MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57
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下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:193286 
大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進(jìn)行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。然而，SiC
2025-03-24 17:43:272363 
8月27日，在Elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-227封裝，專為追求能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)而設(shè)計。
2024-09-02 09:12:407400 
。其在新能源汽車、AI服務(wù)器等前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，不僅有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度，還為實現(xiàn)更緊湊、更節(jié)能的電力電子系統(tǒng)提供了有力支持，未來有望在這些高速發(fā)展的行業(yè)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 SiC行業(yè)競爭“白熱化”：部分國際大廠調(diào)整布局
2025-06-10 09:07:465173 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
。SiC-MOSFET應(yīng)用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內(nèi)瞬時供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān)，但市場需要更高耐壓更高
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設(shè)計的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會借其他機(jī)會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗與評估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET幾乎立即完全導(dǎo)通，而相比之下，IGBT顯示出明顯的斜率。這導(dǎo)致Eon能量損失大幅下降。在相同的實驗室條件下操作快速開關(guān)IGBT和東芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
開來，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ROHM，除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外，還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速，從試制階段開始就能提供樣品。此外，我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能
2023-03-02 14:24:46
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動，望批準(zhǔn)！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
本文討論如何設(shè)計基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 雙向電動汽車車載充電器。介紹隨著世界轉(zhuǎn)向更清潔的燃料替代品，電動汽車運輸領(lǐng)域正在經(jīng)歷快速增長。此外，配備足夠電池容量的電動汽車可用于支持
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的重點。然而，由于其應(yīng)用范圍極為廣泛，在使用中由功率MOSFET失效造成的系統(tǒng)故障數(shù)不勝數(shù)。可靠性是產(chǎn)品的重要指標(biāo)，汽車工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格，這使SiC MOSFET可靠性問題成為亟待解決的重要問題。本文
2018-11-02 16:25:31
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本，在小型家電中實現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">高效率、極致緊湊、超強(qiáng)可靠性與成本控制的嚴(yán)苛需求，深愛半導(dǎo)體重磅推出
2025-07-23 14:36:03
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
（typ.）最高振蕩頻率： 120kHz（typ.）工作溫度范圍： -40℃～105℃主要的特點是SiC-MOSFET適用和準(zhǔn)諧振方式。準(zhǔn)諧振方式利用軟開關(guān)工作，與PWM方式相比，具有低噪聲、高效率、可降低
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source：YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標(biāo)主要目標(biāo)WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標(biāo)應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)
2019-06-27 04:20:26
%。這非常有望進(jìn)一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機(jī)驅(qū)動逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態(tài)測試可用于獲取器件的開關(guān)速度、開關(guān)損耗等關(guān)鍵動態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
飛兆半導(dǎo)體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39933 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:404976 《工業(yè)級SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性（BTI）》 在正常使用器件時，由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓可能略有漂移。閾值電壓
2021-01-12 16:09:106758 
環(huán)境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時，隨著電力需求持續(xù)升高，對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。 功率半導(dǎo)體具有將直流電
2021-08-02 10:44:105566 
電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁
2021-08-13 18:16:278492 以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)可。基于大量的設(shè)計優(yōu)化和可靠性驗證工作，瑞能
2022-02-18 16:44:105623 
。據(jù) ST 稱，隨著 SiC 技術(shù)被更廣泛地用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN 簡化了節(jié)能電源系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制器的設(shè)計。
2022-08-03 09:47:012624 
用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫，其特點包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許構(gòu)建具有更高功率密度和更高效率的轉(zhuǎn)換器。然而
2022-08-03 09:40:471712 
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機(jī)會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:151154 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:211980 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105631 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191294 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:121911 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:04
83 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:021535 
器件，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:021859 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:022142 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:461464 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:521410 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:132620 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:562548 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 ，標(biāo)志著產(chǎn)品的長期可靠性得到了市場驗證。 SiC MOSFET作為功率變換系統(tǒng)的核心元器件，其性能表現(xiàn)影響應(yīng)用系統(tǒng)的效率表現(xiàn)。而產(chǎn)品的長期可靠性則更為關(guān)鍵，它決定了應(yīng)用系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。 瞻芯電子CTO葉忠博士說：“對SiC MOSFET來說，產(chǎn)品可靠性驗證過程是一場馬拉松長跑。產(chǎn)品
2024-09-27 10:43:23908 
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優(yōu)良特性，需要通過模塊封裝以及驅(qū)動電路系統(tǒng)，才能得到完美展現(xiàn)。
2024-10-16 13:52:058141 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計，以滿足
2025-04-17 11:23:54723 
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561 
瓶頸的關(guān)鍵。基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）通過自主研發(fā)的SiC MOSFET模塊及配套解決方案，為商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)提供了高效、可靠的技術(shù)選擇。
2025-05-17 05:47:10612 亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471099 
B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
2025-07-23 18:09:07688 
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NVHL015N065SC1 碳化硅（SiC）MOSFET，這款器件在汽車和工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-11-28 16:34:23552 
用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動IC 作為電子工程師，在功率電子設(shè)計中，碳化硅（SiC）MOSFET的應(yīng)用越來越廣泛。然而，要充分發(fā)揮其性能，合適的柵極驅(qū)動解決方案
2025-12-19 15:00:09147
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