大聯大友尚集團推出基于意法半導體（ST）M32F334R8 Cortex M4 MCU的，適用于電信設備電源的3kW全橋LLC諧振數字電源解決方案。
2019-06-18 10:12:26
1771 青銅劍科技、基本半導體聯合發布了面向新能源汽車電機控制器的全碳化硅器件解決方案。
2019-09-27 14:34:302965 BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上圖中兩個串聯的MOS，三電平變換器簡化成傳統兩電平全橋變換器，如下圖。 同時，我們將開關頻率設定到160KHz，減小了磁性器件和整個變換器的體積。 8KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領域的創新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術提出更多的要求，以滿足消費者和行業的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術應用打造
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
的柵極電壓衰減，使得碳化硅MOSFET（TO-247-4封裝）的開關速度會比TO-247-3封裝的更快，開關損耗更小。 因此，當您在使用碳化硅MOSFET進行新方案設計時，為進一步減小碳化硅
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
: SOW-18圖片應用方向充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案OBC后級LLC中的SiC MOSFET方案服務器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
2025-01-04 12:30:36
系統能做得越小巧，則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業最近經歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管。 當T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
MOSFET工作殼溫低于70攝氏度（圖14）。方案研究了基于新一代1000V碳化硅MOSFET軟開關LLC諧振DC/DC全橋變換器, 工作頻率范圍為150KHZ至400KHZ的20KW諧振變換器證明了
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
）功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業生產件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
和移相全橋都能帶來較大好處，利于更高更寬頻率，實現寬范圍工作。 3.碳化硅MOSFET的20KW諧振LLC和移相電路方案對比利用1000V/65毫歐碳化硅MOSFET對諧振LLC和移相全橋進行了方案對比
2016-08-25 14:39:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發現了，它的特點是：化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 電子封裝供熱管理解決方案:鋁碳化硅是關鍵
簡介利用最先進的材料設計低成
2010-03-04 14:10:241482 碳化硅MOSFET橋臂電路串擾抑制方法_鐘志遠
2017-01-04 16:32:50
18 上海大革使用自行研發成功的全碳化硅模塊成功研發50kw，100kw，350kw新能源汽車中壓快速充電樁。使用新型全碳化硅模塊快速充電樁，不僅體積小巧，投入資金少，還能有效提高電力轉換效率，減少充電時間。
2018-04-26 09:05:438205 具體來說，在新能源發電系統中，采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 15kW全橋LLC諧振變換器的設計方法說明。
2021-04-16 09:46:46261 ，基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:044200 汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅動器功率器件的高性能、高效率等需求設計并推出的產品。
2022-09-13 15:49:022807 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品。
2022-10-21 11:12:231974 摘 要 基于進一步提升電驅動總成系統效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統,介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅動總成的冷卻系統設計方案
2022-12-21 14:05:032918 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:321748 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 電子發燒友網站提供《采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET適用于30kW充電電源的ACDC方案.pdf》資料免費下載
2023-07-31 17:03:4414 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 碳化硅作為一種新型半導體材料，因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯、堆垛層錯等，會嚴重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142516 傾佳電子楊茜介紹全國產碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆變器設計方案： 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業
2025-02-13 12:17:11732 
隨著電力電子設備向高壓、高頻、高溫環境快速演進，傳統硅基整流橋已難以滿足嚴苛的性能需求。作為國內領先的功率器件供應商，廣東佳訊電子有限責任公司憑借自主研發的碳化硅整流橋與碳化硅軟橋技術，成功突破材料與工藝瓶頸，為工業電源、新能源、航空航天等領域提供高效可靠的解決方案。
2025-04-24 17:07:19844 
傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC
2025-06-24 17:26:28493 傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業儲能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進，傳統IGBT方案已難以滿足新一代儲能變流器（PCS）的嚴苛需求
2025-06-23 11:20:25831 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商，產品
2025-12-12 14:14:06565 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠，一期項目投資額高達20億歐元，重點生產碳化硅功率半導體
2024-08-12 09:10:335264
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