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　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

如圖1所示，電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器

　　恒憶閃存基于浮柵技術。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始

專用磁盤陣列，例如IBM的XIV及其他產品，會執行那些原本得由操作系統或系統管理程序執行的功能。而原先的做法則會給虛擬平臺造成額外壓力。

　　在本文章中，我們將介紹各種技巧，電路板設計者可以用它們幫助自己實現設計所需的ESD等級，從而保證所選的ESD

SPI(Serial Peripheral Interface，串行外圍設備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上只占用4根線，不僅

　　O 引言 　　Oracle憑借其優越的穩定性和卓越的性能在眾多領域里有著廣泛的應用。高性能是Oracle優

　　DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于識別和存儲與產品相關的信息。這個標簽或特殊產品信息可以通過最少的

　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新

          重復數據刪除也稱為智能壓縮或單一實例存儲，是一種可自動搜索重復

　　在當今全球市場中，設計人員受分立設計原則的過時思想所困擾。他們只想設計能夠在競爭中勝出的優秀產品，而且他們只想獲得一種簡單易用、使自己能夠專著于產品智能

　　O 引言 　　面對不同的應用場景，原始采樣數據可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統基于連續存儲方式的數據緩存系統帶來了挑戰。除此之外，由于對不同信

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬

近幾年來，隨著變電站自動化水平的提高，在綜自變電站中計算機監控系統、微機保護裝置、微機故障錄波裝置以及各類數據管理機得到了廣泛的應用，而這些自動裝置的配合工

隨著通信協議的發展及多樣化，協議處理部分PE在硬件轉發實現方面，普遍采用現有的商用芯片NP(Network Processor，網絡處理器)來完成，流量管理部分需要根據系統的需要進行定制或采

　　軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數據課題而受到人們的廣泛關注的，當時DRAM開始呈現出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調所

　　本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。 　　鐵電存儲器(FeRAM) 　　鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易

針對這些可攜式電子產品所使用的ESD保護組件需符合下列幾項要求： 第一、為符合這類電子產品輕薄小巧、易于攜帶的需求，ESD保護組件的尺寸必須夠小，例如0402封裝尺

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據. 　　基本簡介 　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內部

　DDR3存儲器系統可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發揮DDR3存儲器的優點，使用一