士兵中若無志于成為將軍之志者，難稱為優秀之士。同理，致力于碳化硅（SiC）融資活動的公司，其目標多半是朝著股票市場進發。碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨特的半導體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環境中發揮出色，預示著其在多種應用場景中的巨大潛力。

然而，碳化硅的生產工藝不僅復雜、技術門檻高昂，而且生產成本也相對較高。這就意味著，從事該材料生產的企業普遍需要較大的資金投入。通過籌集資金和上市，這些企業不僅能夠獲得必要的資金支持以擴張生產規模、提升技術水平、增強其在市場中的競爭力，還能提高自身的品牌影響力和知名度，吸引更多的人才和合作伙伴，從而為其長期發展打下堅實的基礎。

盡管如此，走向上市并非企業發展的終極目標，也并非所有企業都能順利登陸股票市場。企業若想在上市之路上取得成功，必須具備強大的技術力量、穩定的市場需求、健全的財務體系等基礎條件。此外，企業還需要關注自身的核心競爭力和持續發展能力，不斷提升產品和服務的質量，以滿足顧客及投資者的期待。

讓我們探討一下目前尚未在國內上市的碳化硅企業的表現情況。

爍科晶體

爍科晶體，隸屬于中國電科集團，成立于2018年，已經成為國內領先的第三代半導體材料——碳化硅的研發與生產企業。2019年4月1日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地的第一期項目動工，到了2020年3月，該基地的首批生產設備投入使用。該期項目設計容量可達600臺碳化硅單晶生長爐，預計完工后的生產能力將達到每年10萬片4至6英寸n型碳化硅單晶晶片和5萬片4至6英寸高純半絕緣碳化硅單晶晶片，標志著其成為國內規模最大的碳化硅材料生產基地。?? ?

4英寸高純半絕緣碳化硅襯底已成功進入產業化階段，月產量達到8000片，占據了國內市場超過50%的份額。在2022年，爍科晶體在保證高純半絕緣襯底穩定生產的同時，顯著增加了6英寸n型襯底的生產能力，原先的月產能為6000片。該年，公司還實現了8英寸n型碳化硅拋光片的小批量生產，為國產8英寸n型碳化硅拋光片批量化生產邁出了重要一步。

爍科晶體的二期擴展項目于2023年9月啟動建設，10月份進入了關鍵的主體鋼結構施工階段，隨后在11月份主體建筑成功封頂，并滿足了設備入場的條件。到了2024年2月，該二期項目已開始投入生產。預計到2025年，當項目全面投產之后，其年產碳化硅襯底的能力將達到30萬片，大幅提升了爍科晶體在碳化硅材料領域的生產規模和市場競爭力。?? ?

天科合達

天科合達自2006年成立以來，已經成為國內率先專注于第三代半導體碳化硅晶片研發、生產與銷售的國家高新技術企業。該公司業務覆蓋從碳化硅單晶爐的制造到碳化硅單晶生長原料的準備、碳化硅單晶襯底及碳化硅外延層的制備，其碳化硅襯底在全球市場的占有率位列第二。

到了2022年11月，天科合達推出了8英寸導電碳化硅襯底晶片，該產品在多個關鍵性能指標上達到了行業領先水平，并已具備量產能力，自2023年起開始進行小批量生產。?? ?

在2023年2月，天科合達完成了Pre-IPO輪的融資，并于8月開啟了碳化硅晶片的二期擴產計劃，預計新增16萬片的年產能。該擴產項目計劃在2024年6月完成建設，并于8月正式投產，屆時公司的總年產能預計將達到23萬片。

同年5月，天科合達與全球半導體巨頭英飛凌簽訂了長期供貨協議，承諾提供6英寸碳化硅晶圓和晶錠，并計劃供應占英飛凌長期需求的兩位數比例；同時，天科合達還將提供8英寸碳化硅材料，支持英飛凌向更大尺寸晶圓的過渡。

在2023年9月，受到宏觀經濟和股市變動的影響，上市政策突遭緊縮，導致天科合達的上市之路再次遭遇阻礙。盡管面臨這樣的挑戰，該公司在2023年下半年的業績卻呈現亮眼的表現，實現了營業收入的歷史性突破，首次超過10億元人民幣，相比去年實現了翻倍的增長。此外，天科合達已經向國內外超過500家客戶提供了服務，累計銷售的導電型碳化硅襯底材料數量超過了60萬片，展現了其在半導體材料領域的強大實力和廣泛的市場影響力。

同光半導體

同光半導體，自2012年成立以來，專注于碳化硅單晶襯底的研發、生產和銷售，成為國內領先的碳化硅單晶襯底量產企業之一。此外，它也屬于全球為數不多的企業之一，能夠同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底的制備技術。?? ?

