化學鍍銅（Electroless Plating Copper）俗稱沉銅。印制電路板孔金屬化技術是印制電路板制造技術的關鍵之一。嚴格控制孔金屬化質量是確保終產品質量的前提，而控制沉銅層的質量卻是關鍵。日常用的試驗控制方法如下：

1．化學沉銅速率的測定：

使用化學沉銅鍍液，對沉銅速率有一定的技術要求。速率太慢就有可能引起孔壁產生空洞或針孔；而沉銅速率太快，將產生鍍層粗糙。為此，科學的測定沉銅速率是控制沉銅質量的手段之一。以先靈提供的化學鍍薄銅為例，簡介沉銅速率測定方法：

（1）材料：采用蝕銅后的環氧基材，尺寸為100×100（mm）。

（2）測定步驟：A.將試樣在120-140℃烘1小時，然后使用分析天平稱重W1（g）；B.在350-370克／升鉻酐和208-228毫升／升硫酸混合液（溫度65℃）中腐蝕10分鐘，清水洗凈；C.在除鉻的廢液中處理（溫度30-40℃）3-5分鐘，洗干凈；D.按工藝條件規定進行預浸、活化、還原液中處理；E.在沉銅液中（溫度25℃）沉銅半小時，清洗干凈； F.試件在120-140℃烘1小時至恒重，稱重W2（g）。

（3） 沉銅速率計算：速率＝（W2-W1）104／8.93×10×10×0.5×2（μm）

（4） 比較與判斷：把測定結果與工藝資料提供的數據進行比較和判斷。

2．蝕刻液蝕刻速率測定方法

通孔鍍前，對銅箔進行微蝕處理，使微觀粗化，以增加與沉銅層的結合力。為確保蝕刻液的穩定性和對銅箔蝕刻的均勻性，需進行蝕刻速率的測定，以確保在工藝規定的范圍內。

（1）材料：0.3mm覆銅箔板，除油、刷板，并切成100×100（mm）；

（2）測定程序：A.試樣在雙氧水（80-100克／升）和硫酸（160-210克／升）、溫度30℃腐蝕2分鐘，清洗、去離子水清洗干凈；B.在120-140℃烘1小時，恒重后稱重W2（g），試樣在腐蝕前也按此條件恒重稱重W1（g）。

（3）蝕刻速率計算速率＝（W1-W2）104／2×8.933T（μm／min）

式中：s-試樣面積（cm2） T-蝕刻時間（min）

（4）判斷：1-2μm/min腐蝕速率為宜。（1.5-5分鐘蝕銅270-540mg）。

3．玻璃布試驗方法

在孔金屬化過程中，活化、沉銅是化學鍍的關鍵工序。盡管定性、定量分析離子鈀和還原液可以反映活化還原性能，但可靠性比不上玻璃布試驗。在玻璃布沉銅條件苛刻，能顯示活化、還原及沉銅液的性能。現簡介如下：

（1）材料：將玻璃布在10％氫氧化鈉溶液里進行脫漿處理。并剪成50×50（mm），四周末端除去一些玻璃絲，使玻璃絲散開。

（2）試驗步驟：A.將試樣按沉銅工藝程序進行處理；

B.置入沉銅液中，10秒鐘后玻璃布端頭應沉銅完全，呈黑色或黑褐色，2分鐘后全部沉上，3分鐘后銅色加深；對沉厚銅，10秒鐘后玻璃布端頭必須沉銅完全，30-40秒后，全部沉上銅；

C.判斷：如達到以上沉銅效果，說明活化、還原及沉銅性能好，反則差。