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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>電容振動(dòng)試驗(yàn)引線振斷了怎么把電容固定住?

電容振動(dòng)試驗(yàn)引線振斷了怎么把電容固定住?

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本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 13:28 編輯 晶與配置電容的關(guān)系是什么?如何選擇相應(yīng)的配置電容?求高手大牛解答
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電容、電阻有什么關(guān)系

`晶有很多參數(shù),其中包括電容和電阻。這些參數(shù)究竟是什么,對(duì)晶來(lái)說(shuō)又有什么作用?晶的負(fù)載電容,負(fù)載電容是指晶要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容
2017-06-30 14:32:46

電容的配置關(guān)系是什么

哪位大俠知道晶電容的配置關(guān)系啊,比如13M的晶要怎么配電容???
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關(guān)于晶的負(fù)載電容設(shè)計(jì)對(duì)初級(jí)工程師做設(shè)計(jì)有很重要的參考意義。
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負(fù)載電容的重要性

的負(fù)載電容(pf)對(duì)于的選購(gòu)固然重要,在工作中市場(chǎng)遇到一些顧客只知道尺寸、頻率.對(duì)于精度(ppm)、負(fù)載電容表示并無(wú)要求.通常這種情況下我們會(huì)推薦常用的pf、ppm(進(jìn)口晶正品的一般為10
2016-05-18 20:38:27

求大佬g(shù)ank。。。關(guān)于有源晶不起

很大。電源和地的頻率也達(dá)到了100Hz左右。上網(wǎng)查過(guò)相關(guān)資料,仔細(xì)對(duì)比了一下自己畫(huà)的圖,不知道電容的放置位置對(duì)起是否有影響。我就拿了塊新板C5(0.1uF)和c6之間的電壓線割斷了,從FL403
2018-04-13 11:05:38

電磁振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)有什么功能?

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畫(huà)最小電路的時(shí)候晶部分的電容問(wèn)題

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維庫(kù)大學(xué)堂:有關(guān)振動(dòng)臺(tái)/振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)FAQ

Q: 什么是工頻振動(dòng)臺(tái)? A: 工頻振動(dòng)臺(tái)是指振動(dòng)頻率固定在50hz的振動(dòng)臺(tái) Q: 模擬運(yùn)輸振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)和通常所說(shuō)的振動(dòng)臺(tái)有什么區(qū)別. A: 模擬運(yùn)輸振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)是回轉(zhuǎn)是振動(dòng)方式. 它的加速度是不可考
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2019-09-14 09:41:0051168

單片機(jī)晶的負(fù)載電容有什么作用

一般單片機(jī)的晶工作于并聯(lián)諧振狀態(tài),也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶廠家提供的晶要求負(fù)載電容選值的,換句話說(shuō),晶的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的,能最大限度的保證頻率值的誤差。
2020-01-25 16:37:007030

旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián)) 晶的負(fù)載電容

晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。是指晶要正常震蕩所需要的電容。
2021-01-16 12:07:3110363

電容種類(lèi)及濾波電容的作用

電容種類(lèi)的大致了解,在選擇電容時(shí)有助于對(duì)電容種類(lèi)的快速篩選。電容種類(lèi)較多,按封裝分有貼片電容、插件電容,按介質(zhì)分有陶瓷電容,鉭電容,電解電容、云母電容、薄膜電容等,按結(jié)構(gòu)形勢(shì)分,有固定電容、半固定
2022-11-30 11:16:492508

旁外接電容的選擇

旁外接電容的選擇現(xiàn)階段的淺顯認(rèn)識(shí),參考了很多別人的文章。以后如果有新的認(rèn)識(shí)后會(huì)繼續(xù)補(bǔ)充。 負(fù)載電容是指晶要正常震蕩所需要的電容。換句話說(shuō),晶的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的,能最大
2021-11-16 16:36:033

無(wú)源晶(Crystal)的負(fù)載電容

分為有源晶(Oscillator)和無(wú)源晶(Crystal),無(wú)源晶有一個(gè)參數(shù)叫做負(fù)載電容(Load capacitance),負(fù)載電容是指在電路中跨接晶兩端的總的外界有效電容。負(fù)載電容
2022-01-12 11:35:5229

外匹配電容應(yīng)該怎樣選取

參考鏈接:晶負(fù)載電容外匹配電容計(jì)算與晶振振蕩電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié) (sohu.com)https://www.sohu.com/a/230413766_629440前面對(duì)于晶的匹配電容選取一直
2022-01-13 10:33:435

請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)晶電路中兩個(gè)電容的作用是什么

單片機(jī)晶電路中的電容叫負(fù)載電容,也可以說(shuō)是起電容,一般晶電路中都有這兩個(gè)小電容的。
2022-02-02 09:01:5917377

