第二種方案(B)中，端接電阻器連接至電源電壓 (VTT)，電源電壓為 VDD 電壓的一半。電阻器功耗恒定，且與電源電壓無關，其等于 VTT(或(Vdd/2))平方除以端接電阻。相比第一種方法，這種方法產生的功耗僅為其 1/2，但需要增加一個電源。同時，它對電源的要求有些特別。首先，其輸出需要為驅動器電壓 (VDD)的一半;其次，它需要同時輸出電流和汲取電流。當驅動器輸出電壓為低時，電流來自 VTT 電源。然而，當驅動器為高電平時，電流流入電源。最后，電源還需要在系統數據變化時在各模式之間轉換，且必須提供低源阻抗，直到接近系統的時鐘速率。

　　根據端接電阻、時鐘頻率和系統電容，確定峰值功耗相對容易。估算平均功耗要更困難一點，它可以比 1/10 峰值功耗低好幾倍。由于系統為動態且沒有真正固定不變的時鐘率，并非每個周期都對數據計時，而且會有一些三態的器件，因此您需要考慮所有這些因素。

　　平均電流是驗證系統測量的一個重要數值，因為它對確定正確的電源拓撲很重要。例如，您可能會在開關式電源低功耗和線性穩壓器的低成本和小體積之間進行權衡。表 1 顯示了開關式電源和線性穩壓器在組件數目、面積要求、功耗和成本等方面的對比情況。該表適用于可輸出 3 安峰值電流的一些穩壓器。有趣的是，如果峰值電流一直存在的話，就很難處理高功耗。建立 DC 電流將有助于做出正確的選擇。很明顯，從各個方面來看，線性穩壓器都是更佳的選擇。

?

　　DDR 電源面臨的一個巨大挑戰是在高瞬態負載極端情況下如何控制輸出電壓。如表 1 所示，線性方法擁有比開關方法更寬的控制帶寬。因此，它使用更小的電容器來控制輸出阻抗。例如，3 安負載下要將輸出控制在40mV 以內，交叉頻率的輸出阻抗需要小于 0.013 Ohms，相當于約 10 uF 電容。50 kHz 下線性控制環路關閉的開關式電源使用 200 uF 的電容，從而帶來更多的成本和電路板面積(參閱《電源設計小貼士 #10》)

　　總之，DDR 內存通過同時對時鐘兩個沿的數據計時提高了系統速度，帶來更高的數據傳輸速度。由于是高頻運行，要求使用端接電阻器來降低電壓反射。通過將一端同一半電源電壓的電壓連接，可以最小化端接的損耗。這種電源需要能夠輸出或者汲取電流，同時還必須具有高交叉頻率，來最小化電容器要求。如果升高的功耗在可接受范圍以內，則端接電源的線性穩壓器方法可以節省成本和減小體積。