簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求，進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊，及對(duì)應(yīng)電機(jī)控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對(duì)碳化硅功率模塊的開發(fā)、測試及系統(tǒng)評(píng)估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:47
2702 
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:012204 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。 碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多?！ ∪?、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn) 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
表面與樹脂材料的界面分層、綁定線與樹脂材料的界面分層等缺陷。對(duì)于材質(zhì)多且材質(zhì)與材質(zhì)接觸面比較多的模塊，此通過此項(xiàng)目難度較高。HTGB（高溫門極偏置測試） 高溫門極偏置測試是針對(duì)碳化硅MOSFET的最重
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-11-15 11:59:01
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對(duì)碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對(duì)開關(guān)損耗的影響 ?。?）雙脈沖測試時(shí)的重要注意事項(xiàng)---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
90A 的 6 件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，適用于 1200V，以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片組?！ “腠?E2 模塊 SEMITOP E2是允許全面優(yōu)化的無底板模塊。憑借其位于外殼頂部的引腳
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">分析 在正半周期（VAC大于0）的時(shí)候，T2為主開關(guān)管?！ ‘?dāng)T2開通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
明白碳化硅MOSFET其中好處之一，這個(gè)個(gè)參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS（on）。在芯片溫度100°C 時(shí)，CoolSiC有較低的倍增系數(shù)（multiplication factor，K），約為 1.13，而
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
10μs，在設(shè)計(jì)硅IGBT的短路保護(hù)電路時(shí)，建議將短路保護(hù)的檢測延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 具體來說，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列，可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中，英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度，從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元
2019-08-15 18:14:0311075 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 ，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。基本半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
。為了進(jìn)一步驗(yàn)證該碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的性能,對(duì)電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)制作樣機(jī)并搭建臺(tái)架進(jìn)行測試驗(yàn)證,測試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器,采用碳化硅模塊設(shè)計(jì)
2022-12-21 14:05:032918 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理，指出了加工過程中的關(guān)鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:552737 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始投建
2023-02-21 09:26:45
2 進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113177 
汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件，由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動(dòng)車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 來源：碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965 
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:091795 
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 隨著國內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:492037 
當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41739 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 ，因此在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)碳化硅功率器件的原理、特點(diǎn)、應(yīng)用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-12-14 09:14:461428 碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
2024-01-09 10:18:271552 
材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此，在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:141646 
在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:221856 
碳化硅(SiC)這個(gè)名字想必大家已經(jīng)耳熟能詳了，在之前的文章中我們也多次提到過，它在電力電子領(lǐng)域可以說是個(gè)大明星，就像是那個(gè)多才多藝的學(xué)霸，不管是高溫、高壓、還是熱導(dǎo)率，它都能應(yīng)對(duì)自如，而且還特別
2024-03-25 15:52:321679 
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，本文將對(duì)碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造過程進(jìn)行詳細(xì)的探討。
2024-03-27 09:23:402169 
碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進(jìn)的SiC模塊，特別適用于各種充電設(shè)備的設(shè)計(jì)中。本文將探討
2024-06-06 11:19:33966 
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291127 
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031082 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28493 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03983 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論