關(guān)于晶與匹配電容的總結(jié)

負(fù)載電容是指晶的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶,負(fù)載電容不一定相同。
2022-02-09 09:41:2021

單片機(jī)晶的負(fù)載電容常見(jiàn)問(wèn)題分析

單片機(jī)晶旁邊兩個(gè)對(duì)地電容叫晶的負(fù)載電容,分別接在晶的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶的諧振頻率和輸出幅度,一般訂購(gòu)晶時(shí)候供貨方會(huì)問(wèn)你負(fù)載電容是多少。 一般單片機(jī)的晶工作
2022-02-11 10:53:594

在選擇avx鉭電容時(shí)應(yīng)該注意哪些方面

電容在正常工作時(shí)不固定,容易造成引線大面積應(yīng)用或諧振,嚴(yán)重時(shí)甚至導(dǎo)致斷線。因此,我們?cè)谶x擇avx鉭電容時(shí),貼片鉭電容應(yīng)該考慮的幾個(gè)方面如下: 1、充放電的峰值電流需要根據(jù)鉭電容電路的時(shí)間來(lái)進(jìn)行
2022-06-06 14:30:371122

如何區(qū)分晶的負(fù)載電容與外接電容

經(jīng)常遇到有人的負(fù)載電容與外接電容混淆,甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。這里需要特別指出的是:若你這樣想,就大錯(cuò)特錯(cuò)了。
2022-06-15 17:19:114646

電路兩端的電容為什么一樣?

電路兩端的電容為什么一樣嗎?選擇這兩個(gè)電容,有什么標(biāo)準(zhǔn)呢?
2023-05-06 16:15:092364

MACOM梁式引線電容

MACOM的MMI-9000和9100系列片式電容器通過(guò)氮化合物/氧化物電介質(zhì)具有較高的斷開(kāi)電壓和低介質(zhì)損耗。金引線鍵合表層、頂部和底部提供方便于引線鍵合和最低的絕緣電阻。MACOM的梁式引線電容
2023-05-18 09:07:081419

簡(jiǎn)要介紹晶的負(fù)載電容與外接電容的區(qū)別與關(guān)系

經(jīng)常遇到有人的負(fù)載電容與外接電容混淆,甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。這里需要特別指出的是:若你這樣想,就大錯(cuò)特錯(cuò)了。
2023-05-25 12:18:573711

關(guān)于晶的靜態(tài)電容與動(dòng)態(tài)電容

使用250B分析儀測(cè)試的時(shí)候:主要參數(shù)有:FL、C0、RR、C1FL表示頻率偏移值RR表示晶的電阻C0表示靜態(tài)電容C1表示動(dòng)態(tài)電容而C0與C1的區(qū)別是什么呢?靜態(tài)電容C0,主要來(lái)自以石英晶片為介電
2022-04-22 17:29:413084

電容器的引線是什么材料?哪種才更好呢?

所謂電容器的引線,一般指的插件類(lèi)電容器,引線一般是CP線、CU線或者金屬軟件,用于電容器焊接到電路板上,電容器的引線是什么材料?哪一種才更好呢?1、CP線。絕大多數(shù)插件類(lèi)電容器的引線,都是
2022-05-20 09:18:303959

無(wú)源貼片晶電容選錯(cuò)了怎么辦?

很多客戶在前期選型階段,會(huì)忽略晶本身的電容值,對(duì)于無(wú)源晶而言,電路旁往往會(huì)有電容電阻并聯(lián),當(dāng)晶廠家在咨詢晶電容參數(shù)時(shí),客戶會(huì)把晶外掛的電容值告知廠家。這樣一來(lái),很容易讓晶參數(shù)發(fā)生變化。那么電容值選錯(cuò)了會(huì)有哪些影響了。
2022-07-04 15:00:251343

溫濕度振動(dòng)三綜合試驗(yàn)箱在操作時(shí)需要注意的事項(xiàng)

溫濕度振動(dòng)三綜合試驗(yàn)箱箱體外部的螺絲和固定架要定期檢查,避免因?yàn)槁萁z松了或者固定架垮了引發(fā)箱體的損壞,影響試驗(yàn)的正常進(jìn)行。   溫濕度振動(dòng)三綜合試驗(yàn)箱周?chē)璞3滞L(fēng)順暢,避免引起火災(zāi)對(duì)設(shè)備或者人體
2022-08-18 16:41:212026

貼片電容為什么會(huì)振動(dòng) 貼片電容都會(huì)產(chǎn)生噪音嗎

貼片電容產(chǎn)生噪音,即是說(shuō),貼片電容在電壓作用下發(fā)生幅度較大的振動(dòng)(微觀的較大,小于1nm)。
2023-07-04 15:09:332143

啟動(dòng)電容對(duì)晶輸出頻率有哪些影響呢?

