功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:52
3253 準諧振變換器是一種特殊類型的電源轉換器，其工作原理與常規的電源轉換器有所不同。它采用諧振原理，將交流電壓轉換為直流電壓，或者將直流電壓轉換為交流電壓。本文將詳細介紹準諧振變換器的基本思路，包括其
2023-12-14 17:12:532535 在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢，當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 2023年4月11日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1345芯片的高集成準諧振反激式電源轉換器方案。 ? 圖示1
2023-04-11 17:32:57941 
描述PMP10121 參考設計采用 UCC28600 準諧振反激式控制器從交流輸入生成 22V @ 3.5A 輸出。此反激式轉換器并非隔離式，無需光耦合器即可進行調節。主要特色 準諧振反激式拓撲四點
2018-11-14 11:19:08
不需要外部負載補償電阻器和電容器。因此，LT8315 解決方案的組件少，從而極大地簡化了隔離型反激式轉換器的設計。 圖 1 示出了一款具 20V 至 450V 寬輸入范圍之反激式轉換器的完整原理圖。該器件
2018-10-29 17:04:58
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
離子有時會引發半導體器件的單粒子效應，這已成為需要解決的問題。在對SiC-MOSFET（n=15）進行的白色中子照射試驗（能量：1～400MeV，由大阪大學核物理研究中心RCNP實施）中，在Vds
2018-11-30 11:30:41
的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価編絕緣型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
吸收電路參數之間的關系，并求解出緩沖吸收電路參數的優化區間，最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓撲及其等效電路
雙脈沖電路主電路拓撲結構（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
描述此 PMP5600 是一種準諧振隔離型反激式，從高壓線路開始，并提供 13.65V (1.5A)。轉換器通過電容器和小型 SOT-23 Mosfet 來“讀取”市電頻率。執行電池測試功能時測試點的短路將輸出電壓降低至 8.34V
2018-07-13 07:10:40
最小時開啟MOSFET.當工作在 continuousconductionmode 時，轉換器會工作在固定工作頻率。工作機理：1） 當MOSFET 在導通時（Ton），輸入電壓Vin加在初級線圈上
2025-03-07 15:25:45
隔離型反激式轉換器廣泛用于汽車、工業、醫療和電信領域，在此類應用中電源必須具有可靠、易用、高電壓和隔離的特性，隔離型反激式轉換器必須隨著負載、電壓和溫度的變化提供卓越的穩壓性能。LT8304-1 是一款隔離型、非光反激式轉換器，其專為高輸出電壓應用而優化，可提供高達 1000 V 的輸出。
2019-08-06 07:15:01
本文將開始AC/DC轉換器設計篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
連續模式和續模式電源IC的選擇和設計案例主要元器件的選型輸入電容器：輸入電容器C1與VCC用電容器C2電感L1電流檢測電阻R1輸出電容器C5輸出整流二極管D4EMI對策實裝PCB板布局與總結關鍵要點:?非隔離型AC/DC轉換器的設計解說?被稱為二極管整流或非同步整流方式的降壓轉換器的電路示例
2018-11-27 17:04:42
DN05078 / D，設計說明描述了NCP1361BABAY，15瓦，通用交流輸入，隔離準諧振反激式轉換器，適用于智能手機，平板電腦充電器和智能插座電源等。特色電源為初級側恒流和次級恒壓采用TSOP6封裝的新型NCP1361電流模式控制器進行調節
2019-06-18 10:50:10
在隔離型DC/DC轉換器設計，氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）具有低傳導損耗、低開關損耗、低驅動功率及低電感等優點，可以實現更高功率密度、在高頻時更大電流及高效以及在諧振設計的占空比更高，從而
2019-04-04 06:20:39
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
項目名稱：應用于電動汽車的基于 SiC 器件雙向諧振型 DC/DC 變換器試用計劃：申請理由：本人一直從事電源領域的學習與研究，并在前一段時間對于寬禁帶SiC器件進行了深入的調研，準備開展其在
2020-04-24 18:11:27
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一個（全主傳感開關穩壓器）。該IC在同一封裝中集成了高性能，低電壓PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一種準諧振（QR）電流模式控制器IC，專為QR ZVS（零電壓開關）反激式轉換器而設計
2020-08-12 08:43:59
轉換器，采用二極管作為輸出整流器 高頻率 LLC DC/DC 轉換器的模擬 利用 LTspice 對 SiC MOSFET 的性能以及影響轉換器效率的因素進行模擬研究。圖 1 顯示的是一個全橋
2023-02-27 14:02:43
裝置機器人商用空調工業用照明（路燈等）內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC產品陣容產品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
