NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。

NMOS管的原理介紹

如上圖，NMOS管是壓控型器件，Vgs電壓大于Vth開(kāi)啟電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，Vgs電壓小于Vth開(kāi)啟電壓時(shí)，內(nèi)部溝道截止;

Vgs電壓越高，內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)越大，導(dǎo)通程度越高，導(dǎo)通電阻Ron越小,注意，Vgs電壓不能超過(guò)芯片允許的極限電壓;

說(shuō)明：NMOS管一般作為低端驅(qū)動(dòng)器件，源級(jí)S接地。

NMOS管的結(jié)構(gòu)

N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)圖和符號(hào)分別如圖a、b和c所示。

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底(提供大量可以動(dòng)空穴)上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)(N+區(qū)域中有大量為電流流動(dòng)提供自由電子的電子源)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極(通常是多晶硅)，作為柵極G。在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好) 。

NMOS管有三種工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、可變電阻區(qū)以及飽和區(qū)(又稱(chēng)恒流區(qū))。

正常工作時(shí)，柵極g輸入端基本沒(méi)有電流，漏極d電流一定等于源極s電流，且通過(guò)GS電壓控制漏極電流，因此被稱(chēng)為電壓控制器件。

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