòu)特性分為三類，一類是以CCD/CMOS為圖像轉(zhuǎn)換器件的電子內(nèi)窺鏡，如醫(yī)用電子胃鏡、電子腸鏡和電子支氣管鏡等；另一類是以光纖為圖像傳輸元件的光纖內(nèi)窺鏡，如胃鏡、腸鏡和支氣管鏡等；第三類為硬管內(nèi)
2013-01-03 13:07:18
產(chǎn)品介紹AT2401C 是一款面向Zigbee，無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無(wú)線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片。AT2401C 是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成
2019-07-17 12:22:28
MagnaChip Semiconductor Ltd.今天宣布，推出用于電腦、筆記本和手機(jī)攝像頭應(yīng)用產(chǎn)品的 VGA 原裝拜耳 (Bayer) 輸出 CMOS 圖像傳感器 (MC502ER
2018-11-16 16:17:16
Maxim推出堅(jiān)固耐用的/PR系列塑封器件，適合軍用和航空設(shè)備Maxim推出堅(jiān)固耐用的/PR系列塑封器件，用于高可靠性的軍用和航空設(shè)備。/PR器件專為高溫和高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)制造，在+135°C下經(jīng)過(guò)
2008-12-01 08:12:42
的Scaler+HDMI TX芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，兩者區(qū)別是帶或者不帶Sclaer。芯視音科技已有的VGA轉(zhuǎn)HDMI方案是利用旗下的CV1860+HDMI TX實(shí)現(xiàn)，為了滿足客戶對(duì)單芯片低成本的需求，日前終于推出單
2013-01-14 16:09:58
低功耗44Gb/s CDR芯片內(nèi)嵌在CMOS芯片里該芯片在數(shù)據(jù)率為40Gb/s時(shí)的功耗為0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)制成的器件的1/3。它使用了創(chuàng)新的3X過(guò)采樣構(gòu)架
2009-05-26 17:23:24
單芯線對(duì)于高頻來(lái)說(shuō)，因?yàn)橼吥w效應(yīng)，損耗大，所以高頻時(shí)盡量采用多芯線嗎？λ/4 單阜天線多采用單芯線（0.8-1.6），應(yīng)該避免使用多芯線。這是我在一本資料上看的，是資料有問(wèn)題，還是因?yàn)橼吥w效應(yīng)對(duì)于λ/4 單阜天線來(lái)說(shuō)是有好處的？
2015-07-16 11:00:30
隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對(duì)于模擬與射頻集成電路來(lái)說(shuō)，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
×1.0mm。基于自研的高一致性SPAD，獲得優(yōu)異的性能穩(wěn)定性，適應(yīng)更多不同應(yīng)用環(huán)境需求。近日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的深度傳感與微光成像芯片設(shè)計(jì)公司北極芯微宣布，推出全新的單光子dToF傳感器微型模組DTS6007M。這是
2023-02-22 11:22:58
)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
。AT2401C 是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。該芯片的常規(guī)應(yīng)用主要包括工業(yè)控制自動(dòng)化
2018-07-28 15:18:34
本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計(jì)中的IP硬核，在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33
的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下變頻器、低相位噪聲壓控振蕩器（VCO）和雙模數(shù)預(yù)分頻器（prescaler）。這些研究表明，在無(wú)須增加額外器件或進(jìn)行調(diào)整的條件下，可以設(shè)計(jì)出完全集成的接收器和VCO電路
2019-08-22 06:24:40
有沒有瑞芯微RK3399芯片參數(shù)，及RK3399盒子方案？歡迎交流一下
2021-07-19 11:38:20
度、集成度、功耗和成本等幾個(gè)方面深入的分析了利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝來(lái)設(shè)計(jì)開發(fā)高速模擬器件和混合處理芯片的現(xiàn)狀及發(fā)展?jié)摿Α?關(guān)鍵詞：CMOS工藝；特征頻率 fT； 單片系統(tǒng)SoC；短距離并行光傳輸系統(tǒng)VSR
2018-11-26 16:45:00
】：隨著半導(dǎo)體工藝向深亞微米、超深亞微米方向迅速發(fā)展,集成電路的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)變得更加嚴(yán)重。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)是空間應(yīng)用中廣泛采用的存儲(chǔ)器件。SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)是主要的空間輻射效應(yīng)之一[1-2