經過超過兩年的研發努力，同光半導體成功研制出8英寸導電型碳化硅晶體樣品，并正在致力于將其加工成碳化硅單晶襯底。該公司預計將在不久的將來開始小批量生產，期待通過客戶反饋來驗證產品的芯片制作成功率。

到了2022年，同光半導體位于河北的碳化硅襯底年產能達到了大約10萬片，并計劃大規模擴產。公司正在規劃建設一座擁有2000臺碳化硅晶體生長爐的生長基地，以及一個年產60萬片碳化硅單晶襯底的加工基地。預計到2025年末，這些擴建項目將全面達到產能，顯著提升同光半導體在碳化硅半導體材料市場的地位和影響力。

世紀金芯

世紀金芯，自2019年成立以來，專注于第三代半導體碳化硅功能材料的研發與生產。該公司代表著行業內技術創新的前沿力量。?? ?

到了2022年9月，世紀金芯在合肥啟動的年產3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目正式投產。該項目的晶體良率超過92%，而綜合良率達到了65%。對于襯底外延后的下游芯片流片，SBD產品的綜合良率超過了95%，而MOSFET產品的綜合良率則達到了88%，產品已經開始批量生產和交付。同時，8英寸單晶研發也取得了顯著進展，已經進入到送樣驗證階段，且所有關鍵性能指標均達到了行業領先水平。

到了2024年1月，世紀金芯的全資子公司宇海電子的年產70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底項目在包頭市發改委完成了備案審批。該項目計劃總投資高達35億元人民幣，占地面積達到270畝，預計年產能達到70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底。項目的總建筑面積約為12萬平方米，包括碳化硅長晶爐、切磨拋加工以及測試等相關設施。總的建設周期為三年，計劃從2024年4月開始至2027年4月結束。?? ?

據悉，世紀金芯的產品線已經涵蓋了6英寸、8英寸碳化硅襯底以及其他第三代半導體材料的研究。其6英寸碳化硅襯底已經與國內多家領先的外延和晶圓廠商建立了合作關系，并成功與HT、ZDK進行了多批次的樣品驗證。此外，該公司還在與臺灣的HY、JJ、韓國的GJ實驗室、SX進行產品驗證，并與日本的FG等進行了8英寸襯底產品的驗證。

中電化合物

中電化合物自2019年起步，得到華大投資支持，成立了一家專注于碳化硅晶體、襯底、外延以及氮化鎵（GaN）外延制造的企業，其中華大對中電化合物的持股比例高達48.93%。

在2022年10月，中電化合物宣布了一項總投資額達10.5億元人民幣的寬禁帶半導體材料項目，并打算在2021至2025年間投入8億元人民幣。項目計劃分為兩個階段進行：首期投資2.2億元人民幣，租用一萬平方米的工廠空間；第二期則計劃征用70畝土地，旨在形成年產8萬片4至6英寸碳化硅襯底及外延產品和碳化硅基氮化鎵N外延產品的能力。?? ?

到了2023年6月，中電化合物與韓國的Power Master達成了一項長期供應協議，包括提供8英寸的碳化硅材料。緊接著在7月，中電化合物成功獲得瑞能半導的投資，金額達5000萬元人民幣，這進一步加強了其在半導體材料制造領域的資金和技術實力。

南砂晶圓

南砂晶圓，創辦于2018年，標志著一家專注于碳化硅單晶材料研究、制造及銷售的綜合型國家級高新技術企業的誕生。該企業依托山東大學近期在碳化硅單晶生長及襯底處理技術方面的研究成果，建立了深度的產學研合作體系。

2022年年末，南砂晶圓成功完成了B+輪的融資活動，此輪融資由渾璞投資牽頭。更早之前，在2021年9月，該公司啟動的總部基地建設項目達到了封頂里程碑，該項目總投資達到9億元人民幣，占地約36.8畝，預計建成面積達到91,372.47平方米，旨在年產各類碳化硅襯底達到150,000片的規模。

通過與山東大學晶體材料國家重點實驗室的緊密合作，南砂晶圓在過去幾年中在理論與技術研發方面取得了顯著成果，成功研發出了高品質的8英寸導電型4H-SiC單晶及其襯底材料。

超芯星

超芯星，自2019年設立以來，已成為國內首批致力于大尺寸碳化硅襯底產業化的企業之一，目前已成功實現6英寸碳化硅襯底的量產和出貨。該公司的創始團隊擁有國際領先的HTCVD技術背景，來自于全球知名的Norstel公司，并在1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發及產業化過程中發揮了關鍵作用。?? ?