評估板EVAL-PS-E1BF12-SIC用于評估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC MOSFET模塊。評估板允許執行雙脈沖測量以及DC / DC轉換器的功能測試。因此，該板設計為雙向降壓 - 升壓轉換器。它適用于太陽能，UPS，EV充電等應用
2019-04-29 09:00:44
1700V高耐壓，還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件，還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
，廣泛用于消費產品的電源設計中。新型的綠色電源系列控制器實現低至150 mW 的典型超低待機功耗。本文將闡述準諧振反激式轉換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設計準諧振電源。 1 常規
2018-09-29 16:38:13
導讀：新型的綠色電源系列控制器實現低至150 mW 的典型超低待機功耗。本文將闡述準諧振反激式轉換器是如何提高電源效率以及如何用UCC28600設計準諧振電源。 1 常規的硬開關反激電路 圖1
2018-11-29 11:24:13
。反向恢復電流非常高并且在啟動期間足以造成直通問題，如圖4所示圖4： 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形。圖4： 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形
2019-01-15 17:31:58
本設計實例介紹了一種使用Sparkfun USB-to-UART通用板(BOB)搭建的低成本隔離型USB-to-UART轉換器。
2021-05-20 06:32:55
轉換器和一個隔離式雙向 DC-DC 轉換器組成。傳統的LLC諧振轉換器最初是作為提高DC-DC轉換器效率的解決方案而提出的［1］。然而，鑒于其單向設計，轉換器在反向工作模式下的電壓增益受到限制，因此
2023-02-27 09:44:36
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
本設計事例使用稱為反激式的變壓器方式。在這里，將說明反激方式的基本電路和特征。反激式轉換器除了一般的PWM控制外，還有自勵型的RCC（Ringing Choke ConVerter）、RCC利用
2018-11-27 17:01:04
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM圖騰柱PFC轉換器為67 kHz，CLLC諧振轉換器為150-300 kHz。通過將功率半導體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上，由于650V SiC MOSFET的低功率損耗，因此在雙向高功率轉換應用（例如EV的OBC）中可以實現高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
描述PMP7167 是采用 UCC28610 的隔離型準諧振反激式參考設計。低待機電流和快速啟動是其共源共柵架構的優點。PMP7167 基于 PMP5643 Rev_B PWB 而構建。特性滿負載
2022-09-27 07:01:27
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
描述此 PMP4736 采用通用準諧振隔離式反向，從通用線路開始，提供 9.6V @ 1.3A 電流。轉換器得益于“級聯”拓撲，可進一步減少無負載損失（此處為 80mW @ 230Vac），實現超極啟動時間。
2018-07-13 03:22:47
非隔離式的DC-DC轉換器都是基于降壓，升壓以及降壓-升壓型DC-DC轉換器而衍生出來的，下面就簡單介紹一下這三種DC-DC轉換器。 1.降壓型DC-DC轉換器 圖1顯示的是降壓型DC-DC
2020-12-09 15:28:06
處理器（例如ADSP-CM419F）完成。最后，利用高能效隔離式∑-?型轉換器（例如AD7403）檢測電壓，從而實現設計的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過渡階段，必須考慮混合拓撲結構
2018-10-22 17:01:41
帶有特定輸出濾波器的降壓式轉換器，在分別采用脈寬調制和準諧振開關工作方式時，開關頻率和負載完全相同。作為實例，特別分析了轉換器開關自然動作產生的電磁干擾，并
2009-11-17 11:14:10
24 設計更高能效、極低EMI準諧振適配器
準方波諧振轉換器也稱準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關鍵特征是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在
2010-04-23 08:55:1520 如何設計高能效、低EMI準諧振適配器
準方波諧振轉換器也稱準諧振(QR)轉換器，廣泛用于
2010-04-27 16:14:414010 
和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區別呢？本文將針對與IGBT的區別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0438316 
關于輸入，如設計案例電路中所述，將AC輸入電壓整流后會變為DC電壓，因此將根據DC輸入電壓值來設置常數。
2019-04-24 13:01:411247 
由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響，還受PCB板薄膜布線的寄生分量影響，因此需要在組裝于實際PCB板中的狀態下確認Vds，并根據實際的電壓調整緩沖電路。
2019-08-22 09:13:293110 
當輸入電壓上升時，如果過流限制是恒定的，則容許功率將直接增加。當輸入電壓超過設置值時，這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率，從而使過負載時的保護更可靠。
2019-08-22 10:08:382155 
