回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？ 為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報(bào)道。 本期嘉賓是飛锃半導(dǎo)體CEO 周永昌。接下來(lái)還將有更多的領(lǐng)軍企業(yè)參與《行家瞭望》，敬請(qǐng)期待。

出貨量突破2400萬(wàn)顆?拓展車(chē)載OBC、光儲(chǔ)應(yīng)用

行家說(shuō)三代半：2023年貴公司取得了哪些成績(jī)？

周永昌：2023年我們公司在多個(gè)方面取得了不錯(cuò)的成績(jī)：

●?首先是碳化硅器件的出貨量。

截至2023年，1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過(guò)了2400萬(wàn)顆，得到了新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶(hù)好評(píng)。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升，相比2022年，SiC MOSFET創(chuàng)造的營(yíng)收從17%增長(zhǎng)至50%，這表明市場(chǎng)對(duì)我們產(chǎn)品的認(rèn)可，也推動(dòng)了公司業(yè)務(wù)的持續(xù)增長(zhǎng)和市場(chǎng)地位的提升。

●?其次是市場(chǎng)新能源OBC應(yīng)用突破

我們通過(guò)了客戶(hù)的上車(chē)驗(yàn)證，已批量供應(yīng)給車(chē)載電源的頭部企業(yè)。在11KW OBC方面，飛锃半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET也已在客戶(hù)端驗(yàn)證。

●?第三是進(jìn)一步光儲(chǔ)充市場(chǎng)份額。

2023年，我們通過(guò)與客戶(hù)緊密合作，聚焦客戶(hù)的光儲(chǔ)逆變器新品開(kāi)發(fā)需求，成功研發(fā)并推出了更適合當(dāng)前光儲(chǔ)用戶(hù)需求的新款SiC二極管，通過(guò)了客戶(hù)的驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；a(chǎn)。

飛锃半導(dǎo)體2023年關(guān)鍵工作：

新產(chǎn)品、車(chē)規(guī)、市場(chǎng)、創(chuàng)新

行家說(shuō)三代半：取得這些成績(jī)，貴公司主要做了哪些關(guān)鍵性工作？

周永昌：2023年我們的碳化硅業(yè)務(wù)主要圍繞產(chǎn)品“練內(nèi)功”和市場(chǎng)開(kāi)拓來(lái)展開(kāi)。

● 一是推出了第三代碳化硅MOSFET，包含多種市場(chǎng)主流規(guī)格，如1200V 14/18/30/40/80mΩ和750V 11mΩ。

與我們上一代產(chǎn)品相比，新一代SiC MOSFET產(chǎn)品具備了更好的參數(shù)一致性、更低的開(kāi)關(guān)損耗、以及更出色的導(dǎo)通特性，可滿(mǎn)足充電樁、光伏&儲(chǔ)能、車(chē)載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域的高可靠性和高性能需求。在不同柵極驅(qū)動(dòng)電阻的情況下，我們的第三代碳化硅MOSFET的反向恢復(fù)損耗以及總開(kāi)關(guān)損耗都有很大的改善。

●?二是實(shí)現(xiàn)了車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅突破。

飛锃半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，并且通過(guò)了HV-H3TRB測(cè)試，使得飛锃半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過(guò)雙重考核的廠(chǎng)商之一。

其中，飛锃半導(dǎo)體1200V車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET采用18V/20V柵極驅(qū)動(dòng)電壓，650V車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET采用15V柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 ?