啟動(dòng)電容越大,晶的頻率越偏負(fù)向;反之,啟動(dòng)電容越小,晶的輸出頻率越偏正向。
2023-09-15 17:33:071872

炬烜能量站:晶電路電容的作用

另外,為了電路的穩(wěn)定性起見(jiàn),建議在晶的兩引腳處接入兩個(gè)瓷片電容接地來(lái)削減諧波對(duì)電路的穩(wěn)定性的影響,所以晶必須配有起電容,但電容的具體大小沒(méi)有什么普遍意義上的計(jì)算公式,不同芯片的要求不同。
2023-10-10 17:06:222044

如何區(qū)分晶的負(fù)載電容與外接電容問(wèn)題

在無(wú)源晶應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶并聯(lián)1MΩ的電阻。
2023-10-15 11:28:431241

為什么在晶電路中要使用起電容?

詳細(xì)介紹起電容在晶電路中的作用和原理。 首先,起電容能夠影響晶電路的頻率。在晶電路中,晶體振蕩器通過(guò)晶體振動(dòng)來(lái)產(chǎn)生電信號(hào)。晶電路常用的晶體材料有石英、石墨等,這些材料具有機(jī)械振蕩的特性。當(dāng)晶體
2023-11-17 11:27:482962

的負(fù)載電容與外接電容的區(qū)別與關(guān)系

的負(fù)載電容與外接電容的區(qū)別與關(guān)系
2023-12-05 16:18:308443

村田的引線型多層陶瓷電容器有哪些特點(diǎn)?本文總結(jié)全了

村田的引線型多層陶瓷電容器有哪些特點(diǎn)?本文總結(jié)全了
2023-12-05 17:21:511326

村田的引線型多層陶瓷電容器有哪些特點(diǎn)?

村田的引線型多層陶瓷電容器有哪些特點(diǎn)?
2023-12-05 17:31:541744

負(fù)載電容測(cè)試原理與測(cè)試方法

負(fù)載電容測(cè)試原理與測(cè)試方法 晶體振蕩器(也稱為晶)是一種產(chǎn)生精確頻率的電子設(shè)備,被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、家用電器等。晶的工作原理是通過(guò)施加電場(chǎng)使晶體發(fā)生壓電效應(yīng),從而
2023-12-18 14:09:321909

如何根據(jù)負(fù)載電容和溫度特性選擇合適的晶?

如何根據(jù)負(fù)載電容和溫度特性選擇合適的晶? 選擇合適的晶對(duì)于電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要,特別是對(duì)于要求高穩(wěn)定性和精確頻率的應(yīng)用。在選擇晶時(shí),我們需要考慮負(fù)載電容和溫度特性等因素。下面將詳細(xì)介紹如何根據(jù)這些
2023-12-18 14:16:301004

啟動(dòng)電容的作用 晶的工作原理 啟動(dòng)電容對(duì)晶輸出頻率的影響

啟動(dòng)電容的作用 晶的工作原理 啟動(dòng)電容對(duì)晶輸出頻率的影響? 啟動(dòng)電容的作用: 啟動(dòng)電容是在電路中起到啟動(dòng)作用的一種電容。在一些需要產(chǎn)生一定頻率的電路中,如晶電路、多諧振蕩器電路等,啟動(dòng)電容起到
2024-01-23 16:42:541717

電容C0過(guò)大,會(huì)怎么樣?

電容C0過(guò)大,會(huì)怎么樣? 晶電容(也稱為震蕩電容或補(bǔ)償電容)是在電子設(shè)備中用來(lái)控制晶體振蕩器頻率的一個(gè)重要元件。它起到穩(wěn)定和調(diào)整晶頻率的作用。晶電容的選擇和設(shè)計(jì)對(duì)設(shè)備的性能和可靠性
2024-01-25 14:34:212007

什么樣的負(fù)載電容可以起?又需要匹配多大的電容值才能快速響應(yīng)起呢?

什么樣的負(fù)載電容是可以起?又需要匹配多大的電容值才能快速響應(yīng)起呢? 負(fù)載電容是指連接在振蕩電路輸出端的電容元件。振蕩電路中的負(fù)載電容起著重要的作用,它不僅決定了振蕩的頻率,還影響了振蕩電路
2024-01-26 14:07:281439

電路中如何選擇電容

和穩(wěn)定性。因此,正確選擇合適的電容值對(duì)于晶電路的正常工作非常重要。 首先,我們來(lái)了解一下晶電路的工作原理。晶體振蕩器是一種基于晶體的電路,當(dāng)施加電場(chǎng)或機(jī)械應(yīng)力到晶體上時(shí),會(huì)引起晶體的機(jī)械振動(dòng),從而產(chǎn)生電荷并導(dǎo)
2024-01-31 09:28:482554

有源晶需要加負(fù)載電容嗎?