為了獲得所需的耐壓，我們采用了串聯連接電容的手法，但在這種情況下，需要保持施加到所有電容的電壓均衡，因而需要與各電容并聯連接平衡電阻。從電路圖中可以看出，平衡電阻是串聯在輸入端和GND之間，因此流經平衡電阻的電流只是一種損耗，故建議選擇470kΩ以上的電阻值。
2019-08-22 10:30:252122 
100 kHz的頻率為基礎，我的任務是對轉換器的運行情況進行最壞情況分析。 圖1：這是準諧振DC / DC轉換器的設計。 L是變壓器的繞組電感，C是聚丙烯電容器。具有這兩個值的標準諧振方程得出的數字結果為100 kHz，因此每個人都假定必須將100 kHz作為轉換器
2021-04-12 16:10:003048 
IGBT 廣泛用于大功率轉換器設計。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關速度的比較。
2022-07-26 08:02:531884 
LLC 諧振轉換器可用于各種應用，如消費電子產品，以及可再生能源應用，如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉換器。
2022-07-29 09:44:204281 
微電腦控制，軟件以 100 kHz 頻率為基礎，我的任務是對轉換器操作進行最壞情況分析。 ? 圖 1：這是準諧振 DC-DC 轉換器的設計。 L 是變壓器的繞組電感，C 是聚丙烯電容器。具有這兩個值的標準諧振方程產生了 100 kHz 的數值結果，因此每個人都假設 100 kHz 必須是
2022-08-08 09:22:321122 
電子發燒友網站提供《隔離型Flybuck轉換器參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 17:04:477 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優勢，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:134606 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:513205 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19712 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:201443 
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202300 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:213058 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。
2023-02-08 13:43:211980 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134 
本章作為AC/DC轉換器設計篇的第2彈，介紹非隔離型降壓轉換器的設計案例。在AC/DC轉換器設計篇，首先以“AC/DC PWM方式反激式轉換器設計手法”為題，就隔離型反激式AC/DC轉換器的設計進行了相關說明。
2023-02-17 09:25:043076 
上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。準諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:061358 
從本文開始進入具體的設計，比如計算相關電路常數等。首先是變壓器T1的設計。計算步驟如下。這與“隔離型反激式轉換器電路設計：變壓器設計（數值計算）”中的思路基本相同，可以參考這篇文章中的內容。
2023-02-17 09:25:061554 
在前面的“變壓器T1的設計 其1”中，對下述計算步驟①～③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④～⑥，并結束變壓器T1的設計篇。①反激式電壓VOR的設定②一次側繞組電感值Lp、一次側的最大電流
2023-02-17 09:25:061245 截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:071230 
這之前介紹了示例電路的各部件選型要點、常數的計算、PCB板布局示例，最后將利用示例電路來確認并評估一下效率和波形。本文將給出整個電路和所有部件清單。部件表中的部件是示例電路中使用的部件清單。
2023-02-17 09:25:07901 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個是功率開關中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:081415 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47682 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:191294 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:335124 
苛，加之操作過程中各種因素的影響，MOSFET往往很容易成為故障的源頭。因此，在設計和運營LLC諧振轉換器時，必須采取一些關鍵的措施，以避免MOSFET故障的發生和減少風險。 1. 選擇合適的MOSFET 正確選擇適合轉換器應用的MOSFET可以幫助降低故障的發生率。在選擇
2023-10-22 12:52:191364 電子發燒友網站提供《30kW SiC隔離型直流-直流轉換器評估板.pdf》資料免費下載
2025-01-22 16:10:130 STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉換器是一款先進的準諧振離線高壓轉換器，設有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設計用于中等功率準諧振ZVS（開關導
2025-10-31 11:07:23329 
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