●?三是在與客戶(hù)共同開(kāi)發(fā)碳化硅模塊，以滿(mǎn)足更大功率和更高功率密度設(shè)計(jì)的需求。

●?四是市場(chǎng)開(kāi)拓取得了更大突破。

由于我們成功推出了新一代的SiC MOSFET和車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET，我們?cè)?023年與更多的新能源、光儲(chǔ)、充電樁等領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)建立了緊密的合作伙伴關(guān)系。通過(guò)共同推動(dòng)碳化硅技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用，我們解決了技術(shù)難題，共享資源和經(jīng)驗(yàn)，加速了產(chǎn)品的研發(fā)和推廣，實(shí)現(xiàn)了互利共贏。

●?五是技術(shù)創(chuàng)新。

截止2023年，我們?cè)谔蓟桀I(lǐng)域持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，并積累了豐富的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，獲得了超過(guò)40余項(xiàng)自主研發(fā)的專(zhuān)利，還有50余項(xiàng)專(zhuān)利正在申請(qǐng)中。

行家說(shuō)三代半：能否談?wù)勝F公司在車(chē)規(guī)碳化硅的策略和規(guī)劃？

周永昌：我們與新能源汽車(chē)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)初步達(dá)成合作，成功向多家客戶(hù)提供車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證，同時(shí)我們也積極拓展其他汽車(chē)客戶(hù)的合作，爭(zhēng)取獲得更多市場(chǎng)份額。

不過(guò)，從業(yè)務(wù)節(jié)奏來(lái)說(shuō)，我們飛锃半導(dǎo)體并沒(méi)有追求過(guò)快上車(chē)，因?yàn)槲覀冋J(rèn)為當(dāng)前SiC功率器件仍面臨一些挑戰(zhàn)和堵點(diǎn)，國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)需要進(jìn)一步克服。

首先，碳化硅上車(chē)要確保良率和設(shè)計(jì)工藝的可靠性。

碳化硅器件中最為關(guān)鍵的是閾值電壓（Vth）的漂移和柵氧可靠性，這是評(píng)價(jià)碳化硅MOSFET可靠性水平的核心參數(shù)，國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)品仍需要通過(guò)可靠性結(jié)果來(lái)計(jì)算器件需要多久才能持續(xù)滿(mǎn)足規(guī)范要求。

其次，產(chǎn)品必須通過(guò)AEC-Q101的基本保障，以確保產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)格要求。飛锃半導(dǎo)體注重質(zhì)量管理和可靠性保證。我們嚴(yán)格執(zhí)行國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量管理體系，并通過(guò)ISO 9001認(rèn)證和IATF16949審核。通過(guò)建立可靠的產(chǎn)品供應(yīng)鏈和嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程，我們能夠確保產(chǎn)品的一致性和可靠性，提供穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量給客戶(hù)。

總之，我們將繼續(xù)致力于克服上述這些挑戰(zhàn)，不斷提升產(chǎn)品的可靠性和性能，為實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)SiC芯片的上車(chē)能力做出努力。

5大策略應(yīng)對(duì)行業(yè)內(nèi)卷?

3大戰(zhàn)略提升領(lǐng)先地位

行家說(shuō)三代半：成本是把雙刃劍，行業(yè)規(guī)?；l(fā)展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價(jià)所反噬，您如何看待行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)？貴公司有哪些好的做法和建議？

周永昌：中國(guó)碳化硅市場(chǎng)正在經(jīng)歷變局，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，各企業(yè)不斷降低成本以爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。面對(duì)當(dāng)下“卷”的市場(chǎng)，我們也認(rèn)為行業(yè)“非競(jìng)爭(zhēng)不發(fā)展”。我們將有5個(gè)方面的應(yīng)對(duì)措施。

●?一方面，我們要加強(qiáng)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，實(shí)現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。為此在外延和襯底方面，我們選擇國(guó)內(nèi)外襯底原材料供應(yīng)商建立穩(wěn)定緊密的合作關(guān)系，以確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定和高效運(yùn)作。

●?另一方面，我們要增強(qiáng)芯片可靠性優(yōu)勢(shì)和交付優(yōu)勢(shì)。為此在芯片制作方面，我們與晶圓代工廠(chǎng)積塔半導(dǎo)體合作，積塔半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)6英寸碳化硅器件的代工廠(chǎng)，通過(guò)他們的制造能力和資源，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的生產(chǎn)和高質(zhì)量交付。