2010-04-22 11:50:00
瑞芯微芯片處理器詳細(xì)資料分享
2021-01-15 06:41:01
瑞芯微芯片處理器詳細(xì)資料分享
2021-12-28 10:33:08
瑞芯微RK3188芯片設(shè)計(jì)資料大全
2021-01-19 06:50:21
瑞芯微RK3188芯片設(shè)計(jì)資料大全
2021-12-28 10:32:50
瑞芯微RK3568芯片具有哪些功能應(yīng)用？
2022-03-02 08:56:14
瑞芯微RK3568怎么樣？
2022-03-02 10:04:08
大家好，有沒有人看到過(guò)，半導(dǎo)體器件按照工藝進(jìn)行分類的資料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 體硅CMOS NMOS TTL等這樣的分類。先謝謝了
2012-07-02 10:09:49
CBMG120B指紋模組產(chǎn)品推薦交流。活動(dòng)將于6月18日下午在微納點(diǎn)石創(chuàng)新空間舉辦。歡迎電子工程師、產(chǎn)品需求企業(yè)代表等共同參與本期推薦：芯邦科技——CBMG120B指紋模組CBMG120B指紋模組是由芯邦科技推出
2021-06-10 17:14:56
2023年3月2日，成都銳成芯微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺(tái)的LogicFlash Pro? eFlash IP產(chǎn)品，其特點(diǎn)是在BCD工藝節(jié)點(diǎn)上
2023-03-03 16:42:42
2023年1月13日，知名物理IP提供商 銳成芯微（Actt） 宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。近年來(lái)，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來(lái)越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
CBMG711、CBMG712 和 CBMG713 是內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片 CMOS 器件。該工藝提供低功耗，同時(shí)提供高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和寬帶寬特性。產(chǎn)品設(shè)計(jì)為在單電源
2024-10-24 10:19:04
CBMG711、CBMG712 和 CBMG713 是內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片 CMOS 器件。該工藝提供低功耗，同時(shí)提供高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和寬帶寬特性。產(chǎn)品設(shè)計(jì)為在單電源
2024-10-29 16:57:50
CBMG711、CBMG712 和 CBMG713 是內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片 CMOS 器件。該工藝提供低功耗，同時(shí)提供高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和寬帶寬特性。產(chǎn)品設(shè)計(jì)為在單電源
2024-10-29 17:10:20
CBMG721、CBMG722和CBMG723均為單芯片CMOS單刀單擲（SPST）開關(guān)，采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性。CBMG721、CBMG
2024-11-22 14:09:36
CBMG721、CBMG722和CBMG723均為單芯片CMOS單刀單擲（SPST）開關(guān)，采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性。CBMG721、CBMG
2024-11-22 14:18:03
CBMG721、CBMG722和CBMG723均為單芯片CMOS單刀單擲（SPST）開關(guān)，采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性。CBMG721、CBMG
2024-11-22 14:25:45
CBMG701是一款單芯片CMOS單刀單擲（SPST）開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性，-3 dB帶寬可以達(dá)到200 MHz以上。CBMG701可以采用1.8 V至5.5 V單電源供電，非常適合用在電池供電儀表中。
2024-11-22 14:31:11
CBMG702是一款單芯片CMOS單刀單擲（SPST）開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和低泄漏電流特性，-3 dB帶寬可以達(dá)到200 MHz以上。CBMG701可以采用1.8 V至5.5 V單電源供電，非常適合用在電池供電儀表中。
2024-11-25 13:34:08
CBMG736是一款單芯片器件，內(nèi)置兩個(gè)獨(dú)立可選的CMOS單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。這些開關(guān)采用亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和寬輸入信號(hào)帶寬特性。導(dǎo)通電阻曲線在整個(gè)
