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　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

　　東芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固態(tài)硬盤)產(chǎn)品。該新型SSD產(chǎn)品分為64GB、128GB和256GB三種

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

　　引言 　　近些年來，隨著集成電路制造工藝和制造技術(shù)的發(fā)展，SRAM存儲芯片在整個SoC芯片面積中所占比例越來越大，而SRAM的功耗也成為整個SoC芯片的主要部分。

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合

　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照

　　DS28E01-100將1024位EEPROM與符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的質(zhì)詢響應(yīng)安全認證結(jié)合在一起。1024位EEPROM陣列被配置為

　　相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師

　　SpaNSion FL-K系列支持統(tǒng)一4-千字節(jié)(KB)的小扇區(qū)設(shè)計。目前整個SpansiON SPI產(chǎn)品組合覆蓋密度范圍為4Mb至256Mb，是市場上最廣泛的產(chǎn)品組合之一。 　　Spansion FL-K系列具備快速

　　高清電視及顯示器的發(fā)展加速提高了信號傳輸速率,除此之外，USB 2.0以及USB 3.0等高速串行協(xié)議的應(yīng)用也使信號速率在不斷提高。隨著信號速率的提高，以前傳統(tǒng)的

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

　　DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于

　　DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等

　　在許多設(shè)計中，功耗已經(jīng)變成一項關(guān)鍵的參數(shù)。在高性能設(shè)計中，超過臨界點溫度而產(chǎn)生的過多功耗會削弱可靠性。在芯片上表現(xiàn)為電壓下降，由于片上邏輯不再是理想電壓

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

　　該DS9034PCX PowerCap的設(shè)計是一個在達拉斯半導(dǎo)體非易失時鐘RAM的鋰動力源的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。經(jīng)過PowerCap模塊板焊接已經(jīng)到位并清洗，DS9034PCX PowerCap是放置在PCM