超芯星不僅在國內市場取得了顯著成就，還是國內為數不多能在國際競爭中占據一席之地的碳化硅襯底供應商之一。特別值得一提的是，其6英寸碳化硅襯底產品已成功打入美國頂尖器件制造商，標志著中國碳化硅襯底企業在國際市場的重要突破。為了迎合全球市場的高需求，超芯星正按計劃進行產品交付并積極擴大產能，預計在不久的將來6至8英寸碳化硅襯底的年產能將達到150萬片。

到了2023年12月，超芯星已成功完成了數億元人民幣的C輪融資，進一步加強了其在碳化硅襯底產業化方面的領先地位。

科友半導體

科友半導體，自2018年成立以來，已經成長為一家集第三代半導體裝備研發、襯底制造、器件設計及科研成果轉化為一體的國家高新技術企業。該公司的研發活動涵蓋了半導體裝備制造、晶體生長工藝、襯底加工等多個重要領域。?? ?

2022年5月，科友半導體的產學研基地一期工程順利完工，該項目自2020年啟動。依托公司自主研發的技術，一條年產10萬片第三代半導體襯底材料的生產線預備投入生產。

科友半導體已經成功開發了6至8英寸碳化硅晶體生長的關鍵技術和2至4英寸氮化鋁晶體生長的關鍵技術，其中6英寸碳化硅晶體的厚度已經突破到了40mm。至2022年年底，該公司利用自主設計和制造的電阻長晶爐成功生產出直徑超過8英寸、表面光滑無缺陷的碳化硅單晶，其最大直徑超過了204mm，標志著科友半導體在6英寸碳化硅晶體厚度突破后又一次實現了重大技術進步。?? ?

目前，科友半導體擁有一條長晶爐生產線，年產能達200臺長晶爐，以及一套高純石墨加工設備和一套高純度碳化硅原料制備設備。此外，公司還運營著一條6至8寸碳化硅晶體生產線，年產6至8寸碳化硅襯底達10萬片。

科友半導體在8英寸碳化硅襯底量產的關鍵技術上取得了顯著成果，尤其在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速度、制備成本及裝備穩定性等方面。到了2023年4月，公司的8英寸碳化硅中試線正式運行并開始生產，平均長晶良率已經突破50%，晶體厚度達到了15mm以上，這一成就突破了國際的限制和封鎖，進一步證明了科友半導體在第三代半導體領域的技術實力和創新能力。

乾晶半導體

乾晶半導體，創立于2020年，致力于第三代半導體材料的研究與開發，成為一家融合半導體碳化硅單晶生長、晶片加工及設備開發于一體的創新型高新技術企業。?? ?

2023年2月，乾晶半導體成功完成了1億元人民幣的Pre-A輪融資。緊接著在4月，公司啟動了“6/8英寸碳化硅拋光襯底研發及中試項目”，該項目總占地22畝，總建筑面積大約19,000平方米，總投資達到約3億元人民幣，旨在建立一個集碳化硅6/8英寸單晶生長與襯底加工于一體的中試生產基地。

到了5月，浙江大學杭州科技創新中心的先進半導體研究院與杭州乾晶半導體聯合實驗室成功開發出8英寸導電型碳化硅產品，其中包括8英寸碳化硅晶錠及8英寸碳化硅拋光襯底。采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）技術，實現了27mm厚的8英寸n型碳化硅單晶錠的生長，并進一步加工成8英寸碳化硅襯底，使乾晶半導體加入了8英寸碳化硅領域的先進行列。?? ?

在長晶技術上，乾晶半導體生長的6英寸碳化硅晶體厚度超過20mm，最厚處可達50mm，成品率高達70%，晶體生長周期僅需5天，位于國內先進水平。在切割技術上，公司解決了使用金剛石線進行高速切割時的挑戰，包括劇烈的加工過程和晶片的翹曲問題，將單次切割時長縮短至20小時，顯著提升了加工效率。乾晶半導體還在積極開發激光剝離技術，以期進一步降低晶片切割的損耗和損傷層的厚度，展現了其在半導體材料加工技術領域的創新能力和技術優勢。

天達晶陽

天達晶陽，自2020年成立伊始，便以中國科學院物理研究所和天科合達的先進技術為基礎，迅速在碳化硅單晶襯底行業中嶄露頭角。其采用的高端技術綜合實力在國內居首位，全球排名第四，標志著該公司已達到國內領先及國際先進的水平。

2021年4月，天達晶陽啟動了其碳化硅單晶體項目的關鍵階段——無塵車間的改造工作。該項目的第一階段涉及54臺碳化硅單晶生長爐，所有設備已經到位，其中30臺設備已經完成安裝并處于調試階段。

到了2022年4月，公司進一步加大投資力度，注資7.31億元人民幣，計劃建設一條配備400套完整設備的碳化硅晶體生產線。預計該生產線達產后，4至8英寸的碳化硅晶片年產能將能夠達到12萬片，顯著提升公司在碳化硅單晶襯底市場的競爭力和影響力。