2024-11-25 13:39:23
CBMG711是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG711采用+1.8 V至+5.5 V單
2024-11-25 13:42:55
CBMG712是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG712采用+1.8 V至+5.5 V單
2024-11-25 13:49:27
CBMG713是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG713采用+1.8 V至+5.5 V單
2024-11-25 13:55:49
CBMG781是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG781采用+1.8 V至+5.5 V單電源供電，非常適合用在電池供電儀表中。
2024-11-25 13:58:20
CBMG782是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG782采用+1.8 V至+5.5 V單電源供電，非常適合用在電池供電儀表中。
2024-11-25 14:00:46
CBMG783是一款單芯片CMOS器件，內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選的開關(guān)。它采用先進(jìn)的亞微米工藝設(shè)計(jì)，具有低功耗、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和高帶寬特性。CBMG783采用+1.8 V至+5.5 V單電源供電，非常適合用在電池供電儀表中。
2024-11-25 14:10:15
CBMG728是一款CMOS、8通道模擬矩陣開關(guān)，配有一個(gè)串行控制的雙線式接口。開關(guān)之間的導(dǎo)通電阻匹配嚴(yán)格，并且在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻曲線非常平坦。該器件無(wú)論用作多路復(fù)用器、解復(fù)用器還是開關(guān)陣列
2024-12-03 11:50:50
微芯科技晶圓級(jí)芯片封裝和TO－92封裝
Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出單I/O總線UNI/O EEPROM器件并且開始供貨，除了采用3引腳SOT-23封裝
2010-04-08 14:26:252858 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出其第一款獨(dú)立IC
2010-11-17 09:03:111309 SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲(chǔ)制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片
2011-04-26 09:01:481142 蘇州敏芯微電子成功研發(fā)面向 MEMS 微硅傳感器制程的 SENSA 工藝。敏芯目前已經(jīng)將此工藝應(yīng)用于公司生產(chǎn)的微硅壓力傳感芯片 MSP 系列產(chǎn)品中
2011-04-28 09:05:351922 深圳芯?？萍既涨靶?，推出一款低成本、低功耗的8位CMOS單芯片FLASH MCU——CSU8RF211x系列，向業(yè)界展示了芯海科技在ADC、SoC產(chǎn)品之外進(jìn)軍MCU市場(chǎng)的動(dòng)向。
2012-02-20 09:05:552434 在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機(jī)”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOS PA替代砷化鎵
2017-11-25 08:15:291054 
為了提高采用AVR單片機(jī)的應(yīng)用的響應(yīng)能力，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）日前推出了兩款全新的tinyAVR MCU器件。
2018-07-10 10:23:002786 從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過(guò)程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件（例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等），因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要，在本章最后將重點(diǎn)說(shuō)明高低壓兼容的CMOS工藝流程。
2019-07-02 15:37:43
122 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處 MEMS 與 CMOS 的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS 獨(dú)有的，例如
2022-12-13 11:42:003165 2021中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國(guó)IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮在北京舉辦。深圳芯佰特微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯佰特”）榮獲2021中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度最具成長(zhǎng)潛力公司獎(jiǎng)”。
