LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標(biāo)準(zhǔn)。該 IC 包括 VDDQ和VTTDC/DC 控制器和精密線性VTT參考。差分輸出檢測放大器和精密內(nèi)部基準(zhǔn)相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應(yīng)。VTT控制器跟蹤精密VTTR線性基準(zhǔn)，總誤差小于20mV。精密 VTTR 基準(zhǔn)保持 1.2% 的調(diào)節(jié)精度，跟蹤 1/2 VDDQ過熱 （一個 ±50mA 基準(zhǔn)負(fù)載）。

LTC3876 具有受控的導(dǎo)通時間、谷值電流模式控制，因而允許其接受一個 4.5V 至 38V 的寬輸入范圍，同時支持 VDDQ輸出范圍為 1.0V 至 2.5V 和VTT和 0.5V 至 1.25V 的 VTTR 輸出。其鎖相環(huán) （PLL） 可同步至 200kHz 至 2MHz 之間的外部時鐘。它還具有電壓跟蹤軟啟動、PGOOD 和故障保護功能。

高效率、4.5V 至 14V 輸入、雙輸出 DDR 電源

圖 1 顯示了一個采用 4.5V 至 14V 輸入工作的 DDR3 電源。圖2顯示了非連續(xù)和強制連續(xù)工作模式的效率曲線。

圖1.1.5V VDDQ/20A 0.75V V電傳/10A DDR3 電源

圖2.圖1中的電路效率（VDDQ= 1.5V， f西 南部= 400kHz， L = 470nH）

負(fù)載釋放瞬態(tài)檢測

隨著輸出電壓的下降，開關(guān)穩(wěn)壓器面臨的主要挑戰(zhàn)是限制V中的過沖外在負(fù)載釋放瞬態(tài)期間。LTC3876 采用 DTR 引腳來監(jiān)視 ITH 電壓的第一導(dǎo)數(shù)，以檢測負(fù)載釋放瞬變。圖3顯示了該引腳如何用于瞬態(tài)檢測。

圖3.負(fù)載瞬態(tài)檢測DTR連接功能圖

兩個R伊特電阻器從 INTV 建立分壓器抄送至SGND，并將DTR引腳上的直流電壓（穩(wěn)態(tài)負(fù)載或ITH電壓）偏置略高于INTV的一半抄送.對于給定的 CITH1，只要R，該分頻器就不會改變補償性能ITH1, 1ITH2等于通常用于傳統(tǒng)單電阻 OPTI-LOOP 補償?shù)?RITH。?

分頻器設(shè)置 DTR 持續(xù)時間所需的 RC 時間常數(shù)。DTR靈敏度可以通過DTR和半INTV之間的直流偏置電壓差來調(diào)節(jié)抄送.只要具有直流負(fù)載電流的ITH紋波電壓不觸發(fā)DTR，該差值可以設(shè)置為低至100mV。如果負(fù)載瞬變足夠快，DTR電壓降至INTV的一半以下抄送，則檢測到負(fù)載釋放事件。底部柵極 （BG） 關(guān)斷，因此電感電流流過底部 MOSFET 中的體二極管。

請注意，DTR特性會在其體二極管導(dǎo)通下導(dǎo)致底部MOSFET的額外損耗。當(dāng)負(fù)載頻繁且負(fù)載階躍較大時，底部FET溫度可能更高，這是一個重要的設(shè)計考慮因素。測試結(jié)果表明，當(dāng)對輸出施加具有50%占空比和100kHz頻率的連續(xù)100%至50%負(fù)載階躍脈沖鏈時，溫度會升高20°C。

VTT參考 （VTTR）

線性 VTT基準(zhǔn)電壓源 VTTR 專為大型 DDR 存儲器系統(tǒng)而設(shè)計，可為高達(dá) ±50mA 的輸出負(fù)載提供卓越的精度和負(fù)載調(diào)整率。VTTR 是VTT的緩沖輸出電傳差分基準(zhǔn)電阻分壓器。VTTR 是一種高輸出線性基準(zhǔn)，可跟蹤VTT差分基準(zhǔn)電阻分壓器，等于遠(yuǎn)端檢測VDDQ電壓的一半。

將 VTTR 直接連接到 DDR 內(nèi)存 VREF 輸入。輸入和輸出電源去耦對性能和精度都很重要。對于大多數(shù)典型應(yīng)用，建議使用 2.2μF 輸出電容器。建議在VTTR輸出上使用不小于1μF且不超過47μF。VTTR 電源來自 VTTR VCC 引腳。典型推薦的輸入VTTRVCC RC去耦濾波器為2.2μF和1Ω。當(dāng)VDDQSNS綁定到INT Vcc時，VTTR 線性基準(zhǔn)輸出為 3 態(tài)，VTTR 成為基準(zhǔn)輸入引腳，在多相應(yīng)用中采用來自另一個 LTC3876 的電壓。

圖4.負(fù)載釋放比較

VTT供應(yīng)

VTT電源基準(zhǔn)在內(nèi)部連接到 VTTR VTT的輸出電傳參考輸出。VTT電源工作在強制連續(xù)模式和軌道 VDDQ在啟動和正常運行時，與 MODE/PLLIN 設(shè)置無關(guān)。在啟動時，電源與VTT同步啟用DDQ供應(yīng)。操作 V電傳強制連續(xù)模式下的電源可在啟動和所有操作條件下進行精確跟蹤。

結(jié)論

LTC?3876 是一款用于 DDR 存儲器電源的完整高效率和高精度解決方案。獨特的受控導(dǎo)通時間架構(gòu)可實現(xiàn)極低的降壓比，同時保持快速、恒定的開關(guān)頻率。4.5V–38V 的寬輸入電壓范圍和 200kHz 至 2MHz 的可編程、可同步開關(guān)頻率為設(shè)計人員提供了優(yōu)化系統(tǒng)所需的靈活性。