晶越半導體

晶越半導體，自2020年成立以來，專注于6至8英寸導電型碳化硅襯底材料的研發、生產和銷售，成為該領域的重要參與者。

2020年6月，晶越半導體在上海與當地市經開區、溢起投資合伙企業及高冰博士團隊簽訂了“晶越碳化硅晶圓項目”的三方投資協議書。該項目規劃分為三個階段進行，總投資額達到驚人的100億元人民幣，預計第一階段投產后，月產能將達到1500片碳化硅晶圓。

到了2021年7月，浙江紹興市的生態環境局接受了晶越碳化硅項目的環評文件。項目第一期的計劃投資約為1.35億元人民幣，預期年產能為1.2萬片6英寸碳化硅晶片，顯示了晶越半導體在產業發展和環保責任方面的重視。?? ?

2022年6月，晶越成功完成了B輪融資，本輪融資由紅杉資本等領投，融資后的估值達到了1.35億元人民幣。這一重要的財務里程碑不僅為晶越半導體的未來發展注入了新的動力，也反映了資本市場對于晶越在碳化硅襯底材料研發和生產領域潛力的高度認可。

粵海金半導體

粵海金半導體，成立于2022年，隸屬于高金富恒集團，專注于碳化硅半導體材料的研發與生產。公司擁有山東東營的產業化基地和北京的研發中心，這兩大核心板塊構成了其強大的產業與研發網絡。

依托于中科鋼研和國宏中宇第三代半導體材料制備關鍵共性技術的北京市工程實驗室，粵海金已經建立了一套具有自主知識產權的核心技術體系。這些技術的應用不僅提升了公司的研發實力，也為碳化硅半導體材料的產業化奠定了堅實的基礎。?? ?

國宏中能的年產11萬片碳化硅襯底項目，總投資達6.5億元，總建筑面積為3萬平方米。項目通過不斷的科研投入，在材料制備技術體系和核心裝備研制方面取得了顯著進展，已經具備了投產的條件。

到了2023年5月，粵海金成功完成了超過億元的Pre-A輪融資。從2022年9月起，高金富恒集團已經累計投入超過6億元人民幣，對北京研發中心和山東生產基地進行了技術升級與擴能改造。目前，粵海金的碳化硅襯底產品即將開始量產交付。

在2023年11月，粵海金半導體在碳化硅半導體領域取得了又一重大成就，成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片，標志著公司在高端碳化硅半導體材料研發和生產方面邁出了重要一步。

國碳半導體

國碳半導體，自2020年成立以來，依托自1991年起始的碳化硅長晶技術研發，已成為專注于碳化硅襯底晶體生長、加工及關鍵設備技術開發、生產和銷售的創新型企業。該公司集合了擁有豐富襯底材料研發背景和成熟企業運營管理經驗的創始團隊，其6-8英寸碳化硅襯底研發項目已在深圳市中清欣達膜技術研究院落戶，并計劃以10億元的投資在深圳建設一條年產24萬片6寸碳化硅襯底的生產線。?? ?

到了2022年10月，國碳半導體的6英寸車規級碳化硅襯底項目在深圳正式啟動生產。截至2023年11月，公司已成功獲得全球頂級客戶的Vendor Code，確保了年產50萬片碳化硅襯底的意向性產能需求。

此外，國碳半導體在2023年11月宣布，已經聘請華興泛亞投資顧問（北京）有限公司負責其融資活動，本輪融資將主要用于中山生產基地的建設，展示了國碳半導體在碳化硅半導體材料領域的持續發展和擴張計劃。

晶格領域?? ?

晶格領域，自2020年創立以來，已成為一家融合碳化硅襯底研發、生產及銷售為一體的創新型高新技術企業。作為國內首個采用液相法核心技術生長碳化硅晶體的企業，晶格領域擁有自主知識產權的液相法生長技術。該技術相較于現有的物理氣相傳輸法（PVT法），不僅能顯著提升晶體質量，降低生產成本，還能解決碳化硅襯底p型摻雜在產業化過程中難以實現的問題，對于寬禁帶半導體產業的發展具有深遠的意義。

晶格領域的液相法生長碳化硅半導體襯底項目是中國科學院物理所的科技成果轉化項目，項目分三期實施，預計總投資達7.5億元人民幣。在項目的第一階段，公司投資5000萬元，在中關村順義園租賃了1050平方米的廠房，用于建設4至6英寸液相法碳化硅晶體的中試生產線。2021年4月，項目的首批設備已經到位并啟動了試生產。

目前，晶格領域已經成功生長出4至6英寸的p型碳化硅晶體，無論是晶體尺寸、質量還是厚度，均達到了國際先進水平，展示了公司在碳化硅襯底技術研發和生產領域的強大實力和創新能力。

審核編輯：黃飛

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