2021-02-03 11:57:442687 IBM日前推出一項(xiàng)微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項(xiàng)改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541878 ADG774：CMOS 3 V/5V，WiddBandwideQuaad 2：1 MUX數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-22 17:43:1010 7408高速的硅柵CMOS器件芯片學(xué)習(xí)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-01 16:17:1120 7409高速的硅柵CMOS器件芯片學(xué)習(xí)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-01 16:17:1229 7427高速的硅柵CMOS器件芯片學(xué)習(xí)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-01 16:36:2217 7430高速的硅柵CMOS器件芯片學(xué)習(xí)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-01 16:41:3321 成都銳成芯微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺(tái)的LogicFlash Pro eFlash IP產(chǎn)品，其特點(diǎn)是在BCD工藝節(jié)點(diǎn)上僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。
2023-03-06 12:01:312020 CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動(dòng)作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
2023-04-17 14:23:44845 CBMG701/CBMG702供電范圍是1.8V至5.5V，非常適用于電池供電的儀器。圖1顯示，邏輯輸入為1時(shí)，CBMG701的開關(guān)閉合，CBMG702的開關(guān)斷開。開關(guān)通道打開時(shí)，每個(gè)開關(guān)在兩個(gè)方向上都能同樣良好地導(dǎo)通信號(hào)。
2023-04-24 10:14:081891 
在整個(gè)模擬信號(hào)范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻分布非常平坦。這確保了切換音頻信號(hào)時(shí)的良好線性和低失真特性。快速的切換速度也使得該部分適合于視頻信號(hào)切換等應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2023-05-09 16:05:04568 
無(wú)錫中微愛芯推出的CD4000系列產(chǎn)品采用CMOS工藝，具有電壓應(yīng)用范圍寬、輸入阻抗高等特點(diǎn)。
2023-05-15 10:44:061579 
原文標(biāo)題：芯存萬(wàn)象，移動(dòng)無(wú)限——佰維邀您蒞臨MWC2023 文章出處：【微信公眾號(hào)：BIWIN佰維】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-06-16 17:05:01857 
12月27日，浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項(xiàng)目正式通線投產(chǎn)。
2023-12-29 10:20:371581 今日，知名半導(dǎo)體企業(yè)納芯微正式宣布推出四款車規(guī)級(jí)溫度傳感器，分別是數(shù)字輸出型NST175-Q1和模擬輸出型NST235-Q1、NST86-Q1、NST60-Q1。這些新型傳感器不僅集成了高性能的CMOS測(cè)溫技術(shù)，還具備多項(xiàng)優(yōu)秀特性，如全溫區(qū)高精度、高線性度、低功耗以及高集成度。
2024-05-17 09:22:381835 的成本相對(duì)傳統(tǒng)的CMOS 要高很多。對(duì)于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動(dòng)芯片，它們的要求是驅(qū)動(dòng)商壓信號(hào)，并沒有大功率的要求，所以一種基于傳統(tǒng) CMOS 工藝制程技術(shù)的低成本的HV-CMOS 工藝
2024-07-22 09:40:326760 
CBMG719 是單芯片 CMOS 單刀雙擲（SPDT）開關(guān)。該開關(guān)具有功耗低，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，漏電流小等特性。CBMG719 可在 1.8 V 至 5.5 V 的單電源范圍內(nèi)工作，非常適合
2024-10-24 10:12:380 CBMG711、CBMG712 和 CBMG713 是內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片 CMOS 器件。該工藝提供低功耗，同時(shí)提供高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流和寬帶寬特性。產(chǎn)品設(shè)計(jì)為在單電源
