圖3  雙板封閉式和開放式模塊間的平均器件溫度差別(Tpotted - Topen)

目前，分布式電源架構被廣泛用于通信和計算設 備中，該電源架構經常采用板載電源(BMP)模塊，在盡可能靠近負載點的地方進行電源變換。多年來，器件、電路和封裝方面的發展使得BMP模塊效率更高、尺寸更小、重量更輕、厚度更薄。這些都導致電源密度的提高，進而為封裝技術帶來挑戰。
盡管開放式電源模塊設計具有厚度薄、重量輕等優點，但在熱性能、強度和長期可靠性等方面會有設計上的不足。事實上，盡管市場上支持開放式電源模塊及其不需散熱器優點的呼聲甚高，但有關不同BMP封裝特性的公正客觀的數據卻很少。因此，許多BMP模塊用戶在為其特定應用選擇合適的電源模塊時經常會感到迷惑，有四類主要的BMP封裝需要考慮：單板封閉式、雙板封閉式、單板開放式和雙板開放式電源模塊。

單板封閉式與開放式電源模塊
人們經常認為開放式模塊在熱性能方面的表現比相同的封閉式模塊要好，但這一點僅僅是部分正確的。影響熱性能的因素包括空氣流態圖(層狀或紊流狀)、氣流區域分布、材料性質以及幾何配置，如電路板間距、器件間距和排列，因此僅僅有較大的表面積并不總是意味著更有效的熱傳遞和更好的熱性能。
利用計算流體動力學的方法對不加散熱器的模塊進行模擬。空氣流態圖(不管是層狀還是紊流狀)決定了熱性能。流態圖由雷諾數(Reynolds Number)來表征，它是由額定空氣速度、特征長度和空氣粘滯度來定義的。
對典型的BMP應用，氣流可分為橫流或內流兩類，氣流速度通常在PCB間離BMP模塊一定距離的地方測量，同時將電路板間距做為特征長度。對于橫流，從層狀向紊流狀轉變的點發生在R~ 2100時，大致相當于電路板間距為0.984英寸(25 mm)時氣流速度為1.25 ms-1時的情況。
空氣是不良熱導體，從而在開放式模塊中層狀氣流邊緣層的熱傳導性能較差。與此相比，封閉式模塊周圍封裝的熱傳導率約為0.25 W/mK，大約比空氣好十倍，從而有助于散熱。因此，封閉式模塊的金屬殼此時起到了擴展熱傳導表面的作用。
在1.25~1.9ms-1氣流轉變區域，更多的空氣進入開放式模塊的元器件之間，從而提高了局部熱對流傳導系數和有效的表面積，而這時封閉式模塊外殼所帶來的散熱效應并未相應地增加。因此，開放式模塊的熱性能在某個點開始提高得比封閉式模塊要快(參看圖1)。
圖2給出了具有同樣布局和功耗的單板開放式和封閉式模塊的CFD模型計算結果。當空氣流速小于1ms-1時，封閉式模塊熱性能要好一些，最大和平均器件溫度都比開放式模塊要低。在1ms-1 和2ms-1之間，兩種模塊的情況有所不同。兩者性能相當的轉折點發生在流速約為1.25ms-1時，這也正是氣流從層狀氣流向紊流轉變的轉變點。流速超過2ms-1時，則開放式模塊表現出更好的性能。
正如本例所清楚表明的，流態圖決定了封閉式和開放式模塊熱性能的差異。
在輸入氣流速度較低時，開放式模塊中器件間的空氣流速經常被高估了。計算發現，輸入氣流速度為1ms-1時，器件間的平均空氣速度小于0.25ms-1，與自然對流類似。
當輸入氣流處于層狀區域時，沒有證據表明開放式模塊的器件高度變化會導致紊流的出現。同時還發現，封閉式模塊為系統帶來的流阻并不總比開放式模塊高很多，在低流速至中流速時，兩種類型的模塊差別很小，僅在高流速范圍(≥3ms-1)才開始變得明顯。
雙板模塊測試
雙板電源模塊測試采用的是半磚模塊，其中一塊FR4電路板中嵌有磁芯繞組，另一塊IMS(絕緣金屬襯底)板上安裝功率半導體器件。FR4和IMS板間的額定間距約為0.2362英寸(6 mm)，模塊和測試板間的間隙約為0.1575英寸(4 mm)。
這時，開放式模塊從FR4和IMS板間的氣流獲得一些好處，而其金屬板也增強了頂部的對流，而這兒的氣流速度是最快的。與此相比，封閉式模塊表面積較小，并增加了某些器件的熱阻，這兩種因素都導致在同樣熱和電氣條件下，封閉式模塊溫度較高(參看圖3)。

結語
在所有情況下，單板開放式模塊在熱性能方面并不比相同的封閉式模塊表現更好，而且在自然對流或空氣流速很低的情況下，封閉式模塊甚至比開放式模塊表現更好。當然，當空氣流速足夠大時，單板開放式模塊的溫度還是要比封閉式模塊低一些。與此相比，雙板開放式電源模塊的散熱性能始終超過雙板封閉式電源模塊。