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電子發燒友網>電源/新能源>電源設計應用>理想二極管和熱插拔控制器實現電源冗余并隔離故障

理想二極管和熱插拔控制器實現電源冗余并隔離故障

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2023-06-29 10:47:134886

SCT53600理想二極管控制器

SCT53600是一個理想二極管控制器,與外部n通道MOSFET作為一個理想二極管整流,低損耗反向極性保護,以取代肖特基二極管。SCT53600在4V到65V的寬電源電壓范圍內工作。該設備能夠
2023-07-21 09:40:353024

低Iq理想二極管控制器LM74700-EP數據表

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2024-04-07 09:48:231

LM74930-Q1理想二極管控制器評估模塊

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2024-11-08 09:16:502

LM74912-Q1理想二極管控制器評估模塊

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2024-11-11 14:45:000

LM74912-Q1 汽車級理想二極管,集成過壓和短路保護,帶故障輸出數據手冊

保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基
2025-05-07 11:31:01833

LM74900-Q1 帶斷路、欠壓和過壓保護以及故障輸出的汽車級理想二極管數據手冊

12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于
2025-05-07 14:15:31794

LM74721-Q1 汽車級 TVS less 低 IQ 反接電池保護 理想二極管控制器 有源整流數據手冊

汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受保護負載免受低至 –33V DC 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。集成的 VDS 箝位功能支持用于汽車ISO7637脈沖抑制的無輸入 TVS 系統設計。
2025-05-08 11:01:44787

LM74700-EP 增強型低 IQ 理想二極管控制器數據手冊

LM74700-EP 是一款理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為理想二極管整流,用于低損耗反極性保護,正向壓降為 20 mV。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入
2025-05-08 15:19:351666

具有理想二極管的浪涌抑制控制器典型應用與極限參數

限制電路斷路。在故障情況下,一個可調故障定時必須在傳輸器件關斷前結束,PC2464將在一個延遲后自動重新啟動。PC2464可精確地監視輸入電源的過壓和欠壓情況,外部MOSFET在欠壓狀態下保持關斷,自動重試在過壓狀態下停用。集成理想二極管控制器負責驅
2025-07-09 14:48:09445

Texas Instruments LM74912-Q1理想二極管控制器數據手冊

Texas Instrument LM74912-Q1理想二極管控制器驅動和控制外部背靠背N溝道MOSFET。實現此功能是為了模擬具有電源路徑開/關控制理想二極管整流具有過壓、欠壓和輸出短路
2025-08-05 16:26:48915

德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術解析

過流和過壓保護功能的電源路徑開/關控制。LM74930-Q1二極管控制器可承受保護負載免受低至-65V負電源電壓的影響。集成式高側柵極(HGATE)控制驅動電源路徑中的第一個MOSFET,并有
2025-08-11 13:42:481054

LM74722-Q1理想二極管控制器技術解析與應用指南

電源支持保護和控制12V和24V汽車電池供電ECU。該器件可以保護負載承受低至 –65V的負電源電壓。集成式理想二極管控制器 (GATE) 驅動第一個MOSFET以取代肖特基二極管實現反向輸入保護
2025-08-12 09:55:42924

基于LM74721-Q1的理想二極管控制器技術解析與應用

保護負載免受低至 –33V DC負電源電壓的影響。集成式理想二極管控制器 (GATE) 驅動首個替代SCHOTTKY二極管的MOSFET,以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。集成的VDS鉗位功能可實現輸入
2025-09-11 15:50:39707

LM74701-Q1理想二極管控制器技術解析與應用指南

Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器是符合AEC-Q100汽車類標準的理想二極管控制器。它采用外部N溝道MOSFET作為理想二極管,用于低損耗反向極性保護,正向
2025-09-22 11:16:53684

基于LM7472x-Q1的理想二極管控制器評估模塊技術解析

演示了Texas Instruments LM7472x-Q1(集成升壓穩壓,用于實現低IQ和快速瞬態響應)如何控制兩個背靠背N溝道功率MOSFET。是這樣的:首先連接理想二極管MOSFET,然后連接第個MOSFET用于開關輸出和電源路徑截止。
2025-09-23 10:02:59540

LM74910H-Q1系列汽車理想二極管控制器技術文檔總結

12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受保護負載免受低至–65V的負電源電壓的影響。集成理想二極管控制器 (DGATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,以實現反向
2025-09-25 09:19:33550

如何用合科泰MOS做一個高性能理想二極管控制器

損耗,影響系統效率。理想二極管控制器正是解決這一問題的創新方案,而MOS則是實現這一技術的核心器件。 理想二極管控制器的工作原理 理想二極管控制器的基本原理是利用MOS的低導通電阻特性來模擬二極管的單向導電功能,同時最大限度
2025-09-29 10:05:2522980

國產芯片BT9352A:理想二極管控制器領域的卓越替代方案

電源管理領域,高效、可靠的二極管控制器是保障系統性能的關鍵環節。傳統肖特基二極管因正向壓降大,普遍存在功率損耗高、發熱嚴重的問題,不僅影響系統效率,還會增加散熱設計難度。而理想二極管控制器的出現
2025-10-23 09:38:33495

PC2781_120V理想二極管控制器技術手冊

PC2781 是高邊驅動控制器配合 N 溝道功率MOSFET 控制器, 在應用時與外部 N 溝道功率MOSFET、電容儲存共同使用,實現二極管電路功能,該二極管電路在串聯電流源時具有低平均正向
2025-12-19 11:31:151

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