2024-10-24 10:17:530 CBMG719是單芯片CMOS 單刀雙擲（SPDT）開關(guān)。該開關(guān)具有功耗低，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，漏電流小等特性。CBMG719可在1.8 V至5.5 V的單電源范圍內(nèi)工作，非常適合用于電池供電
2024-11-08 14:43:240 CBMG706和CBMG707是低壓CMOS模擬多路復(fù)用器，分別包括16個(gè)單端通道和8個(gè)差分通道。CBMG706將16路輸入（S1–S16）中的一個(gè)切換到公共輸出D，由4位二進(jìn)制地址線A0、A1
2024-11-25 15:36:160 CBMG706和CBMG707是低壓CMOS模擬多路復(fù)用器，分別包括16個(gè)單端通道和8個(gè)差分通道。CBMG706將16路輸入（S1–S16）中的一個(gè)切換到公共輸出D，由4位二進(jìn)制地址線A0、A1、A2和A3確定。CBMG707將八路差分輸入中的一個(gè)切換到由3位二進(jìn)制地址線A0、A
2024-12-06 01:07:01847 
關(guān)鍵詞：CMOS，單雙電源供電，低導(dǎo)通電阻，低導(dǎo)通電阻平坦度，低功耗，雙16通道和32通道模擬多路復(fù)用器CBMG726/CBMG732分別是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）32通道和雙16通道
2024-12-06 01:07:101030 芯佰微最新推出的CBMG774是一種單芯片CMOS工藝器件，包括四個(gè)具有高阻抗輸出的2:1多路復(fù)用器/解復(fù)用器。該工藝具有低功耗，高開關(guān)切換速度和低導(dǎo)通電阻等特性。當(dāng)輸入信號(hào)范圍為0V至5V時(shí)，導(dǎo)
2024-12-06 01:07:281346 芯佰微于2023年10月30日至11月01日，為期3天的2023慕尼黑華南電子展在深圳國(guó)際會(huì)展中心圓滿落幕。芯佰微專注于模擬電路，數(shù)模混合電路的設(shè)計(jì)和創(chuàng)新。目前在產(chǎn)產(chǎn)品已達(dá)11大系列，200余款
2024-12-09 17:01:30148 近日，納芯微宣布推出汽車級(jí)CAN收發(fā)器芯片NCA1145B-Q1，新器件憑借業(yè)內(nèi)首屈一指的抗干擾特性，在歐洲權(quán)威測(cè)試機(jī)構(gòu)IBEE/FTZ-Zwickau的EMC認(rèn)證中，成功通過(guò)所有測(cè)試項(xiàng)，是該系同類器件中（xxx1145系列），國(guó)產(chǎn)唯一全面通過(guò)測(cè)試的器件。
2025-03-19 14:28:461195 
微流控芯片封合工藝旨在將芯片的不同部分牢固結(jié)合，確保芯片內(nèi)部流體通道的密封性和穩(wěn)定性，以實(shí)現(xiàn)微流控芯片在醫(yī)學(xué)診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域的應(yīng)用。以下為你介紹幾種常見的微流控芯片封合工藝： 高溫封裝法
2025-06-13 16:42:17667 總述CBMG719是一款由芯佰微推出的CMOS單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，專為解決工業(yè)控制、通信系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的高精度信號(hào)切換需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)特性、寬電壓適配及超低
2025-07-16 09:50:291461 
AiP2503是中微愛芯推出的一款高度集成的驅(qū)動(dòng)芯片。該電路內(nèi)置78L05三端穩(wěn)壓器，可以提供穩(wěn)定的5V電壓輸出，同時(shí)內(nèi)部包含五個(gè)獨(dú)立的達(dá)林頓管驅(qū)動(dòng)電路，單路達(dá)林頓管最大可輸出500mA電流，多路并聯(lián)可承受更大的電流。
2025-08-25 16:37:531041 
。 CGD 的創(chuàng)新單芯片技術(shù)可與標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器兼容，并基于標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 晶圓制造工藝。這意味著制造 GaN 晶圓無(wú)需專用工藝——通過(guò)利用 GF 的先進(jìn)
2025-10-15 09:39:57861 納芯微宣布推出新一代集成隔離電源的隔離采樣芯片NSI36xx系列，該系列是納芯微NSI13xx系列的全面升級(jí)，包括隔離電流放大器NSI360x系列、隔離電壓放大器NSI361x系列、內(nèi)部集成比較器和單端比例輸出的NSI36C00R/NSI36C1xR系列。
2025-10-27 14:21:57708 
納芯微今日宣布正式推出全新一代隔離電壓采樣芯片NSI1611系列。作為納芯微經(jīng)典產(chǎn)品NSI1311系列的全面升級(jí)，NSI1611系列基于其領(lǐng)先的電容隔離技術(shù)，在性能與適配性上實(shí)現(xiàn)雙重突破。
2025-12-24 16:51:57241 
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