●?第三，我們要發(fā)揮資源和經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)。我們也堅(jiān)信在當(dāng)前的市場(chǎng)環(huán)境中，我們有自己的核心競(jìng)爭(zhēng)力。2015年開(kāi)始，飛锃半導(dǎo)體就開(kāi)始研發(fā)碳化硅產(chǎn)品，并在這個(gè)行業(yè)中積累了多年的經(jīng)驗(yàn)，擁有了一定體量的穩(wěn)定客源，近兩年來(lái)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，我們的業(yè)務(wù)模式也得到了諸多下游用戶(hù)的認(rèn)可支持，在此前的行業(yè)周期中我們的產(chǎn)品供應(yīng)總是可以保質(zhì)保量完成，是下游客戶(hù)可以信賴(lài)的合作伙伴。

●?第四，我們要在保持原有市場(chǎng)份額和穩(wěn)定增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上，將加大對(duì)新應(yīng)用市場(chǎng)的投入。特別是在光儲(chǔ)、新能源汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，我們將以客戶(hù)為中心，密切關(guān)注市場(chǎng)趨勢(shì)和客戶(hù)需求，并加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新，通過(guò)提供定制化的碳化硅解決方案，我們將滿(mǎn)足不同行業(yè)的需求，拓展市場(chǎng)份額。

●?第五，我們將加強(qiáng)國(guó)際市場(chǎng)合作。SiC器件市場(chǎng)是全球性的，各個(gè)國(guó)家都在積極推動(dòng)其發(fā)展。我們可以借鑒國(guó)外的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)，與國(guó)際企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，互相學(xué)習(xí)和共同發(fā)展。通過(guò)開(kāi)展國(guó)際合作，我們可以拓寬市場(chǎng)渠道，提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。

行家說(shuō)三代半：2024年，貴司定下來(lái)了哪些規(guī)劃和目標(biāo)？

周永昌：對(duì)于飛锃半導(dǎo)體而言，2024年是關(guān)鍵的一年，我們將通過(guò)3個(gè)戰(zhàn)略方向，來(lái)進(jìn)一步鞏固和拓展在碳化硅市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)和業(yè)務(wù)的全面發(fā)展。

●?一方面，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC MOSFET的應(yīng)用市場(chǎng)。

盡管在2023年，我們的SiC MOSFET取得了顯著的增長(zhǎng)，但仍有很大的發(fā)展?jié)摿?，因此我們將繼續(xù)與合作伙伴密切合作，擴(kuò)大SiC MOSFET在新能源、光儲(chǔ)、充電樁等領(lǐng)域的應(yīng)用。

●?另一方面，發(fā)力車(chē)載領(lǐng)域。

2023年，我們的SiC MOSFET獲得了車(chē)規(guī)認(rèn)證，并且推出了6.6kW OBC、11kW OBC、2-3kW 車(chē)載DCDC等應(yīng)用方案，相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn)，將逐步批量供貨。

2024年我們計(jì)劃與更多汽車(chē)廠(chǎng)商合作，將SiC MOSFET應(yīng)用范疇進(jìn)一步擴(kuò)展，為電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力電子、充電系統(tǒng)等關(guān)鍵部件提供高效、可靠的解決方案。

●?第三，繼續(xù)擴(kuò)展SiC 二極管的“朋友圈”。

我們將專(zhuān)注于工業(yè)自動(dòng)化、電力傳輸、光伏等大功率、高壓和大電流的應(yīng)用市場(chǎng)，與客戶(hù)緊密合作，通過(guò)不斷改進(jìn)產(chǎn)品性能和質(zhì)量，提供可靠的產(chǎn)品和技術(shù)支持，來(lái)滿(mǎn)足不同行業(yè)對(duì)高性能SiC二極管的需求，為客戶(hù)的實(shí)際應(yīng)用提供最佳的解決方案。

審核編輯：黃飛