国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-12-26 04:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢,需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。

GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多,并可降低開關損耗,原因在于:

柵極電容和輸出電容更低。

較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現(xiàn)更高的電流操作,從而降低了傳導損耗。

無需體二極管,因此反向恢復電荷(QRR)低或為零。

GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源:前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉換器(兩個電感和一個電容)。此拓撲完全依賴于圖1所示的半橋和全橋電路。

如果將數(shù)字信號處理器(DSP)作為主控制器,并用GaN晶體管替換硅MOSFET,就需要一種新的隔離技術來處理更高的開關頻率。這主要包括隔離式GaN驅動器

圖1.適合電信和服務器應用的典型AC/DC電源

典型隔離解決方案和要求

UART通信隔離

從以前的模擬控制系統(tǒng)轉變?yōu)镈SP控制系統(tǒng)時,需要將脈寬調(diào)制(PWM)信號與其他控制信號隔離開來。雙通道ADuM121可用于DSP之間的UART通信。為了盡量減小隔離所需系統(tǒng)的總體尺寸,進行電路板組裝時使用了環(huán)氧樹脂密封膠。小尺寸和高功率密度在AC/DC電源的發(fā)展過程中至關重要。市場需要小封裝隔離器產(chǎn)品。

PFC部分隔離

與使用MOS相比,使用GaN時,傳輸延遲/偏斜、負偏壓/箝位和ISO柵極驅動器尺寸非常重要。為了使用GaN驅動半橋或全橋晶體管,PFC部分可使用單通道驅動器ADuM3123,LLC部分則使用雙通道驅動器ADuM4223 。

為隔離柵后的器件供電

ADI公司的isoPower?技術專為跨越隔離柵傳輸功率而設計,ADuM5020緊湊型芯片解決方案采用該技術,能夠使GaN晶體管的輔助電源與柵極的輔助電源相匹配。

隔離要求

為了充分利用GaN晶體管,要求隔離柵極驅動器最好具有以下特性:

●最大允許柵電壓<7 V

●開關節(jié)點下dv/dt>100 kV/ms ,CMTI為100 kV/?s至200 kV/?s

●對于650 V應用,高低開關延遲匹配≤50 ns

●用于關斷的負電壓箝位(–3 V)

有幾種解決方案可同時驅動半橋晶體管的高端和低端。關于傳統(tǒng)的電平轉換高壓驅動器有一個傳說,就是最簡單的單芯片方案僅廣泛用于硅基MOSFET。在一些高端產(chǎn)品(例如,服務器電源)中,使用ADuM4223雙通道隔離驅動器來驅動MOS,以實現(xiàn)緊湊型設計。但是采用GaN時,電平轉換解決方案存在一些缺點,如傳輸延遲很大,共模瞬變抗擾度(CMTI)有限,用于高開關頻率的效果也不是很理想。與單通道驅動器相比,雙通道隔離驅動器缺少布局靈活性。同時,也很難配置負偏壓。表1對這些方法做了比較。

表1.驅動GaN半橋晶體管不同方法的比較

圖2.在isoPower器件中實現(xiàn)UART隔離和PFC部分隔離,需要采用ISO技術及其要求

對于GaN晶體管,可使用單通道驅動器。ADuM3123是典型的單通道驅動器,可使用齊納二極管和分立電路提供外部電源來提供負偏壓(可選),如圖3所示。

新趨勢:定制的隔離式GaN模塊

目前,GaN器件通常與驅動器分開封裝。這是因為GaN開關和隔離驅動器的制造工藝不同。未來,將GaN晶體管和隔離

柵驅動器集成到同一封裝中將會減少寄生電感,從而進一步增強開關性能。一些主要的電信供應商計劃自行封裝GaN系統(tǒng),構建單獨的定制模塊。從長遠來看,用于GaN系統(tǒng)的驅動器也許能夠集成到更小的隔離器模塊中。如圖4所示,ADuM110N等微型單通道驅動器(低傳輸延遲、高頻率)和isoPower ADuM5020設計簡單,可支持這一應用趨勢。