我們要明確負(fù)載電容的概念。負(fù)載電容是指晶的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,它在電路中起到了關(guān)鍵的作用。然而,在討論有源晶是否需要負(fù)載電容時(shí),我們需要注意到,有源晶與無(wú)源晶
2024-05-18 08:34:302158

電容的計(jì)算公式

電容的計(jì)算涉及到幾個(gè)不同的方面,包括匹配電容、旁路電容和負(fù)載電容的計(jì)算。
2024-11-05 16:09:032680

關(guān)于晶負(fù)載電容的探討

01·晶體的負(fù)載電容和頻率的誤差·由上圖可以看出,石英晶體的負(fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線性的負(fù)載電容變小時(shí),頻率偏差量增加;負(fù)載電容變大時(shí),頻率偏差量減小。因此,如果在晶選型時(shí)選擇的為較小
2025-04-24 12:17:331116

伍爾特電子推出全新抗電容

伍爾特電子(Würth Elektronik)現(xiàn)可為所有SMT貼片鋁電解電容和鋁混合聚合物電容的型號(hào)提供極強(qiáng)抗性的版本。得益于加大的焊盤(pán)和加厚的基板設(shè)計(jì),這些高抗振動(dòng)電容可承受高達(dá)30g(294 m/s2)的加速度沖擊。
2025-05-21 11:51:51860

如何匹配晶的負(fù)載電容

匹配晶的負(fù)載電容需要考慮多個(gè)因素,從明確原理出發(fā),通過(guò)計(jì)算、調(diào)整等步驟達(dá)成。 一、理解負(fù)載電容的概念 負(fù)載電容(CL)是指在電路中跨接晶體兩端的總的有效電容,它會(huì)影響晶的諧振頻率和輸出幅度。在晶
2025-06-21 11:42:00779

32.768kHz晶電容匹配指南

32.768kHz晶電容匹配指南選擇32.768kHz晶電容大小是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素,它直接影響到晶的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時(shí),我們需要充分考慮晶的電氣參數(shù)、電路板的設(shè)計(jì)以及雜散電容
2025-07-03 18:07:411326

的 “負(fù)載電容” 到底是什么

負(fù)載電容,到底是什么? 負(fù)載電容,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),是指晶的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,我們可以將其看作晶片在電路中串接的電容。從更專業(yè)的角度講,它是為了使晶能夠在其標(biāo)稱頻率下穩(wěn)定
2025-07-25 16:26:24876

科普:無(wú)源晶電容匹配與問(wèn)題

匹配電容并不是絕對(duì)的或者固定值,無(wú)源晶的匹配電容一般最好選擇兩個(gè)一樣電容,在很多的方案設(shè)計(jì)中一般常用的電容有12pF、15pF、22pPF、33pF等,大致都是一個(gè)20pF量級(jí)。
2025-08-29 11:27:221888

HCI杭晶電子-技術(shù)篇:晶外掛負(fù)載電容與晶負(fù)載關(guān)系

在電子電路中,晶是最常見(jiàn)的時(shí)鐘源之一。為了使晶正常起并穩(wěn)定運(yùn)行,必須根據(jù)其負(fù)載電容(Load Capacitance, 簡(jiǎn)稱 CL)合理設(shè)計(jì)電路中的外掛負(fù)載電容。不恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電容匹配會(huì)導(dǎo)致晶振起困難、頻率偏差增大,甚至系統(tǒng)不穩(wěn)定。
2025-09-05 14:41:45910

電解電容加速壽命試驗(yàn)的研究與應(yīng)用

電解電容加速壽命試驗(yàn)通過(guò)加大熱應(yīng)力、電應(yīng)力等試驗(yàn)條件,在不改變失效機(jī)理的前提下激發(fā)電容在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生與正常工作應(yīng)力水平下相等的失效,從而縮短試驗(yàn)周期,快速評(píng)估其壽命特性。以下是其研究與應(yīng)用的核心
2025-10-17 16:05:22220

什么是晶的雜散電容

什么是晶的雜散電容?晶的雜散電容,也叫做寄生電容,是指電路中非人為設(shè)計(jì)、由物理結(jié)構(gòu)自然產(chǎn)生的、有害的隱藏電容。它為什么重要?(影響)雜散電容之所以關(guān)鍵,是因?yàn)樗鼤?huì)直接影響晶的振蕩頻率精度。核心
2025-11-13 18:13:41225

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