圖3.用于GaN晶體管的單通道、隔離式isoCoupler驅動器

圖4.iCoupler ADuM110N和isoPower ADuM5020非常適合Navitas GaN模塊應用

結論

與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GaN晶體管具有更小的器件尺寸、更低的導通電阻和更高的工作頻率等諸多優(yōu)點。采用GaN技術可縮小解決方案的總體尺寸,且不影響效率。GaN器件具有廣闊的應用前景,特別是在中高電壓電源應用中。采用ADI公司的iCoupler?技術驅動新興GaN開關和晶體管能夠帶來出色的效益。

審核編輯:符乾江


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82198
  • 氮化鎵晶體管

    關注

    0

    文章

    12

    瀏覽量

    6649
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    CHA6154-99F三級單片氮化GaN功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化GaN功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片
    發(fā)表于 02-04 08:56

    CGH40006P射頻晶體管

    CGH40006P射頻晶體管CGH40006P是Wolfspeed(原CREE)推出的一款 6W 射頻功率氮化高電子遷移率晶體管GaN
    發(fā)表于 02-03 10:00

    新品 | 第五代氮化CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    新品第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:09 ?2632次閱讀
    新品 | 第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>CoolGaN? 650V G5雙通道<b class='flag-5'>晶體管</b>

    TI TPS7H60x3-SP:適用于太空應用的氮化場效應晶體管柵極驅動器

    )的TPS7H60x3-SP系列輻射加固(RHA)氮化GaN)場效應晶體管(FET)柵極驅動器就是滿足這些苛刻需求而設計的。該系列產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 01-07 09:55 ?406次閱讀

    DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-24 16:47 ?1次下載

    請問芯源的MOS也是用的氮化技術嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術比較成熟,芯源的MOS也是用的氮化材料
    發(fā)表于 11-14 07:25

    英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管,推動汽車領域氮化GaN技術創(chuàng)新

    【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化GaN晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?6w次閱讀
    英飛凌推出首款100V車規(guī)級<b class='flag-5'>晶體管</b>,推動汽車領域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>技術</b>創(chuàng)新

    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    GaN氮化晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費類應用的最優(yōu)散熱性能而設計。產(chǎn)品型號:■IG
    的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?2953次閱讀
    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>G5

    氮化GaN技術 | 電源領域的革命性突破

    氮化GaN技術電源行業(yè)提供了進一步改進電源轉換的機會,從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來,硅基半導體一直主導著電子行業(yè)。它的成本
    的頭像 發(fā)表于 08-21 06:40 ?8685次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>技術</b> | 電源領域的革命性突破

    淺談氮化器件的制造難點

    制造氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要歸因于材料本身以及制造工藝的多項挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?4758次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的制造難點

    瑞薩電子推出650伏氮化場效應晶體管,推動高效電源轉換技術

    在電源轉換技術不斷進步的背景下,瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化場效應晶體管(GaNFET),專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動交通應用對
    的頭像 發(fā)表于 07-14 10:17 ?3313次閱讀
    瑞薩電子推出650伏<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>,推動高效電源轉換<b class='flag-5'>技術</b>

    TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化功率晶體管

    新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化功率
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:07 ?2337次閱讀
    TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>

    如何在開關模式電源運用氮化技術

    LTspice?作為合適的工具鏈來使用,以便成功部署GaN開關。 引言 氮化(GaN)是一種III-V族半導體,開關電模式電源(SMPS
    發(fā)表于 06-11 10:07

    英飛凌推出CoolGaN G5晶體管

    英飛凌推出CoolGaN G5晶體管,它是全球首款集成肖特基二極的工業(yè)用氮化GaN)功
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:00 ?937次閱讀

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?5612次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統(tǒng) (<b class='flag-5'>GaN</b> Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案